本发明涉及纵向双极功率晶体管及制造所说双极功率晶体管的方法，所说功率晶体管主要用于射频应用。该双极功率晶体管包括衬底（１３）、衬底上的第一导电类型的集电层（１５）、与集电层电连接的第二导电类型的基区（１９）、与基区电连接的所说第一导电类...

ＮＰＮ双极晶体管的元件表面具有其沿元件表面看被厚场氧化区（１８）以常规方式包围的有源区。有源区被优选包括氮化物层（３４）的电绝缘表面层部分地覆盖。有源区中的基区通过在电绝缘表面层中用光刻制作的精确限定的开口所限定。对于横向ＰＮＰ双极晶体...

本发明涉及高速通讯用的集成电路中的集电极引线和沟槽及这些部件的制造方法。通过从半导体结构（１４４）的上面的硅表面进行的离于注入产生注入损伤区或非晶区，其深度低于周围的场氧化区（１２０）的厚度，然后加热处理半导体结构（１４４）。通过露出上...

包括埋置导电层（１０８）例如埋置集电极的半导体包括一个沟槽，沟槽壁上覆盖一层（１０９′），在层（１０９′）中掺杂剂的扩散比在单晶硅中快。在离沟槽壁（１０９′）很近的地方掺杂接触区。掺杂剂扩散穿过层（１０９′）形成到埋置层（１０８）的低阻...

本发明涉及一种电感器件（１０），包括第一和第二终端（２０，３０）和两根导体（４０，５０）。每根导体在所述终端（２０，３０）之间形成一个环，从而使引入第一终端的电流（ｉ↓［１］）在所述导体（４０，５０）间分流。每路电流（ｉ↓［２］，ｉ↓［...

本发明涉及到一种半导体电路的半导体制作方法，该电路具有多个一种类型的有源器件ＮＭＯＳ１，ＮＭＯＳ２，ＮＰＮ１，ＮＰＮ２。该方法包括下列步骤：在半导体衬底（１）上安排第一区域（４，１６），并在所述第一区域（４，１６）中实现两个具有不同种特...

一种电阻器，它具有由多晶硅组成的电阻器本体（１１）以及排列在电阻器本体（１１）上和／或中的电接触区（２３，１５），使电阻器部分（１３）被制作在接触区之间，它为电阻器提供电阻值。用例如硼，对电阻器本体中的材料进行掺杂，以确定其电阻值。为了...

一种功率晶体管包括多个发射极区（４２１）和多个基极接触（４２３）。为了降低基极电阻，多个发射极区（４２１）的每一个与至少四个基极接触（４２３）相邻。整个晶体管包括许多发射极区（４２１），举例来说大于或等于大约１０００个，没有上限，其中发...

本发明涉及到一种排列在具有初始掺杂（ｐ＋）的半导体衬底（１０２）的表面（１０６）处的半导体器件（１００），所述器件具有一种电连接（１０１），它包含至少一个由高电导率材料特别是不同于衬底的材料制作，在所述初始掺杂的衬底（１０２）与衬底的所...

一个集成电压控制振荡器（ＶＣＯ）包括以“堆积”配置方式形成的变容器和固定电容器。由“堆积”固定电容器于构成的变容二极管之上来形成ＶＣＯ集成电路使半导体表面区摆脱由其他电路元件使用或允许实施更小的集成电路封装。“堆积”还允许与ＶＣＯ的固定...

本发明披露了一种用于制造硅双极功率高频晶体管器件的方法。还披露了按照本发明的方法的晶体管器件。所述晶体管器件确保在操作期间用于维持合适的ＢＶ↓［ＣＥＲ］的条件，从而避免集电极发射极击穿。按照所述方法，沿着在构成硅双极晶体管的衬底的半导体...

公开一种应用外延的台面结构并利用极少数量的掩模来制造低压高频硅功率晶体管的方法。并提供一种低压高频硅晶体管芯片（２０），它表现为一种外延台面工艺的硅功率器件。该硅晶体管布局表现为一种具有许多单台面集电极结构（２１）的集电极朝上的器件。所...

本发明涉及到用来互连射频功率ＳｉＣ场效应晶体管的方法和器件。为了改善寄生源电感，利用了晶体管的小尺寸，其中键合焊点被置于管芯的二个侧面上，使大多数源键合引线（６）垂直于栅和漏键合引线（７，８）走线。多个键合引线可以被连接到源键合焊点，降...

一种半导体芯片，其具有至少一个有源器件和位于所述有源器件上的至少一个接合区。接合区具有至少一个可变形件，当导电柱和所述接合区接合时，可变形件可发生变形，从而防止在利用例如超声接合技术使导电柱和接合区接合期间破坏所述有源器件。多个可变形件...

包括ＬＣＤ装置的液晶显示器（ＬＣＤ），包括衬底（１０７），其衬底（１０７）的顶表面上有衬底接线盘（１０６），和芯片（１０５），其芯片电极（１０４）有效地连接到所述衬底接线盘（１０６）上。此外，内插装置（１００）安装在芯片（１０５）和衬底...

一种带有可连续控制杆的微机电开关结构。通过在靠近杆投影处但在杆投影外增设的促动电极可连续控制杆。杆垂直投影到促动电极的平面上。通过将促动电极设置在杆的旁边而不是在杆的下面，促动电极可以连续控制杆从静止位置移动到完全促动状态。

为了降低一集成电路中一晶体管内的电流密度，晶体管包括多个交叉漏极、源极和栅极触指（１０，１１，１２）；一第一电流分配板（１）是集成电路的一金属层的一部分，且经由第一通路（５）与所有漏极触指（１０）相连接；一第二电流分配板（２）也是所述集...

一种布置芯片上电容器的方法，在芯片的第一平面内的第一导电连接点与芯片的第二平面内的第二导电连接点之间形成电容，其特征在于：该方法包括从第一导电点向着第二平面到达第三平面形成至少一个第一类型的导电延伸；以及从第二导电连接点向着第一平面到达...

本发明公开了用于减小在ＶＣＯ谐振器之间的ＥＭ互耦和用于在单个半导体芯片上实施ＶＣＯ谐振器的方法和系统。该方法和系统包括使用电感器和提供电流到电感器以使得最终得到的磁场分量藉助于对称性而互相抵消。另外，两个这样的电感器可以互相靠近地放置和...

一种电气保护电路，包括装在衬底（１１）上的一个有钎料（３）的熔断器（１）和一个与熔断器串联的电阻回路（１０）。钎料（３）在衬底（１１）受热温度升高时会溶化，其周围环绕有材料（８），以保护钎料（３）使其免受周围空气氧化作用的影响。材料（８...