一种便携式电子设备，包括多个电池供电单元（３，６；１０，１２，１４，１６，１８，２０），其中至少两个要求不同的电源电压或电流。多个独立的电池（２，４，７；９，１３，１７，１９）适于分别为特定部件供电，位于一个空腔内并与相应的设备（１；８...

对具有由设备控制的内置充电控制电路（１３）的一种电池供电的设备（１０）进行充电的方法，以及用于该方法进行工作、包括所述设备的一种装置。包括电池（１１）的设备连接到一个电池充电器（１７），当电池电压很低以致于不能通过充电控制电路启动电池的...

一种方法、系统和设备使得与一个辅助设备通信的电子设备能够在该辅助设备将有关能量使用的信息提供给该电子设备时，精确报告剩余电池寿命。在一个实施方案中，辅助设备从电子设备的电池提取能量，且该电子设备通过考虑由辅助设备提供的能量使用信息来更精...

一种包含聚合物、金属盐和可能的至少一种增塑剂或溶剂的聚合物电解质，其中，所述聚合物是两亲性接枝共聚物，它包含在其主链中不同碳原子上连接亲水和疏水接枝的主链，其中，疏水接枝选自含有至少８个碳原子的氟化链或烷基链。一种包含阳极、阴极和聚合物...

一种包含金属盐、聚合物、任选的增塑剂的聚合物凝胶电解质，其特征在于所述聚合物包含引入至少两种反应基的碳－氢基链，其中，所述反应基具有不同的活性。所述聚合物凝胶电解质中和由金属盐和溶剂在电解质相中产生的废产物形式的钝化层。钝化层生长的减少...

本发明涉及微波芯片支撑结构（１、１′、１″），包括带有第一侧（３、５０）和第二侧（４、５１）以及外部界限（６、７、８、９；５３、５４、５５、５６）的第一微波层压层（２、４９）。至少一个导体（２１、２２、２３、２４、２５、２６；６０、６１...

本发明涉及微波芯片支撑结构（１、１′、１″、１′″），包括带有第一侧（３、５０）和第二侧（４、５１）以及外部界限（６、７、８、９；５３、５４、５５、５６）的第一微波层压层（２、４９）。至少一个导体（２１、２２、２３、２４、２５、２６；６...

实现晶体管电路的方法包括：将第一和第二晶体管以并联方式耦合，其中第一晶体管具有对应于由反向短沟道效应引起的晶体管电压阈值曲线中的峰值的沟道长度，而第二晶体管具有较长的沟道长度并因此具有较低的阈值电压。以这种方式利用反向短沟道效应使得能够...

半导体器件包括衬底、氧化层和负性低掺杂（ｎ）的单晶片。在片中刻蚀出围绕元件区的用于形成介质绝缘层的深槽。通过第１掩模在元件区进行扩散，元件区的场效应晶体管就具有两个正性掺杂（Ｐ）的片状栅区。通过第２掩模在元件区对两个负性重掺杂（ｎ↑［＋...

一个在元件区内的双极晶体管设有一Ｐ↑［＋］掺杂基区连接区的Ｐ型掺杂基区和ｎ↑［＋］掺杂的发射区。晶体管设有一ＰＮ结位于基区的下侧，并与一场效应晶体管串联连接，场效应管设有ｎ↑［＋］掺杂的漏区连接区。元件区是弱掺杂，从ＰＮ结至ＳｉＯ↓［２...

描述了用于微电路互连的两类金属化方案ＰｔＳｉ／ＴｉＷ／ＴｉＷ（Ｎ）／Ａｕ（第一类）和ＰｔＳｉ／ＴｉＷ／ＴｉＷ（Ｎ）／ＴｉＷ／Ａｕ（第二类）及相关工艺，该金属化方案及工艺可应用到与小至１．５μｍ或更小金属间距互连的集成电路中，对于持续高温...

提供了一种ＲＦ功率晶体管布局，这种布局减小了公用引线电感及其相关的性能恶化。此ＲＦ晶体管元件相对于常规ＲＦ晶体管元件旋转了９０°，以便使焊盘位于靠近硅管心的边缘处，缩短了焊接引线的长度并减小了公用引线电感，从而改善了高频性能。焊盘的位置...

一种半导体器件包括：硅衬底（１），在所述硅衬底（１）上的绝缘层（２），在所述绝缘层（２）上的硅层（３），所述硅层（３）由第一导电类型（Ｎ）的杂质掺杂，从所述硅层（３）的自由表面延伸到所述硅层（３）内的基区（４），所述基区（４）由第二导电...

在密封光学元件中，利用引线框架（５）来电连接该元件，引线框架具有薄片（５３），把光学元件的主要部分连到薄片（５３）上。薄片（５３）不对称地位于引线框架的外边缘，在密封的过程中，靠近压模中模制腔体的侧壁。由此，可在封壳壁中获得标准型的光学...

在制作一个封装的光学部件（４３）的过程中，光学部件被灌封在一种塑料中。该光学部件（５）在它的其中一个表面上有引导凹槽（９），引导销钉在这些凹槽中伸展，使得被封装的光学部件将得到标准类型的光学接口。为了进行封装操作，把引导销钉（７）放在一...

在用一种塑料对一个光学部件进行封装的过程中，得到了一个与ＭＴ接头兼容的接口，它在封壳的壁上有用于引导销钉的孔（１０７）和光学连接表面（１１０）。由模具腔室引导销钉得到这些孔（１０７），在该部件的顶部进行封装材料的模塑操作过程中，这些引导...

一般说来，本发明提供了一种器件和方法，由此注经ＲＦ功率晶体管的电流不需采用任何外部元件而得到监控。更具体地，根据本发明的一个实施方案，ＲＦ功率晶体管包括硅片、一对形成在硅片上的交指电极，每个电极具有许多平行电极指和至少一个焊盘。第一类型...

一种产生半导体器件中的Ｐ型α－ＳｉＣ层的欧姆接触的方法，其特征是： 在上述α－ＳｉＣ层上沉积铝层、钛层和硅层；和 对所沉积的层进行退火以便至少将上述沉积层的一部分转变成铝钛硅化物。

一种双极绝缘体上硅晶体管，包括： －具有主表面的衬底（１）， －所述主表面上的氧化层（２）， －所述氧化层（２）上具有第一导电类型的硅层（３）， －延伸进入所述硅层（３）具有第二导电类型的基区（４）， －延...

一种ＲＦ功率晶体管，它包含： 一个硅管心； 一个制作在硅管心上的带有多个平行的电极指条的叉指式电极； 制作在上述电极指条下方的扩散区； 一个制作在硅管心上且在第一节点处与上述电极指条串联连接的电阻器； 一个...