【技术实现步骤摘要】
相关申请的交叉引用本申请要求2012年8月8日提交的申请号为10-2012-0086905的韩国专利申请的优先权,其全部内容通过引用合并于此。
本专利技术的实施例涉及一种半导体器件及其操作方法,更具体而言,涉及一种具有电荷陷阱型存储器单元的。
技术介绍
半导体存储器件的非易失性存储器件具有即使未供应电源、数据也不被擦除的特性。非易失性存储器件的电荷陷阱型快闪存储器件通过利用隧道电介质层、电荷陷阱层、阻挡电介质层以及栅导电层层叠在半导体衬底上的存储器单元来储存数据。电荷陷阱型快闪存储器件在编程操作中将高压供应给存储器单元的栅极的情况下,将电荷充电到电荷陷阱层中。在读取操作中检测存储器单元的根据被充电在电荷陷阱层中的电荷数量而变化的阈值电压,并且储存的数据基于检测的阈值电压的电平来确定。在非易失性存储器件中的存储器单元是一种可以执行编程操作/擦除操作的器件,并且通过改变存储器单元的阈值电压来执行编程操作和擦除操作。图1是说明现有的半导体存储器件的擦除操作的流程图。在图1中,半导体存储器件执行利用增量式步进脉冲擦除ISPE方法的擦除操作。具体地,在步骤SI中,将擦除电压供应给形成有存储器单元的半导体衬底的P阱。随后,在步骤S2和S3中,执行用于验证每个存储器单元的阈值电压是否比目标阈值电压小的擦除验证操作。在验证出每个存储器单元的阈值电压比目标阈值电压小的情况下,判定擦除操作通过,且因而完成擦除操作。在验证出一个或更多个存储器单元的阈值电压比目标阈值电压高的情况下,判定擦除操作失败。在经由擦除验证操作判定擦除操作失败的情况下,在步骤S4中将在供应擦除电压 ...
【技术保护点】
一种半导体存储器件,包括:存储器单元块,所述存储器单元块包括多个存储器单元;外围电路部,所述外围电路部被配置成执行包括供应擦除电压的供应操作和擦除验证操作的擦除循环,以将储存在存储器单元中的数据擦除;失败位计数器,所述失败位计数器被配置成对存储器单元之中的在擦除操作中未被擦除的存储器单元的数目计数,以在擦除验证操作中基于与计数结果相对应的失败计数来产生计数信号;以及控制器,所述控制器被配置成控制外围电路部,以通过将用于前一擦除循环的擦除电压增加第一步进电压,或者基于失败计数将擦除电压减小第二步进电压,来设定新的擦除电压,并且利用所述新的擦除电压来执行擦除循环。
【技术特征摘要】
2012.08.08 KR 10-2012-00869051.一种半导体存储器件,包括: 存储器单元块,所述存储器单元块包括多个存储器单元; 外围电路部,所述外围电路部被配置成执行包括供应擦除电压的供应操作和擦除验证操作的擦除循环,以将储存在存储器单元中的数据擦除; 失败位计数器,所述失败位计数器被配置成对存储器单元之中的在擦除操作中未被擦除的存储器单元的数目计数,以在擦除验证操作中基于与计数结果相对应的失败计数来产生计数信号;以及 控制器,所述控制器被配置成控制外围电路部,以通过将用于前一擦除循环的擦除电压增加第一步进电压,或者基于失败计数将擦除电压减小第二步进电压,来设定新的擦除电压,并且利用所述新的擦除电压来执行擦除循环。2.如权利要求1所述的半导体存储器件,其中,所述存储器单元是电荷陷阱型存储器单元。3.如权利要求1所述的半导体存储器件,其中,所述外围电路部包括: 电压发生部,所述电压发生部被配置成产生擦除电压,并且将擦除电压供应给存储器单元块的P阱;以及 页缓冲器部,所述页缓冲器部被配置成感测所述存储器单元的阈值电压,并且基于所述擦除验证操作的结果来验证所述擦除操作。4.如权利要求3所述的半导体存储器件,其中,所述页缓冲器部在所述存储器单元中的至少一个存储器单元的阈值电压比指定的阈值电压高时判定所述擦除操作失败。5.如权利要求1所述的半导体存储器件,还包括:循环计数器,所述循环计数器被配置成对执行擦除循环的次数计数,以产生循环计数信号。6.如权利要求5所述的半导体存储器件,其中,在响应于所述循环计数信号执行的当前擦除循环的次数超过指定的最大循环次数时,所述控制器结束所述擦除操作。7.如权利要求1所述的半导体存储器件,其中,所述控制器包括: 寄存器,所述寄存器被配置成储存前一擦除循环的失败计数;以及 比较电路,所述比较电路被配置成将储存在所述寄存器中的所述前一擦除循环的失败计数与当前擦除循环的失败计数进行比较。8.如权利要求7所述的半导体存储器件,其中,所述控制器通过将从所述失败位计数器输出的所述当前擦除循环的失败计数与储存在所述寄存器中的所述前一擦除循环的失败次数进行比较,来判定所述当前擦除循环的失败计数是增加还是减小。9.如权利要求8所述的半导体存储器件,其中,所述控制器被配置成当所述当前擦除循环的失败计数比所述前一擦除循环的失败计数小时,通过将所述擦除电压增加所述第一步进电压来设定所述新的擦除电压,并且所述控制器被配置成当所述当前擦除循环的失败计数比所述前一擦除循环的失败计数大时,通过将所述擦除电压减小所述第二步进电压来设定所述新的擦除电压。10.如权利要求1所述的半导体存储器件,其中,所述第二步进电压低于或等于所述第一步进电压。11.一种操作半导体存储器件的方法,所述方法包括以...
【专利技术属性】
技术研发人员:沈根守,
申请(专利权)人:爱思开海力士有限公司,
类型:发明
国别省市:
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。