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本发明公开了一种半导体存储器件，所述半导体存储器件包括：存储器单元块，所述存储器单元块包括多个存储器单元；外围电路部，所述外围电路部被配置成执行包括供应擦除电压的供应操作和擦除验证操作的擦除循环，以将储存在存储器单元中的数据擦除；失败位计数...
该专利属于爱思开海力士有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过爱思开海力士有限公司授权不得商用。

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