含有低相噪抗振石英晶片的石英谐振器制造技术

本发明专利技术公开了一种含有低相噪抗振石英晶片的石英谐振器，涉及一种石英谐振器。它包括石英晶片(1)，石英晶片(1)上连接有主电极(6)；石英晶片(1)的顶面(11)连接有第一副电极(51)和第一导电电极(3)，石英晶片(1)的底面(12)连接有第二副电极(52)和第二导电电极(3)；第一副电极(51)在底面(12)上的投影与第二副电极(52)之间呈点对称布置，第一导电电极(71)在所述底面(12)上的投影与第二导电电极(72)之间呈点对称布置。本发明专利技术结构简单，使用方便，采用了较小直径的石英晶片，不仅增加了石英谐振器的结构稳定性，而且提高了石英谐振器的抗外力能力。

【技术实现步骤摘要】
含有低相噪抗振石英晶片的石英谐振器
本专利技术涉及一种电子原器件，具体的说是一种含有低相噪抗振石英晶片的石英谐振器。
技术介绍
图2为现有的石英晶片的结构示意图，现有的石英晶片的副电极是与铅垂面(现有技术中的z轴)呈平行布置的。实际工作过程中，如在振动过程中，石英晶片易受到外力的作用，上述外力与支架对晶片径向支撑力相互叠加会影响晶片的振动，从而使石英谐振器的工作不稳定。
技术实现思路
本专利技术的目的为了克服
技术介绍
的不足之处，而提供一种含有低相噪抗振石英晶片的石英谐振器。为了实现上述目的，本专利技术的技术方案为：含有低相噪抗振石英晶片的石英谐振器，包括布置在基座上方的石英晶片，其特征在于：所述石英晶片的顶面的中心部位以及底面的中心部位均连接有主电极；石英晶片的顶面的第一侧边连接有第一副电极，第一副电极的底端与主电极之间连接有第一导电电极，石英晶片的底面的第二侧边连接有第二副电极，第二副电极与主电极之间连接有第二导电电极；所述第一副电极在底面上的投影与第二副电极之间以石英晶片的中心为对称中心呈点对称布置，所述第一导电电极在所述底面上的投影与第二导电电极之间以石英晶片的中心为对称中心呈点对称布置；第二副电极的顶边与水平面之间的夹角β为32～38°，第二副电极的底边与水平面之间的夹角γ为22～28°；所述第二导电电极的顶边与底边之间的夹角α为13～25°。在上述技术方案中，本专利技术结构简单，使用方便，采用了较小直径的石英晶片，不仅增加了石英谐振器的结构稳定性，而且提高了石英谐振器的抗外力能力。第一副电极的底边与水平面之间的夹角β为35°，第一副电极的顶边与水平面之间的夹角γ为25°，所述第一导电电极的顶边与底边之间的夹角α为20°。所述主电极的直径为φ4～φ5。所述石英晶片的顶面的第二侧边连接有辅助电极，石英晶片的底面的第一侧边连接有辅助电极，所述辅助电极的上端与下端呈对称布置，辅助电极的顶边与水平面之间的夹角为18～23°。所述辅助电极的顶边与水平面之间的夹角为20°。本专利技术低相噪抗振石英谐振器与传统高频泛音石英谐振器相噪对比见表1，其振动条件：扫描振动：4Hz～100Hz，加速度3.6g～13g。表1对比表在上述技术方案中，本专利技术采用全新电极设计及调整支架与电极轴方向，改善外力对晶片振荡的影响，使其影响最小从而实现抗振动，且其相噪较低。本专利技术石英晶体谐振器具有如下优点：①采用该种“S”形状电极及连接方式，晶体相噪得到明显改善且增强晶体抗振动能力，②采用较小直径晶片，增加稳定性，提高抗外力能力，③采用辅助电极增大粘接面积，增强了粘结牢固度，提高了石英晶体谐振器的抗振动冲击能力。附图说明图1为本专利技术的结构示意图。图2为现有的石英晶片的结构示意图。图3为本专利技术所述的石英晶片的主视图。图4为本专利技术所述的石英晶片的顶面的透视图。图中1-石英晶片,11-石英晶片的顶面,111-石英晶片的顶面的第一侧边,112-石英晶片的顶面的第二侧边,12-石英晶片的底面,121-石英晶片的底面的第一侧边,122-石英晶片的底面的第二侧边,13-石英晶片的中心,2-基座,3-外壳,4-导电胶，51-第一副电极，52-第二副电极，6-主电极，71-第一导电电极，72-第二导电电极，8-辅助电极，9-支架。具体实施方式下面结合附图详细说明本专利技术的实施情况，但它们并不构成对本专利技术的限定，仅作举例而已。同时通过说明使本专利技术的优点更加清楚和容易理解。参阅附图可知：含有低相噪抗振石英晶片的石英谐振器，包括布置在基座2上方的石英晶片1，其特征在于：所述石英晶片1的顶面11的中心部位以及底面12的中心部位均连接有主电极6；石英晶片1的顶面11的第一侧边111连接有第一副电极51，第一副电极51的底端与主电极6之间连接有第一导电电极71，石英晶片1的底面12的第二侧边122连接有第二副电极52，第二副电极52与主电极6之间连接有第二导电电极72；所述第一副电极51在底面12上的投影与第二副电极52之间以石英晶片的中心13为对称中心呈点对称布置，所述第一导电电极71在所述底面12上的投影与第二导电电极72之间以石英晶片的中心13为对称中心呈点对称布置；第一副电极51的顶边与水平面之间的夹角β为32～38°，第一副电极51的底边与水平面之间的夹角γ为22～28°；所述第一导电电极71的顶边与底边之间的夹角α为13～25°。实际工作过程中，本专利技术还包括套装在外壳3内部的石英晶片1和基座2，基座2上连接有两个间隔布置的支架9，石英晶片1的两端通过导电胶4分别与所述支架9连接。第一副电极51的底边与水平面之间的夹角β为35°，第一副电极51的顶边与水平面之间的夹角γ为25°，所述第一导电电极71的顶边与底边之间的夹角α为20°。所述主电极6的直径为φ4～φ5。所述石英晶片1的顶面11的第二侧边112连接有辅助电极8，石英晶片1的底面12的第一侧边121连接有辅助电极8，所述辅助电极8的上端与下端呈对称布置，辅助电极8的顶边与水平面之间的夹角δ为18～23°。所述辅助电极8的顶边与水平面之间的夹角δ为20°。在上述技术方案中，本专利技术结构简单，使用方便，采用了较小直径的石英晶片1，不仅增加了石英谐振器的结构稳定性，而且提高了石英谐振器的抗外力能力。实际工作过程中，工作人员对本专利技术的石英晶片和现有的石英晶片进行了对比，现有的石英晶片的尺寸要求如下表：φaφeHe1e2适用频段f4.5+0-0.052.0-3.04.1+0-0.051.0±0.052.2±0.05三次泛音本专利技术的石英晶片的尺寸要求如下表：φaφeHe3适用频段f4.5+0-0.052.0-3.04.1+0-0.050.5±0.05三次泛音此两种晶片相比，主要是晶片电极有所不同，在通电工作中晶片所受力方向不同。本专利技术晶片电极保证了谐振器在通电工作中受外力(如振动)影响较小，同时保证了在严酷振动条件下的输出频谱更稳定；而原有传统晶片电极在通电工作中受外力(如振动)影响较大，使其输出频谱发生明显变化。其它未说明的部分均属于现有技术。本文档来自技高网...

【技术保护点】
含有低相噪抗振石英晶片的石英谐振器，包括布置在基座(2)上方的石英晶片(1)，其特征在于：所述石英晶片(1)的顶面(11)的中心部位以及底面(12)的中心部位均连接有主电极(6)；石英晶片(1)的顶面(11)的第一侧边(111)连接有第一副电极(51)，第一副电极(51)的底端与主电极(6)之间连接有第一导电电极(71)，石英晶片(1)的底面(12)的第二侧边(122)连接有第二副电极(52)，第二副电极(52)与主电极(6)之间连接有第二导电电极(72)；所述第一副电极(51)在底面(12)上的投影与第二副电极(52)之间以底面(12)的中心(13)为对称中心呈点对称布置，所述第一导电电极(71)在所述底面(12)上的投影与第二导电电极(72)之间以底面(12)的中心(13)为对称中心呈点对称布置；第二副电极(52)的顶边与铅垂面之间的夹角α为32～38°，第二副电极(52)的底边与铅垂面之间的夹角β为22～28°；所述第二导电电极(72)的顶边与底边之间的夹角γ为13～25°。

【技术特征摘要】
1.含有低相噪抗振石英晶片的石英谐振器，包括布置在基座(2)上方的石英晶片(1)，其特征在于：所述石英晶片(1)的顶面(11)的中心部位以及底面(12)的中心部位均连接有主电极(6)；石英晶片(1)的顶面(11)的第一侧边(111)连接有第一副电极(51)，第一副电极(51)的底端与主电极(6)之间连接有第一导电电极(71)，石英晶片(1)的底面(12)的第二侧边(122)连接有第二副电极(52)，第二副电极(52)与主电极(6)之间连接有第二导电电极(72)；所述第一副电极(51)在底面(12)上的投影与第二副电极(52)之间以石英晶片的中心(13)为对称中心呈点对称布置，所述第一导电电极(71)在所述底面(12)上的投影与第二导电电极(72)之间以石英晶片的中心(13)为对称中心呈点对称布置；第二副电极(52)的顶边与水平面之间的夹角β为32～38°，第二副电极(52)的底边与水平面之间的夹角γ为22～28°；所述第二导电电极(72...

【专利技术属性】
技术研发人员：洪建彬，毛晶，周桂华，张文捷，吴刚，
申请(专利权)人：武汉海创电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：