一种滤波谐振器用电极制造技术

本实用新型专利技术公开了一种滤波谐振器用电极，涉及滤波谐振器用电极设计领域。它包括刻蚀石英晶片、第一金属电极和第二金属电极；刻蚀石英晶片正反两面均有刻蚀圈；第一金属电极包括第一中心部、第一超出部、第一圆弧部、第一电极耳；第一中心部位于刻蚀石英晶片的中心，第一电极耳位于刻蚀石英晶片的右端。本实用新型专利技术的通过优化金属电极和第一电极耳的尺寸和形状，增加刻蚀圈上的电极覆盖面，保证了产品具有更稳定、更优良的接触电阻。更优良的接触电阻。更优良的接触电阻。

【技术实现步骤摘要】
一种滤波谐振器用电极


[0001]本技术涉及滤波谐振器用电极设计领域，更具体地说它是一种滤波谐振器用电极。

技术介绍

[0002]石英晶体谐振器是一种用于稳定频率和选择频率的重要电子元件，被广泛应用于仪器设备、军事侦察、导航、雷达、导弹制导、卫星跟踪、宇宙通信以及时间与频率计量等领域，一般为系统提供频率源或标准信号；石英晶体谐振器主要由镀膜石英晶片、支架、外壳和导电胶构成；金属层常采用高纯度的铝、银、金材料，通过真空蒸发式镀膜工艺或者真空溅射式镀膜工艺，将金属分子沿直线方向飞射到石英晶片上，形成均匀、牢固的金属电极膜。
[0003]传统的电极，采用对称设计，一副电极分别置于晶片的两面，电极中心与晶片中心重合；传统的电极多采用圆形电极，由第一电极耳连接至晶片边缘，正反两面的第一电极耳置于晶片两端，并成轴对称分布；通常第一电极耳设计简单，如一字形、扇形和T形电极等，常用的电极直径≥0.5mm，因此对镀膜夹具的加工精度要求不高；同时这种加工精度也限制了电极的设计，电极有效面积很难加工到0.2mm2。
[0004]石英晶体谐振器的基频与晶片的厚度有关，常规的研磨工艺能力有限，晶片所能达到的最小厚度约35μm，晶片越薄，加工难度更大。高频滤波谐振器是石英晶体谐振器的一种特殊产品，通过刻蚀工艺，减薄局部的晶片厚度，从而获得更高的基频，目前可获得频率范围从50MHz到140MHz的高基频产品。
[0005]刻蚀，即采用化学刻蚀或离子刻蚀工艺，将石英晶片上多余部分去掉；由于金属电极是垂直晶片表面蒸镀上去的，不能保证镀层完全覆盖到刻蚀圈内，为保证晶片的接触电阻正常，因此需要优化电极与第一电极耳的形状。
[0006]为了获得更好的寄生抑制效果，需要减小电极的面积；当电极直径＜0.5mm，镀膜夹具的加工难度很大，因此需要通过优化电极与第一电极耳的形状，便于镀膜夹具的加工。
[0007]综上所述，有必要开发一种高基频、极小电极的滤波谐振器用电极。

技术实现思路

[0008]本技术的目的是为了克服上述
技术介绍
的不足之处，而提供一种滤波谐振器用电极。
[0009]为了实现上述目的，本技术的技术方案为：一种滤波谐振器用电极，其特征在于：包括刻蚀石英晶片、第一金属电极和第二金属电极；所述刻蚀石英晶片正反两面均有刻蚀圈；
[0010]所述第一金属电极和第二金属电极的结构相同，第一金属电极位于刻蚀石英晶片的正面，第二金属电极位于第一金属电极相对于刻蚀石英晶片中心对称处的背面；
[0011]所述第一金属电极包括第一中心部、与第一中心部一端连接的第一超出部、与第
一中心部另一端连接的第一圆弧部、与第一圆弧部连接的第一电极耳；
[0012]所述第一中心部位于刻蚀石英晶片的中心，第一电极耳位于刻蚀石英晶片的右端。
[0013]在上述技术方案中，所述第一中心部为旋转45
°
后的正方形，第一中心部的中心与刻蚀石英晶片的中心重合。
[0014]在上述技术方案中，所述第一超出部为半圆形，第一超出部的直径等于第一中心部的边长。
[0015]在上述技术方案中，所述第一圆弧部包括第一圆弧和第二圆弧，所述第一圆弧一端与第一中心部右侧的顶角连接、另一端与第一电极耳连接，所述第二圆弧一端与第一中心部右侧的底角连接、另一端与第一电极耳连接。
[0016]在上述技术方案中，所述第一电极耳为扇形，所述第一金属电极和第二金属电极呈W形布置。
[0017]在上述技术方案中，所述刻蚀石英晶片直径为4.5mm；所述刻蚀圈中心与刻蚀石英晶片中心重合，刻蚀圈直径为2.5mm，刻蚀深度为0.03mm，刻蚀宽度为0.08mm。
[0018]在上述技术方案中，所述第一中心部面积为0.1mm
×
0.1mm
‑
0.2mm
×
0.2mm。
[0019]在上述技术方案中，所述第一电极耳弧度为50
°
。
[0020]本技术与现有技术相比，具有以下优点：
[0021]1)本技术的第一金属电极和第二金属电极呈W形布置，电极的有效面积可设计至0.1mm
×
0.1mm，弥补了电极有效面积从0.01
‑
0.20mm2的设计空缺。
[0022]2)本技术的金属电极尺寸小、重合度高，对夹具精度要求低，加工难度低。
[0023]3)本技术应用于50
‑
140MHz高基频、小电极的滤波谐振器上，寄生抑制效果能达到：在0
‑
300kHz以内无寄生。
[0024]4)本技术的通过优化金属电极和第一电极耳的尺寸和形状，增加刻蚀圈上的电极覆盖面，保证了产品具有更稳定、更优良的接触电阻。
[0025]5)本技术的金属电极的有效面积为正方形，重合区域对加工精度要求不高，方便加工。
附图说明
[0026]图1为本技术的结构示意图。
[0027]图2为第一金属电极的结构示意图。
[0028]图3为刻蚀石英晶片为单开口时的结构示意图。
[0029]图4为刻蚀石英晶片为双开口时的结构示意图。
[0030]图5为刻蚀石英晶片为无开口时的结构示意图。
[0031]图6为刻蚀圈的剖视图。
[0032]图7为本技术的滤波谐振器的寄生图谱。
[0033]图8为磁铁框架的结构示意图。
[0034]图9为下电极板的结构示意图。
[0035]图10为中间板的结构示意图。
[0036]图11为上电极板的结构示意图。
[0037]图12为下电极板的掩膜孔的结构示意图。
[0038]图13为上电极板的掩膜孔的结构示意图。
[0039]其中，1
‑
刻蚀石英晶片，11
‑
刻蚀圈，2
‑
第一金属电极，21
‑
第一中心部，22
‑
第一超出部，23
‑
第一圆弧部，231
‑
第一圆弧，232
‑
第二圆弧，24
‑
第一电极耳，3
‑
第二金属电极，41
‑
磁铁框架，42
‑
下电极板，43
‑
中间板，44
‑
上电极板。
具体实施方式
[0040]下面结合附图详细说明本技术的实施情况，但它们并不构成对本技术的限定，仅作举例而已。同时通过说明使本技术的优点将变得更加清楚和容易理解。
[0041]参阅附图可知：一种滤波谐振器用电极，其特征在于：包括刻蚀石英晶片1、第一金属电极2和第二金属电极3；所述刻蚀石英晶片1正反两面均有刻蚀圈11；
[0042]所述第一金属电极2和第二金属电极3的结构相同，第一金属电极2位于刻蚀本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种滤波谐振器用电极，其特征在于：包括刻蚀石英晶片(1)、第一金属电极(2)和第二金属电极(3)；所述刻蚀石英晶片(1)正反两面均有刻蚀圈(11)；所述第一金属电极(2)和第二金属电极(3)的结构相同，第一金属电极(2)位于刻蚀石英晶片(1)的正面，第二金属电极(3)位于第一金属电极(2)相对于刻蚀石英晶片(1)中心对称处的背面；所述第一金属电极(2)包括第一中心部(21)、与第一中心部(21)一端连接的第一超出部(22)、与第一中心部(21)另一端连接的第一圆弧部(23)、与第一圆弧部(23)连接的第一电极耳(24)；所述第一中心部(21)位于刻蚀石英晶片(1)的中心，第一电极耳(24)位于刻蚀石英晶片(1)的右端。2.根据权利要求1所述的一种滤波谐振器用电极，其特征在于：所述第一中心部(21)为旋转45
°
后的正方形，第一中心部(21)的中心与刻蚀石英晶片(1)的中心重合。3.根据权利要求2所述的一种滤波谐振器用电极，其特征在于：所述第一超出部(22)为半圆形，第一超出部(22)的直径等于第一中心部(21)的边长。4.根据权利要求3所述的一种滤波谐振器...

【专利技术属性】
技术研发人员：丁子晔，吴刚，胡苗，施新荣，高天鹤，
申请(专利权)人：武汉海创电子股份有限公司，
类型：新型
国别省市：