一种SMD石英谐振器基座制造技术

技术编号:10870023 阅读:150 留言:0更新日期:2015-01-07 12:25
本实用新型专利技术公开了一种SMD石英谐振器基座,它包括基底(6),基底(6)上表面上设置有胶点PAD(7)、挡墙(2)、合金导线(3)以及合金缝焊环(5),胶点PAD(7)上点设有银胶(1),胶点PAD(7)上还设置有挡墙(2),挡墙(2)位于银胶(1)旁侧,胶点PAD(7)与合金导线(3)连接,胶点PAD(7)、挡墙(2)和合金导线(3)位于合金缝焊环(5)内,基底(6)下表面上设置有输入输出PAD(4),胶点PAD(7)与输入输出PAD(4)通过合金导线(3)相连。本实用新型专利技术的有益效果是:挡墙可以有效的改善晶片的搭载状态,使晶片的悬空端不与陶瓷基底接触,且具有良好的散热性和较高的强度。

【技术实现步骤摘要】
—种SMD石英谐振器基座
本技术涉及谐振器基座,特别是一种SMD石英谐振器基座。
技术介绍
石英晶片通过合理的搭载方式可以获得电学参数优异的石英晶体谐振器。基座对石英晶片的搭载具有重要的影响,其结构合不合理直接会影响到晶片的搭载状态以及谐振器的电阻、动态电容和拉力敏感度等电学参数。 另外随着消费电子产品的小型化,表面贴装器件的体积也逐渐缩小以适应PCB板所预留的空间。同时随着PCB板的面积减小,器件的体积也相应缩小,散热成为了一个必须考虑的因素。
技术实现思路
本技术的目的在于克服现有技术的缺点,提供一种小型化表面贴装式SMD石英谐振器基座。 本技术的目的通过以下技术方案来实现:一种SMD石英谐振器基座,它包括基底,所述的基底上表面上设置有胶点PAD、挡墙、合金导线以及合金缝焊环,所述的胶点PAD上点设有银胶,所述的胶点PAD上还设置有挡墙,挡墙位于银胶旁侧,所述的胶点PAD与合金导线连接,所述的胶点PAD、挡墙和合金导线位于合金缝焊环内,所述的基底下表面上设置有输入输出PAD,胶点PAD与输入输出PAD通过合金导线相连。 所述的基底为陶瓷材料。 所述的合金缝焊环上焊接有一盖子,、合金缝焊环以及盖子形成一个封闭的空间,并为晶片提供真空或者氮气环境。 本技术具有以下优点:本技术的挡墙可以有效的改善晶片的搭载状态,对晶片起到支架的作用,使晶片不至于受到自己身的重力作用而使晶片的悬空端与陶瓷基底接触。基座的材料由导热良好的合金环和陶瓷基底构成,散热能力和强度远远高于塑料封装。 【附图说明】 图1是本技术的俯视结构示意; 图2是本技术的仰视结构示意; 图中,1-基底,2-挡墙,3-合金导线,4-输入输出PAD,5_合金缝焊环,6_基底,7-胶点PAD。 【具体实施方式】 下面结合附图对本技术做进一步的描述,本技术的保护范围不局限于以下所述: 如图1所示,一种SMD石英谐振器基座,它包括基底6,所述的基底6上表面上设置有胶点PAD7、挡墙2、合金导线3以及合金缝焊环5,所述的胶点PAD7上点设有银胶1,所述的胶点PAD7上还设置有挡墙2,挡墙2位于银胶I旁侧,晶片的两个电极与银胶连接,然后晶片就搭载在挡墙2上面,晶片由银胶I粘附力和挡墙2的支撑力所固定,使晶片不至于受到自身的重力作用而使晶片的悬空端与陶瓷基底接触,所述的胶点PAD7与合金导线3连接,所述的胶点PAD7、挡墙2和合金导线3位于合金缝焊环5内,合金缝焊环5上焊接有一盖子,1、合金缝焊环5以及盖子形成一个封闭的空间,并为晶片提供真空或者氮气环境,如图2所示,所述的基底6下表面上设置有输入输出PAD4,,胶点PAD7与输入输出PAD4通过合金导线3相连。 在本实施例中,基座的材料由导热良好的合金环和由陶瓷材料做成的基底6构成,散热能力和强度远远高于塑料封装。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种SMD石英谐振器基座,其特征在于:它包括基底(6),所述的基底(6)上表面上设置有胶点PAD(7)、挡墙(2)、合金导线(3)以及合金缝焊环(5),所述的胶点PAD(7)上点设有银胶(1),所述的胶点PAD(7)上还设置有挡墙(2),挡墙(2)位于银胶(1)旁侧,所述的胶点PAD(7)与合金导线(3)连接,所述的胶点PAD(7)、挡墙(2)和合金导线(3)位于合金缝焊环(5)内,所述的基底(6)下表面上设置有输入输出PAD(4),胶点PAD(7)与输入输出PAD(4)通过合金导线(3)相连。

【技术特征摘要】
1.一种SMD石英谐振器基座,其特征在于:它包括基底(6),所述的基底(6)上表面上设置有胶点PAD (7)、挡墙(2)、合金导线(3)以及合金缝焊环(5),所述的胶点PAD (7)上点设有银胶(I ),所述的胶点PAD (7)上还设置有挡墙(2),挡墙(2)位于银胶(I)旁侧,所述的胶点PAD (7)与合金导线(3)连接,所述的胶点PAD (7)、挡墙(2)和合金导线(3)位于合金缝焊环(5)...

【专利技术属性】
技术研发人员:奉建华
申请(专利权)人:东晶锐康晶体成都有限公司
类型:新型
国别省市:四川;51

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