An improved line end shortening effect of the optical proximity correction method, including: according to the reported point coordinates to find the corresponding end of the line graph, find all the target line end graphics group, two lines for each target line end graphical in the group does not meet the end graphics extension direction parallel to each other and extending direction are in the same line the two conditions; the target line measuring the end itself length, two goal line ends on both sides of the length, and between the two target line end distance; according to meet the conditions of all the target line end measurement results, determine the final end of the line length, the final line ends of adjacent length and final line end to end length line spacing; finally, the final line end adjacent length and final end line spacing as selection criteria, selection of the target line end is non line graphics, select all meet the conditions of the end group, and to select The line ends of the line are cut with angle to cut off the corners of two opposite ends of the target line, and the OPC correction is performed.
【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】,包括:根据报出点地坐标找出相应的线端图形,找出所有目标线端图形组,每个目标线端图形组中的两个线端图形不满足延伸方向相互平行且延伸方向处于同一直线上的条件;量测其中的两个目标线端本身长度、两个目标线端相邻两边的长度,以及两个目标线端之间的距离;根据所有满足条件的目标线端的量测结果,确定最终线端长度、最终线端邻边长度以及最终线端间距;以最终线端长度、最终线端邻边长度以及最终线端间距作为甄选条件,对目标线端图形进行甄选,选出符合条件的所有非正对线端组,并对选出的线端图形进行切角处理,以切割掉两个非正对的目标线端的相对端两侧的角边;执行OPC修正处理。【专利说明】
本专利技术涉及半导体制造领域,更具体地说,本专利技术涉及。
技术介绍
由于光学临近效应造成的光刻图形变形或失真现象主要可以分为几类:密集图形与孤立图形尺寸差异,掩模板尺寸与晶片上图形尺寸比例非线性,拐角圆化以及线端缩短坐寸ο在基于模型的光学临近修正(Optical Proximity Correction,简称0PC)方法得到广泛应用后,一般的光学临近效应都能得到很好的补偿,使得最终在晶片上的图形能尽量接近目标图形的尺寸和形状。基于模型的OPC修正方法通过模拟不同版图在特定条件下的光刻图形,从而补偿光学临近效应引起的图形失真,并通过不断的修正和模拟得到能最接近目标图形的修正后版图。以线端缩短问题为例,一般未经修正的线端存在线端缩短以及线端变小圆化的问题,OPC修正通常把线端图形进行局部放大,并适当往外延伸线端以解决线端变短问题,延伸的量由模拟与目标的偏差决定,当模拟结果与目标偏差在 ...
【技术保护点】
一种改善线端缩短效应的光学临近修正方法,其中将光刻的模拟图形跟目标图形比较,而且在模拟检查发现线端缩短报出点后,执行如下步骤:第一步骤,用于根据报出点地坐标找出相应的线端图形,找出所有目标线端图形组,每个目标线端图形组包括两个线端图形,而且每个目标线端图形组中的两个线端图形不满足延伸方向相互平行且延伸方向处于同一直线上的条件;第二步骤,用于针对每个目标线端图形组,量测其中的两个目标线端本身长度、两个目标线端相邻两边的长度,以及两个目标线端之间的距离;第三步骤,用于根据所有满足条件的目标线端的量测结果,确定最终线端长度、最终线端邻边长度以及最终线端间距;第四步骤,用于以第三步骤确定的最终线端长度、最终线端邻边长度以及最终线端间距作为甄选条件,对目标线端图形进行甄选,选出符合条件的所有非正对线端组,并对选出的线端图形进行切角处理,以切割掉两个非正对的目标线端的相对端两侧的角边;第五步骤,用于在切角处理之后执行OPC修正处理。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:何大权,魏芳,张旭升,
申请(专利权)人:上海华力微电子有限公司,
类型:发明
国别省市:
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