【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种半导体部件,该半导体部件包括:半导体衬底;位于所述半导体衬底中的沟槽,所述沟槽由上沟槽部分和下沟槽部分构成,其中上沟槽部分比下沟槽部分窄;位于所述沟槽中的栅电极,其特征在于,所述栅电极的上表面的平面度小于或等于50nm。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:M维莱迈耶,O布兰克,
申请(专利权)人:英飞凌科技奥地利有限公司,
类型:实用新型
国别省市:
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