一种掩模板的曝光处理方法技术

本发明专利技术公开一种掩模板的曝光处理方法，包括如下步骤：S10：将贴好干膜的基板放入曝光机内的曝光基台上，通过真空气孔固定基板，使基板平整紧贴于曝光基台，选择低能量曝光值的曝光能量参数，进行曝光；S11：将曝光后的基板放入烤箱，设置烘烤温度和时间，进行烘烤；S12：烘烤结束后，进行显影工序，将未曝光的干膜显影去除。本发明专利技术采用低能量曝光加烘烤的工艺方法，有效的减少了占用曝光机的时间，防止低限能量曝光不足，可以提高生产效率，并且可以防止高限曝光产生的散光扩大造成开口变形。?

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于掩模板的制造加工
，尤其涉及。
技术介绍
掩模板的一般制程，主要是依据图形设计的需求，反复进行成膜，制版、蚀刻/电铸、褪膜、剥离等不同的模块操作，经由数个步骤后完成具有所需开口图案的掩模板。制版工序一般包括贴膜、曝光、显影等工艺。制版工序的要项为贴膜均匀度、干膜结合力、对位精度控制、线宽损失值、影响残留等。虽然制版工序的制成技术复杂，但其基本原理却简单。首先是在基板表面上覆上一层感光干膜，通过曝光机扫描曝光的方式直接将所需的开口图案转移到感光干膜上，然后将潜在图案显现出来。传统曝光工艺，是通过一道带有预定图案的光罩，对平行光进行遮挡，该光罩所形成的曝光图案就被固定下来，因为传统工艺中采用的光罩为固定的光罩，有一种图形需要曝光，就要制作一种光罩，所以，产品开发的成本会显著增加。另外，如果光罩上定义的图案有错误，该错误同样是不可修正的，这就给使用带来了极大的不便。目前一种新的曝光机及曝光工艺可以通过开口图案文件的导入，通过扫描曝光将所设计的开口图形直接在感光材料上形成开口图案。曝光的能量则直接影响着曝光的质量。一般情况干膜的可用曝光能量范围较宽，但为了增加膜层的抗蚀和抗电镀能力，往往取高限曝光为宜。其感光速度与干膜相比要慢得多，所以要使用高功率曝光机。当曝光过度时，正相导线图形易形成散光侧蚀，造成线宽减少，反之负相导线图形形成散光扩大，线宽增加。然而，使用高能量曝光时有可能存在以下问题: 1、采用高限曝光造成图形散光扩大，影响开口形状与质量； 2、米用高限曝光耗费的能量大，占用曝光机时间长，不仅影响曝光机寿命，还影响生产效率。高限曝光存在的这些问题促使业界想到采用低能量曝光，但是采用的能量过低而使曝光不足时，会使得后续电铸或蚀刻工序中膜层上出现针孔、砂眼等缺陷。故，针对上述存在的问题，有必要进行研究，提供一种方案，以解决上述现有技术中存在的缺陷。
技术实现思路
为解决上述问题，本专利技术的目的在于提供，以有效减少占用曝光机的时间，防止低限能量曝光不足，提高生产效率，且防止高限曝光产生的散光扩大造成开口变形。为实现上述目的，本专利技术的技术方案为: ，包括如下步骤: 510:将贴好干膜的基板放入曝光机内的曝光基台上，通过真空气孔固定基板，使基板平整紧贴于曝光基台，选择低能量曝光值的曝光能量参数，进行曝光； 511:将曝光后的基板放入烤箱，设置烘烤温度和时间，进行烘烤； 512:烘烤结束后，进行显影工序，将未曝光的干膜显影去除。进一步地，所述步骤SlO的曝光工序中优选扫描曝光机，通过原始文件的导入，按原始文件进行设计开口图案的曝光，直接在干膜上转移出所需开口图案。进一步地，所述步骤Sll之前还包括: 对烤箱进行预热，使其保持一个恒温的烘烤环境。进一步地，所述低能量曝光值的确定方法为:贴干膜进行24节曝光尺实验确定最适宜曝光能量范围，在此能量范围里选择最低的能量Emin作为低能量曝光值，以该值为曝光能量参数进行曝光。进一步地，所述烘烤温度与时间的确定方法为:采用Emin曝光后进行烘烤实验，通过定性试验找出烘烤的温度与时间，正交找出烘烤的最佳组合。然后，通过定量试验验证开口的质量。本专利技术掩模板的曝光处理方法采用低能量曝光加烘烤的工艺方法，有效的减少了占用曝光机的时间，防止低限能量曝光不足，可以提高生产效率，并且可以防止高限曝光产生的散光扩大造成开口变形。附图说明图1是本专利技术的方法流程图示。具体实施例方式为了使本专利技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本专利技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本专利技术，并不用于限定本专利技术。本专利技术掩模板的曝光处理方法采用低能量曝光加烘烤的组合工艺。确定适宜的低能量曝光值以及确定烘烤的温度时间，对掩模板进行低能曝光后再进行烘烤，通过适宜的低能量曝光值和烘烤温度时间的最佳组合达到开口好效率高的效果。参照图1所示，本专利技术掩模板的曝光处理方法包括如下步骤: 510:将贴好干膜的基板放入曝光机内的曝光基台上，通过真空气孔固定基板，使基板平整紧贴于曝光基台，选择低能量曝光值的曝光能量参数，进行曝光； 511:将曝光后的基板放入烤箱，设置烘烤温度和时间，进行烘烤； 512:烘烤结束后，进行显影工序，将未曝光的干膜显影去除。其中， 所述步骤SlO的曝光工序中优选扫描曝光机，通过原始文件的导入，按原始文件进行设计开口图案的曝光，直接在干膜上转移出所需开口图案。所述步骤Sll之前还包括: 对烤箱进行预热，使其保持一个恒温的烘烤环境。在本专利技术实施例中，所述低能量曝光值的确定方法为: 贴干膜进行24节曝光尺实验确定最适宜曝光能量范围，在此能量范围里选择最低的能量Emin作为低能量曝光值，以该值为曝光能量参数进行曝光。在本专利技术实施例中，所述烘烤温度与时间的确定方法为: 采用Emin曝光后进行烘烤实验，通过定性试验找出烘烤的温度与时间，正交找出烘烤的最佳组合。然后，通过定量试验验证开口的质量。采用以下方法，可以衡量能耗与效率，对比低能量曝光加烘烤与高限曝光的效果。其中，设置N轮对比实验，每轮两块板，一块按照低能量加烘烤的参数来制作并标记为A，一块按照高限曝光的参数来制作并标记为B ;其他制作参数均相同。对生产出的产品进行检测记录，并对比A、B开口质量。在能耗与效率的记录内容包括曝光机的曝光能量、曝光时间、烘烤温度、烘烤时间。根据记录计算A_、B 其中: 能耗=曝光机能耗+烘烤能耗 曝光机能耗=(曝光功率X曝光时间) 烘烤能耗Q=msnc A t, 其中，c为在温度下空气的比热容； m空气_ P空气V空气； P 为烤箱中空气的密度； Vsn为烤箱中空气的体积； At为烘烤用时； 通过计算比较A1⑶、B1⑶得出低能量曝光加烘烤的开口质量符合要求，能耗低，同时可以减少占用曝光机的时间，提闻生广效率。以上所述仅为本专利技术的较佳实施例而已，并不用以限制本专利技术，凡在本专利技术的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本专利技术的保护范围之内。权利要求1.，其特征在于，包括如下步骤: 510:将贴好干膜的基板放入曝光机内的曝光基台上，通过真空气孔固定基板，使基板平整紧贴于曝光基台，选择低能量曝光值的曝光能量参数，进行曝光； 511:将曝光后的基板放入烤箱，设置烘烤温度和时间，进行烘烤； 512:烘烤结束后，进行显影工序，将未曝光的干膜显影去除。2.如权利要求1所述的掩模板的曝光处理方法，其特征在于:所述步骤SlO的曝光工序中优选扫描曝光机，通过原始文件的导入，按原始文件进行设计开口图案的曝光，直接在干膜上转移出所需开口图案。3.如权利要求1所述的掩模板的曝光处理方法，其特征在于:所述步骤Sll之前还包括: 对烤箱进行预热，使其保持一个恒温的烘烤环境。4.如权利要求2或3所述的掩模板的曝光处理方法，其特征在于:所述低能量曝光值的确定方法为:贴干膜进行24节曝光尺实验确定最适宜曝光能量范围，在此能量范围里选择最低的能量Emin作为低能量曝光值，以该值为曝光能量参数进行曝光。5.如权利要求4所述的掩模板的曝光处理方法，其特征在于:所述烘烤温度与时间的确定方法为:采用Emin曝光后进行烘烤实验，通过本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种掩模板的曝光处理方法，其特征在于，包括如下步骤：S10：将贴好干膜的基板放入曝光机内的曝光基台上，通过真空气孔固定基板，使基板平整紧贴于曝光基台，选择低能量曝光值的曝光能量参数，进行曝光；S11：将曝光后的基板放入烤箱，设置烘烤温度和时间，进行烘烤；S12：烘烤结束后，进行显影工序，将未曝光的干膜显影去除。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：魏志凌，高小平，潘世珎，陈龙英，
申请(专利权)人：昆山允升吉光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：