易焊接掩模板制造技术

本实用新型专利技术涉及一种易焊接掩模板，在所述掩模板上设置有开口图案区域，在所述开口图案区域外围设置有半刻线，所述半刻线围成四边形区域。本实用新型专利技术在将掩模板焊接到板框上时，使焊点落入半刻槽内，以将掩模板的热变形限制在半刻线内，并位于掩模板的表面以下，不会向上凸出，从而可避免焊接后出现表面不平整现象，有效保证了焊接质量和掩模板的表面平整度。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及OLED显示及照明
，特别涉及一种易焊接掩模板。
技术介绍
有机电致发光器件，具有自发光、反应时间快、视角广、成本低、制造工艺简单、分辨率佳及高亮度等多项优点，被认为是下一代的平面显示器新兴应用技术。在OLED(Organic Light-Emitting Diode,有机电致发光二极管)技术中，真空蒸镀中的掩模板技术是一项非常重要和关键的技术，该技术的等级直接影响OLED产品的质量和制造成本。传统工艺是在掩模板上加工出开口图形区域，该开口图形区域根据显示屏的形状和大小来设置，然后将掩模板焊接到一个板框上。在焊接的过程中，尽管采用的是精度很高的激光焊接工艺，但由于掩模板表面非常平整，因此，会导致焊接后，掩模板材料为向上皱起，使掩模板表面形成一些凸起，由于OLED显示屏的加工质量对掩模板表面平整度极高，这些凸起会影响蒸镀效果，最终影响LED显示屏的质量。
技术实现思路
本技术的主要目的在于，针对上述现有技术中的不足，提供一种易焊接掩模板，可有效方便焊接，并且在焊接完成后，能保持掩模板表面平整，从而为OLED的正常生产提供可靠的保障。为实现上述专利技术目的，本技术采用以下技术方案。本实 用新型提供一种易焊接掩模板，在所述掩模板上设置有开口图案区域，在所述开口图案区域外围设置有半刻线，所述半刻线围成四边形区域。优选地，所述半刻线的深度为1(T50 u m。优选地，所述掩模板的厚度为18 ii m或30^500 U m。优选地，所述掩模板的厚度为30 ii m。优选地，所述掩模板的厚度为40 u m。优选地,所述掩模板的厚度为50 u m。优选地，所述掩模板的厚度为100 u m。相比于上述现有技术，本技术在将掩模板焊接到板框上时，使焊点落入半刻槽内，以将掩模板的热变形限制在半刻线内，并位于掩模板的表面以下，不会向上凸出，从而可避免焊接后出现表面不平整现象，有效保证了焊接质量和掩模板的表面平整度。附图说明图1是本技术实施例中易焊接掩模板的结构示意图。图2是本技术实施例中易焊接掩模板的局部剖视图。本技术目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。具体实施方式以下将结合附图及具体实施例详细说明本技术的技术方案，以便更清楚、直观地理解本技术的专利技术实质。图1是本技术实施例中易焊接掩模板的结构示意图；图2是本技术实施例中易焊接掩模板的局部剖视图。参照图1和图2所示，本实施例提供一种易焊接掩模板100，在掩模板100上设置有开口图案区域1，在开口图案区域I外围设置有半刻线2，该半刻线2围成一个四边形区域。具体地，上述开口图案区域I的图案可根据所要加工的显示屏来设置，可以是一组阵列式排列的通孔，用于蒸镀小尺寸的显示屏，也可以是一个大的通孔，用于蒸镀大尺寸的显示屏。上述半刻线2为由掩模板100表面向下蚀刻一定的深度制成，该深度值根据掩模板100的厚度而定。例如，本实施例的掩模板100的厚度为18 i! m或30飞00 y m，此时，半刻线2的深度为l(T50iim。其中，1811111、3011111、、4011111、5011111和100 y m是本实施例的掩模板100的常用厚度尺寸。本实施例采用蚀刻 工艺加工上述开口图案区域I，具体步骤为:1、清洁材料；2、丝印感光油墨；3、曝光、显影；4、蚀刻；5、脱膜。经过上述步骤，可以根据实际生产需要，加工出所需要的图案。本实施例的半刻线2设置在开口图案区域I的外围，并形成一个四边形区域，该四边形的大小依板框200的大小而定，主要用于将掩模板100焊接到板框200上。在焊接时，焊点位于半刻线2内，这样，焊接区域即使受热变形，也不会向掩模板100的表面凸出，从而有效保证了掩模板100的表面平整度，提高了蒸镀质量，使OLED显示屏的良品率大大提高。综上所述，本技术在将掩模板焊接到板框上时，使焊点落入半刻槽内，以将掩模板的热变形限制在半刻线内，并位于掩模板的表面以下，不会向上凸出，从而可避免焊接后出现表面不平整现象，有效保证了焊接质量和掩模板的表面平整度。以上所述仅为本技术的优选实施例，并非因此限制其专利范围，凡是利用本技术说明书及附图内容所作的等效结构变换，直接或间接运用在其他相关的
，均同理包括在本技术的专利保护范围内。权利要求1.一种易焊接掩模板，在所述掩模板上设置有开口图案区域，其特征在于:在所述开口图案区域外围设置有半刻线，所述半刻线围成四边形区域。2.如权利要求1所述的易焊接掩模板，其特征在于:所述半刻线的深度为l(r50i!m。3.如权利要求1所述的易焊接掩模板，其特征在于:所述掩模板的厚度为18y m或30 500 u mD4.如权利要求3所述的易焊接掩模板，其特征在于:所述掩模板的厚度为30u m。5.如权利要求3所述的易焊接掩模板，其特征在于:所述掩模板的厚度为40u m。6.如权利要求3所述的易焊接掩模板，其特征在于:所述掩模板的厚度为50u m。7.如权利要求3 所述的易焊接掩模板，其特征在于:所述掩模板的厚度为100u m。专利摘要本技术涉及一种易焊接掩模板，在所述掩模板上设置有开口图案区域，在所述开口图案区域外围设置有半刻线，所述半刻线围成四边形区域。本技术在将掩模板焊接到板框上时，使焊点落入半刻槽内，以将掩模板的热变形限制在半刻线内，并位于掩模板的表面以下，不会向上凸出，从而可避免焊接后出现表面不平整现象，有效保证了焊接质量和掩模板的表面平整度。文档编号C23C14/12GK203128640SQ201320100559公开日2013年8月14日 申请日期2013年3月6日 优先权日2013年3月6日专利技术者唐军 申请人:唐军, 钱超本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种易焊接掩模板，在所述掩模板上设置有开口图案区域，其特征在于：在所述开口图案区域外围设置有半刻线，所述半刻线围成四边形区域。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：唐军，
申请(专利权)人：唐军，钱超，
类型：实用新型
国别省市：