【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及。
技术介绍
多色有机发光设备是通过组合具有不同的发光颜色的多个有机发光元件制造而成的发光设备。此处当制造多色有机发光设备时,必需在预定区域内选择性地形成具有不同的发光颜色的多个发光层。为了在预定区域内选择性地形成发射这种预定颜色的发光层而使用了各种方法,并且使用光刻法来把发光层图案化的方法可作为这样的方法之一。在日本专利No. 3839276中提出了以下方法,其中当使用光刻法把含有发光层的有机化合物层图案化时,有机化合物层被干蚀刻以部分地除去不必要的有机化合物层。具体地,首先,第一有机化合物层的膜完全地形成于在上面第一像素电极和第二像素电极以图案形成的基板上。随后,使用光刻法为其中形成第一有机化合物层的部分提供覆盖第一有机化合物层的抗蚀剂层,并且在不覆盖有抗蚀剂层的区域内的第一有机化合物层被通过干蚀刻选择性地除去。随后,第二有机化合物层的膜完全地形成,其中形成第一有机化合物层和第二有机化合物层的部分具有通过光刻法而得的抗蚀剂层,并且在不覆盖有抗蚀剂层的区域内的第二有机化合物层被除去。最后,使用抗蚀剂剥离液把形成在抗蚀剂层上的层剥离,并且共用电极被形成在图案化的第一和第二有机化合物层上。根据上述方法,形成了通过把多个有机化合物层图案化而具有多个有机发光元件的发光设备。当根据日本专利No. 3839276中讨论的方法把有机化合物层图案化时,在某些情况下使用具有用于驱动有机发光元件的配线层和晶体管(Tr)的基板。在这种情况下,在形成像素电极等之前 ,为了把由于Tr和配线层产生的粗糙平滑化和平坦化,必需形成覆盖Tr和配线层的有机平坦化层。如果必要 ...
【技术保护点】
一种在具有有机平坦化层的基板上制造发光设备的方法,该发光设备包括多个有机发光元件,每个有机发光元件包括:包含至少发光层的有机化合物层以及把载流子提供给该有机化合物层的电极,所述方法包括:在具有有机平坦化层的基板上形成抗蚀刻保护层的步骤;在抗蚀刻保护层上形成多个电极的步骤;在具有所述多个电极的基板上形成有机化合物层的步骤;使用光刻法在形成于所述多个电极中的部分电极上的有机化合物层上形成抗蚀剂层的步骤;以及通过干蚀刻除去在不覆盖有抗蚀剂层的区域中的有机化合物层的步骤,其中,在上面执行了直到形成多个电极的步骤的各个步骤的基板上的有机平坦化层的全部表面被覆盖有抗蚀刻保护层和电极这两者中的至少一个。
【技术特征摘要】
2011.09.30 JP 2011-217662;2012.08.31 JP 2012-19171.一种在具有有机平坦化层的基板上制造发光设备的方法,该发光设备包括多个有机发光元件,每个有机发光元件包括包含至少发光层的有机化合物层以及把载流子提供给该有机化合物层的电极,所述方法包括 在具有有机平坦化层的基板上形成抗蚀刻保护层的步骤; 在抗蚀刻保护层上形成多个电极的步骤; 在具有所述多个电极的基板上形成有机化合物层的步骤; 使用光刻法在形成于所述多个电极中的部分电极上的有机化合物层上形成抗蚀剂层的步骤;以及 通过干蚀刻除去在不覆盖有抗蚀剂层的区域中的有机化合物层的步骤, 其中,在上面执行了直到形成多个电极的步骤的各个步骤的基板上的有机平坦化层的全部表面被覆盖有抗蚀刻保护层和电极这两者中的至少一个。2.根据权利要求1的方法,其中,抗蚀刻保护层由蚀刻率小于在通过干蚀刻除去有机化合物层的步骤中的有机化合物层的蚀刻率的材料形成。3.根据权利要求1的方法,其中,抗蚀刻保护层由绝缘无机材料形成。4.根据权利要求3的方法,其中,抗蚀刻保护层由氮化硅或氧化硅形成。5.根据权利要求1的方法,还包括在形成抗蚀刻保护层的步骤之前把有机平坦化层脱水的步骤。6.根据权利要求1的方法,还包括 在形成抗蚀刻保护层的步骤之后并且在形成多个电极的步骤之前,在有机平坦化层和抗蚀刻保护层中形成接触孔的步骤;以及 在形成接触孔的步骤之后并且在形成多个电极的步骤之前,把有机平坦化层脱水的步骤。7.根据权利要求1的方法,其中,使用光刻法形成抗蚀剂层的步骤包括在有机化合物层上形成保护层的步骤以及在保护层上形成抗蚀剂层的步骤,以及 其中,通过干蚀刻除去有机化合物层的步骤包括除去不具有抗蚀剂层的区域中的保护层的步骤。8.根据权利要求7的方法,其中,保护层是这样的层在该层中从有机化合物层的一侧层叠由水溶性聚合物材料组成的层以及由无机材料组成的层。9.一种在具有有机平坦化层的基板上制造发光设备的方法,该发光设备包括多个有机发光元件,每个有机发光元件包括包含至少发光层的有机化合物层以及把载流子提供给该有机化合物层的电极,所述方法包括 在具有有机平坦化层的基板上形成多个电极的步骤; 形成覆盖多个电极的边缘的有机像素分离膜的步骤; 在有机像素分离膜和有机平坦化层上形成抗蚀刻保护层的步骤; 在多个电极上形成有机化合物层的步骤; 使用光刻法在形成于多个电极中的部分电极上的有机化合物层上形成抗蚀剂层的步骤;以及 通过干蚀刻除去在不覆盖有抗蚀剂层的区域中的有机化合物层的步骤, 其中,在上面执行了直到形成抗蚀刻保护层的步骤的各个步骤的基板上的有机平坦化层和有机像素分离膜的全部表面被覆盖有抗蚀刻保护层和电极这两者中的至少一个。10.根据权利要求9的方法,其中,抗蚀刻保护层由蚀刻率小于在通过干蚀刻除去有机化合物层的步骤中的有机化合物层的蚀刻率的材料形成。11.根据权利要求9的方法,其中,抗蚀刻保护层由绝缘无机材料形成。12.根据权利要求11的方法,其中,抗蚀刻保护层由氮化硅或氧化硅...
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