【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种。技术背景在许多功率半导体设置中,所述设置的内部和外部电连接是使用导电接触引脚实现的。然而,将这样的接触引脚电连接到所述设置的电路载体非常麻烦,并且常常需要人工工作。在生产功率半导体模块包装中,包装成本是商业成功的关键因素。从所述模块内部到模块外部的PCB (印刷电路板)的互连在该成本方面起到重要作用。因此,例如在US 6,483,128 B2中描述的“引脚铆接(pin_rivet)”工艺当前对于这样的包装是非常重要的, 其允许按照自动化方式将引脚放置在基板上的任何位置。在传统的生产工艺中,至少一个半导体芯片和至少一个铆钉被拾取和放置到焊膏上,所述焊膏被施加到基板的金属化上。 随后,在常见的焊接步骤中将所述至少一个半导体芯片和至少一个铆钉焊接到所述金属化,其中焊料首先被熔融并且随后被冷却到其熔点以下。随后将引脚插入到焊接的铆钉中。 然而,诸如烧结或扩散焊接之类的新的连接技术对于将半导体芯片结合到基板的金属化是有价值的,但是对于将铆钉结合到基板的金属化则不具有吸引力,这是因为铆钉可能由于烧结所需的高压而被压坏并且因为扩散焊接通常是无糊膏工艺。为了继续已知的铆钉将需要在芯片组装之后选择性地配发焊膏以及第二焊料-熔炉(solder-furnace)步骤,这被认为变得过于昂贵。因此需要一种用于生产功率半导体设置的改进方法。
技术实现思路
根据的一个实施例,提供具有平面顶侧的电介质绝缘载体以及在所述平面顶侧上设置的顶侧金属化层。还提供至少一个半导体芯片以及每个包括第一末端和相对的第二末端的多个即N ^ I个导电接触引脚。所述半导体芯片和顶部金属化 ...
【技术保护点】
一种用于生产功率半导体设置的方法,包括:提供具有平面顶侧的电介质绝缘载体和在所述平面顶侧上设置的顶部金属化层;提供半导体芯片;通过半导体芯片与顶部金属化层之间的连接层将半导体芯片与顶部金属化层结合,所述连接层是通过扩散焊接或通过烧结而产生的;提供每个包括第一末端的多个即N≥1个导电接触引脚;以及对于每一个接触引脚在顶部金属化层与第一末端之间形成导电连接,其中接触引脚的导电连接材料与顶部金属化层的材料直接物理接触。
【技术特征摘要】
2011.09.29 US 13/248,3111.一种用于生产功率半导体设置的方法,包括 提供具有平面顶侧的电介质绝缘载体和在所述平面顶侧上设置的顶部金属化层; 提供半导体芯片; 通过半导体芯片与顶部金属化层之间的连接层将半导体芯片与顶部金属化层结合,所述连接层是通过扩散焊接或通过烧结而产生的; 提供每个包括第一末端的多个即N ^ I个导电接触引脚;以及对于每一个接触引脚在顶部金属化层与第一末端之间形成导电连接,其中接触引脚的导电连接材料与顶部金属化层的材料直接物理接触。2.如权利要求1所述的方法,其中所述顶侧金属化具有以下各项之一或二者 至少100 μ m的厚度; 小于或等于2mm的厚度。3.如权利要求1所述的方法,其中一个或更多或所有接触引脚与顶部金属化层之间的导电连接是熔接连接。4.如权利要求1所述的方法,其中一个或更多或所有接触引脚与顶部金属化层之间的导电连接是通过以下各项之一产生的 激光或电子束熔接; 电阻熔接; 旋转熔接; 摩擦熔接; 线性或扭转超声熔接;以及 球焊。5.如权利要求1所述的方法,其中一个或更多或所有接触引脚的第一末端和顶部金属化层被形成为凸缘。6.如权利要求1所述的方法,其中一个或更多或所有接触引脚包括具有矩形或圆形外周的轴杆。7.如权利要求1所述的方法,其中一个或更多或所有接触引脚包括实心轴杆。8.如权利要求1所述的方法,其中一个或更多或所有接触引脚包括中空轴杆。9.如权利要求8所述的方法,其中 一个或更多或所有接触引脚在对应的第二末端处包括开口 ;并且对应的接触引脚与顶部金属化层之间的熔接连接是通过射束熔接方法产生的,其中熔接射束进入所述开口并且延伸穿过所述中空轴杆一直到第一末端。10.如权利要求9所述的方法,其中对应的接触引脚的中空轴杆包括与第一和第二末端远离间隔且限定所述中空轴杆内部的狭窄通道的第一引脚孔洞。11.如权利要求1所述的方法,其中一个或更多或所有接触引脚的第二末端被形成为以下各项之一 分叉的末端; 机械补偿元件; 笔直末端;以及 公或母压合连接器。12.如权利要求1所述的方法,其中一个或更多或所有接触引脚与顶部金属化层之间的熔接连接是以下各项中的至少一个 无焊料; 无粘合剂;以及 无烧结连接层。13.如权利要求1所述的方法,其中一个或更多或所有接触引脚由铜制成或者包括按重量计至少90%铜,或者由招制成或者包括按重量计至少90%招。14.如权利要求1所述的方法,其中顶侧金属化由铜制成或者包括按重量计...
【专利技术属性】
技术研发人员:K古特,T施托尔策,G施特罗特曼,
申请(专利权)人:英飞凌科技股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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