【技术实现步骤摘要】
一种机械式导气扁管及其预处理方法
[0001]本专利技术涉及气相沉积设备零件
,具体而言,涉及一种机械式导气扁管及其预处理方法
。
技术介绍
[0002]化学气相沉积工艺
(CVD)
是芯片制造的重要环节,工艺原理是由化学气源在高温真空状态下发生热分解或化学还原反应,在晶圆表面生长出特定成分组成的薄膜
。CVD
立式炉中需要使用导气管将工艺气体输送至管腔内,目前在8寸和
12
寸芯片制程工艺中,使用较多的导气管是石英圆管,但是由于导气管基材和沉积薄膜膨胀系数存在较大差异,石英管沉积厚度较小且容易引起基材开裂,因此设备维护保养频率很高
。
随着半导体硅材料的技术发展,多晶硅料也被用来制作
CVD
工艺设备导气管,多晶硅材质由于材料的特殊性,可以拥有和沉积薄膜相近机械和热性能,因此具有较高的沉积厚度上限,可达到毫米级别
。
[0003]目前多晶硅管大多是硅质圆管结构,采用一体式打孔技术或者由分段打孔的节管拼接而成
。
由于其导气管长度较大且管内径较小
(
一般在4‑
8mm)
,使用过程中薄膜沉积在管内壁,对管径改变程度较大,气流流速和压力存在边际变动,造成炉体内工艺不稳定
。
同时由于管体的超高的长径比
(>100)
,管深太大,加工过程中无法有效的对管内壁进行物理和化学处理,造成管内壁存在机械损伤和污染残留
...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.
一种机械式导气扁管,其特征在于,包括:管体,所述管体由第一半管件
(1)
和第二半管件
(2)
拼接而成,所述第一半管件
(1)
设有第一导气槽
(11)
,所述第二半管件
(2)
设有第二导气槽
(21)
,所述第一导气槽
(11)
和所述第二导气槽
(21)
组成一端开口的导气腔体
(5)
,所述导气腔体
(5)
的横截面为圆角矩形,所述第一半管件
(1)
上设有多个导气孔
(12)
,所述第一半管件
(1)
靠近开口端部位的壁厚减薄形成第一插入部
(16)
,所述第二半管件
(2)
靠近开口端部位的壁厚减薄形成第二插入部
(25)
,所述第一插入部
(16)
与所述第二插入部
(25)
组成插头部;管头
(3)
,包括相连的装配部
(31)
和进气管
(36)
,所述装配部
(31)
朝向所述管体的一端设有装配槽
(32)
,所述插头部进入所述装配槽
(32)
,所述进气管
(36)
具有横截面为圆形的进气通道
(39)
,所述导气腔体
(5)
的横截面面积大于所述进气通道
(39)
的横截面面积,所述装配部
(31)
内设有过渡通道
(35)
,所述过渡通道
(35)
连通所述进气通道
(39)
和所述导气腔体
(5)
;所述管头
(3)、
所述第一半管件
(1)
和所述第二半管件
(2)
均为硅材质的一体成型部件
。2.
根据权利要求1所述的机械式导气扁管,其特征在于,所述第二半管件
(2)
的两个侧壁的表面设有朝向所述第一半管件
(1)
凸起的导条
(22)
,所述导条
(22)
的外侧壁面上设有滑轨
(23)
,所述第一半管件
(1)
的两侧壁上设有与所述导条
(22)
匹配的导槽
(13)
,所述导槽
(13)
的壁面上设有与所述滑轨
(23)
匹配的滑槽
(14)
,所述滑轨
(23)
滑动设置在所述滑槽
(14)
中,所述导条
(22)
和所述导槽
(13)
间隙配合,所述滑轨
(23)
与所述滑槽
(14)
间隙配合
。3.
根据权利要求2所述的机械式导气扁管,其特征在于,所述滑轨
(23)
的外表面为圆弧面,所述滑轨
(23)
的凸起高度为所述导条
(22)
壁厚的
1/4
‑
1/3。4.
根据权利要求2所述的机械式导气扁管,其特征在于,所述第二半管件
(2)
的远离开口一端的表面设有朝向所述第一半管件...
【专利技术属性】
技术研发人员:韩颖超,马志杰,范荣,李士昌,
申请(专利权)人:盛吉盛精密技术宁波有限公司,
类型:发明
国别省市:
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