【技术实现步骤摘要】
一种沟槽型碳化硅MOSFET及其制作工艺
[0001]本专利技术涉及半导体器件
,更具体地说,本专利技术涉及一种沟槽型碳化硅
MOSFET
及其制作工艺
。
技术介绍
[0002]沟槽型
MOSFET
作为一种垂直结构器件,拥有开关速度快
、
频率性能好
、
输入阻抗高
、
驱动功率小
、
温度特性好
、
无二次击穿问题等优点,已经在稳压器
、
电源管理模块
、
机电控制
、
显示控制
、
汽车电子等领域得到了广泛的应用
。MOSFET
的源极和漏极之间存在电路通道,随着漏极端子的电压的增加, MOSFET
的漏极和基板的耗尽区会因为反向偏置而增加,从而导致电路通道宽度减小,限制电荷流动,进而导致电流减小,直至达到饱和电流,通常我们采用调整阈值电压的方式,增加电路通道的宽度,进而调整通过电路通道的饱和电流大小
。
但是这样需要栅极端子的电源可控才行,如何在不调整阈值电压的情况下获得更大的饱和电流,并且生产能满足该条件的
MOSFET
是本专利技术要解决的技术问题
。
因此,有必要提出一种沟槽型碳化硅
MOSFET
及其制作工艺,以至少部分地解决现有技术中存在的问题
。
技术实现思路
[0003]在
技术实现思路
部分中引入了 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.
一种沟槽型碳化硅
MOSFET
,其特征在于,包括:基板(1),所述基板(1)的顶部设置有用于安装源极端子(2)的源极沟槽(
11
),和用于安装漏极端子(3)的漏极沟槽(
12
),所述源极端子(2)的顶部通过栅极端子(4)与所述漏极端子(3)的顶部,所述基板(1)的底部设置有主体端子(5),当
MOSFET
为耗尽型时,所述基板(1)的顶部还设置有填充导电介质的导电沟,所述源极沟槽(
11
)和所述漏极沟槽(
12
)通过所述导电沟连通,所述栅极端子(4)与所述源极端子(2)
、
所述漏极端子(3)均与所述导电沟连接;当
MOSFET
为增强型时,所述源极沟槽(
11
)和所述漏极沟槽(
12
)之间被所述基板(1)隔开,所述源极端子(2)通过所述栅极端子(4)与所述漏极端子(3)连接;所述源极沟槽(
11
)和所述漏极沟槽(
12
)上均设置有外延区域
。2.
根据权利要求1所述的沟槽型碳化硅
MOSFET
,其特征在于,所述源极沟槽(
11
)为竖直槽,所述源极沟槽(
11
)靠近所述漏极沟槽(
12
)的侧壁上设置有外延区域,所述外延区域由所述源极沟槽(
11
)向所述漏极沟槽(
12
)方向延伸
。3.
根据权利要求1所述的沟槽型碳化硅
MOSFET
,其特征在于,所述漏极沟槽(
12
)为竖直槽,所述漏极沟槽(
12
)靠近所述源极沟槽(
11
)的侧壁上设置有外延区域,所述外延区域由所述漏极沟槽(
12
)向所述源极沟槽(
11
)方向延伸
。4.
根据权利要求1所述的沟槽型碳化硅
MOSFET
,其特征在于,所述源极端子(2)和所述漏极端子(3)之间设置有介电层(6),所述栅极端子(4)设置在所述介电层(6)的上方
。5.
一种如权利要求1‑4任意一项所述的沟槽型碳化硅
MOSFET
的制作工艺,其特征在于,步骤如下:
S1
:通过湿法刻蚀设备,对涂胶后的基板(1)进行刻蚀,形成源极沟槽(
11
)和漏极沟槽(
12
);
S2
:将湿法刻蚀后的基板(1)放在干法刻蚀设备内,并通过夹持在基板(1)上的定位组件(8)与干法刻蚀设备内的固定组件(9)连接
、
定位;
S3
:通过干法刻蚀设备对源极沟槽(
11
)和漏极沟槽(
12
)进行再加工,形成带有外延区域的源极沟槽(
11
)和带有外延区域的漏极沟槽(
12
);
S4
:向源极沟槽(
11
)...
【专利技术属性】
技术研发人员:李伟,高苗苗,
申请(专利权)人:深圳市冠禹半导体有限公司,
类型:发明
国别省市:
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