【技术实现步骤摘要】
便于调节阈值电压的PLDMOS结构
[0001]本专利技术涉及半导体
，特别是涉及一种便于调节阈值电压的
PLDMOS
结构
。
技术介绍
[0002]传统
PLDMOS
的沟道通常位于靠近源区的一端，阈值电压的调节通常是通过
N
阱离子注入进行，当有多种高压器件共用一个
N
阱的时候，阈值电压的调节就变得很难进行
。
[0003]为解决上述问题，需要提出一种新型的便于调节阈值电压的
PLDMOS
结构
。
技术实现思路
[0004]鉴于以上所述现有技术的缺点，本专利技术的目的在于提供一种便于调节阈值电压的
PLDMOS
结构，用于解决现有技术中
PLDMOS
的沟道通常位于靠近源区的一端，阈值电压的调节通常是通过
N
阱离子注入进行，当有多种高压器件共用一个
N
阱的时候，阈值电压的调节就变得很难进行的问题
。
[0005]为实现上述目的及其他相关目的，本专利技术提供一种便于调节阈值电压的
PLDMOS
结构，包括：
[0006]P
型外延层；
[0007]沟道区，由形成于所述
P
型外延层中的
N
阱组成；
[0008]漂移区，所述漂移区由多个器件共用，所述漂移区为目标关键尺寸，所述漂移区的组成部分包括形成于所述
P...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.
一种便于调节阈值电压的
PLDMOS
结构，其特征在于，包括：
P
型外延层；沟道区，由形成于所述
P
型外延层中的
N
阱组成；漂移区，所述漂移区由多个器件共用，所述漂移区为目标关键尺寸，所述漂移区的组成部分包括形成于所述
P
型外延层中的
P
阱，所述漂移区上形成有第一场氧化层，所述第一场氧化层的一侧边缘和所述沟道区之间具有横向距离；所述
P
阱形成于所述沟道区的边缘处，且在所述
P
阱和所述沟道区之间的所述
P
型外延层表面形成有栅极介质层，所述栅极介质层的一侧边缘和所述
P
阱对准，所述栅极介质层的另一侧边缘与所述第一场氧化层的边缘对准；在所述沟道区的表面上形成有多晶硅栅，所述多晶硅栅的一侧横向延伸越过所述沟道区，所述多晶硅栅的另一侧横向延伸到所述浅沟槽的表面上；源区，由形成于所述
N
阱表面中
P+
区组成，所述源区和所述多晶硅栅靠近所述沟道区的一侧自对准；漏区，由形成于所述
P
阱表面中的
P+
区组成，所述漏区和所述第一场氧化层的边缘对准接触；通过设置所述漂移区为目标关键尺寸来调节所述栅极介质层的厚度
。2.
根据权利要求1所述的便于调节阈值电压的
PLDMOS
结构，其特征在于：所述栅极介质层靠近所述沟槽区的部分为鸟嘴状结构
。3.
根据权利要求1所述的便于调节阈值电压的
PLDMOS
结构，其特征在于：所述栅极介质层的材料为二氧化硅
。4.
根据权利要求1所述的便于调节阈值电压的
...
【专利技术属性】
技术研发人员：王晓日，刘晨晨，
申请(专利权)人：华虹半导体无锡有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。