【技术实现步骤摘要】
集成组件和形成集成组件的方法
[0001]形成集成组件(例如,集成存储器装置)的方法。集成组件。
技术介绍
[0002]存储器为电子系统提供数据存储。快闪存储器是一种类型的存储器,且大量用于现代计算机和装置中。举例来说,现代个人计算机可使BIOS存储在快闪存储器芯片上。作为另一实例,越来越常见的是,计算机和其它装置利用呈固态驱动器的快闪存储器替代传统的硬盘驱动器。作为又一实例,快闪存储器在无线电子装置中普及,这是因为快闪存储器使制造商能够在新的通信协议变得标准化时支持所述新的通信协议,且使制造商能够提供针对增强特征远程升级装置的能力。
[0003]NAND可以是快闪存储器的基本架构,且可配置成包括竖直堆叠的存储器单元。
[0004]在具体地描述NAND之前,更一般地描述集成布置内的存储器阵列的关系可能是有帮助的。图1示出包含以下各项的现有技术装置1000的框图:存储器阵列1002,其具有布置成行和列的多个存储器单元1003;以及存取线1004(例如,用以传导信号WL0到WLm的字线);以及第一数据线1006(例如,用以传导信号BL0到BLn的位线)。存取线1004和第一数据线1006可用于将信息传送到存储器单元1003且从所述存储器单元1003传送信息。行解码器1007和列解码器1008解码地址线1009上的地址信号A0到AX以确定待存取存储器单元1003中的哪些存储器单元。感测放大器电路1015操作以确定从存储器单元1003读取的信息的值。I/O电路1017在存储器阵列1002与输入/输出(I/O) ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种形成集成组件的方法,其包括:在导电结构上方形成横向交替的第一条带和第二条带,所述第一条带包括第一牺牲材料且所述第二条带包括第二牺牲材料;在所述条带上方形成竖直交替的第一层级和绝缘第二层级的堆叠,所述第一层级包括第一材料且所述绝缘第二层级包括绝缘第二材料;使开口形成为延伸穿过所述堆叠且穿过所述条带中的至少一些;在所述开口内形成单元材料柱;使狭缝形成为延伸穿过所述堆叠且穿过所述条带,所述条带沿着第一方向延伸,且所述狭缝沿着与所述第一方向交叉的第二方向延伸;用第一导电材料替换所述第一牺牲材料,且接着用第二导电材料替换所述第二牺牲材料;以及用第三导电材料替换所述堆叠的所述第一材料中的至少一些,由此使所述堆叠形成为包括与所述绝缘第二层级竖直交替的导电第一层级。2.根据权利要求1所述的方法,其中所述第一牺牲材料和所述第二牺牲材料中的一个包括氮化硅,且另一个包括二氧化硅。3.根据权利要求1所述的方法,其中所述第一条带和所述第二条带具有彼此大致相同的横向厚度。4.根据权利要求1所述的方法,其中所述第一条带和所述第二条带具有相对于彼此不同的横向厚度。5.根据权利要求1所述的方法,其进一步包括在所述狭缝内形成绝缘板条。6.根据权利要求1所述的方法,其中所述第一导电材料和所述第二导电材料包括导电掺杂半导体材料。7.根据权利要求1所述的方法,其中所述第一导电材料和所述第二导电材料包括导电掺杂硅。8.根据权利要求1所述的方法,其中所述第一导电材料和所述第二导电材料包括用一或多个n型掺杂剂掺杂的硅。9.根据权利要求1所述的方法,其中所述第一导电材料和所述第二导电材料具有相对于彼此不同的组合物。10.根据权利要求1所述的方法,其中所述第一导电材料和所述第二导电材料具有彼此基本上相同的组合物且沿着缝隙彼此接合。11.根据权利要求1所述的方法,其进一步包括在形成所述交替条带之前在所述导电结构上方形成第一层,且在形成所述堆叠之前在所述交替条带上方形成第二层。12.根据权利要求11所述的方法,其中所述第一层和所述第二层中的至少一个包括重掺杂半导体材料。13.根据权利要求11所述的方法,其中所述第一层为导电的,且其中所述第二层为电绝缘的。14.根据权利要求1所述的方法,其中所述单元材料柱包含沟道材料柱;其中所述第一导电材料和所述第二导电材料包括重掺杂半导体材料且形成为直接抵靠所述沟道材料柱;且所述方法进一步包括从所述重掺杂半导体材料到所述沟道材料柱中的向外扩散掺杂剂,
所述向外扩散掺杂剂向上延伸到所述堆叠的所述第一层级中的至少一个。15.根据权利要求14所述的方法,其进一步包括使源极选择装置形成为包括所述第一层级中的所述至少一个。16.根据权利要求1所述的方法,其进一步包括沿着所述导电第一层级形成存储器单元,其中所述存储器单元包括所述单元材料柱的区;其中所述集成组件包含包括所述存储器单元的存储器装置;且其中所述第一导电材料和所述第二导电材料以及所述导电结构一起形成所述存储器装置的源极结构的至少一部分。17.一种集成组件,其包括:导电阔区;交替的第一结构和第二结构,其处于所述导电阔区上方,所述第一结构和所述第二结构沿着第一水平方向延伸且沿着第二水平方向彼此交替,所述第一结构与所述第二结构之间的界面为能够检测到的边界区;堆叠,其处于所述交替结构上方且包括沿着竖直方向与绝缘第二层级交替的导电第一层级;单元材料柱,其穿过所述堆叠且穿过所述结构延伸到所述导电阔区;以及存储器单元,其沿着所述导电第一层级且包括所述单元材料柱的区。18.根据权利要求17所述的集成组件,其中所述第一结构和所述第二结构具有彼此大致相同的横向厚度。19.根据权利要求17所述的集成组件,其中所述第一结构和所述第二结构具有相对于彼此不同的横向厚度。...
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