【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及用于加工半导体器件的技术,尤其涉及用于通过载体结构向半导体器件提供电学连接的技术。
技术介绍
在半导体器件(如BGA器件)的加工和封装中,集成电路器件(如半导体晶圆或芯片)通常被安装在多层印刷电路板的上表面,其中,印刷电路板包括从该印刷电路板的上表面穿通到印刷电路板下表面的电镀过孔(via)。焊料球与印刷电路板下表面的电镀过孔的接触垫电学相连(如采用焊料回流工艺)。导线接合将(1)印刷电路板上表面的电镀过孔的接触垫与(2)集成电路器件的一部分(如集成电路器件上的接触垫)导电性地连接起来。因此,通过印刷电路板上的电镀过孔,集成电路器件的接触垫可与焊料球电连接。不幸地是,这种传统的集成电路器件的加工和封装花费巨大且加工复杂。不仅如此,由于这些复杂的加工和材料组合,电性能经常会受到影响。例如,用于支持集成电路器件的多层印刷电路板趋于昂贵。同样地,焊料球材料和相关的回流工艺也趋于昂贵。因此,需要提供一种半导体/集成电路器件的加工方法,该方法能克服上述的一种或多种缺点。
技术实现思路
根据本专利技术的一个示例实施例,提供了一种半导体器件的加工方法。该方法包括提供一种由载体结构(carrier structure)支持的半导体器件。该载体结构限定从与半导体器件相邻的载体结构的第一表面到载体结构的第二表面的多个过孔。该方法还包括将导体穿过一个过孔,使得导体的第一端至少部分地延伸到第二表面下。该方法还包括将该导体的另一部分与半导体器件的一部分电连接。根据本专利技术的另一示例实施例,提供了一种半导体器件。该半导体器件包括由载体结构支持的集成电路器件。该载体结构 ...
【技术保护点】
一种加工半导体器件的方法,所述方法包括下列步骤:提供由载体结构支持的半导体器件,该载体结构限定从与所述半导体器件相邻的该载体结构的第一表面到该载体结构的第二表面的多个过孔;将导体延伸穿过一个所述过孔,使得该导体的第一端至少部 分地延伸到该第二表面下;以及将该导体的另一部分与该半导体器件的一部分电连接。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】US 2004-5-12 60/570,704;US 2005-3-9 60/660,4861.一种加工半导体器件的方法,所述方法包括下列步骤提供由载体结构支持的半导体器件,该载体结构限定从与所述半导体器件相邻的该载体结构的第一表面到该载体结构的第二表面的多个过孔;将导体延伸穿过一个所述过孔,使得该导体的第一端至少部分地延伸到该第二表面下;以及将该导体的另一部分与该半导体器件的一部分电连接。2.如权利要求1所述的方法,进一步包括下面步骤在延伸步骤后,在所述导体的第一端形成无空气球,以及将所述无空气球至少部分地拉动至与所述第二表面相接触。3.如权利要求2所述的方法,其中,所述拉动步骤包括在该拉动步骤期间对所述无空气球加热。4.如权利要求2所述的方法,其中,所述电连接步骤包括将所述导体的第二端导线接合到所述半导体器件的接触垫上。5.如权利要求2所述的方法,其中,所述拉动步骤包括将与所述无空气球接触的所述载体结构的一部分熔化,使得所述无空气球被固定到所述载体结构上。6.如权利要求2所述的方法,其中,所述拉动步骤包括将所述无空气球与所述载体结构粘合连接。7.如权利要求2所述的方法,其中,所述拉动步骤包括将所述无空气球部至少分地拉动至与所述第二表面相邻的孔径中的一个内,与所述第二表面相邻的该孔径是楔形的,并在所述楔形孔径处将所述无空气球与所述载体结构粘合连接。8.如权利要求4所述的方法,进一步包括下面步骤将另一导体延伸穿过另一所述过孔,使得所述另一导体的第一端至少部分地延伸到所述第二表面下;在所述延伸步骤后,在所述另一导体的所述第一端形成另一无空气球,并将所述另一无空气球至少部分地拉动至与所述第二表面相接触;以及将所述另一导体的第二端导线接合到所述半导体器件的一部分,使得在对所述另一导体的第二端进行导线接合的步骤中形成的导线环至少部分地位于在对所述导体的第二端进行导线接合的步骤中形成的另一导线环之上。9.如权利要求4所述的方法,进一步包括下面步骤在所述电连接步骤后封装所述半导体器件和所述导体。10.如权利要求1所述的方法,其中所述提供步骤包括在所述载体结构上提供多个所述半导体器件,并进一步包括在所述电连接步骤后将所述载体结构分隔成多个半导体器件的步骤。11.一种半导体器件包括由载体结构支持的集成电路器件,所述载体结构定义从与所述集成电路器件相邻的载体结构的第一表面到所述载体结构的第二表面的多个过孔;以及多个导体,每个所述导体延伸穿过一个所述过孔,使得每个导体的第一端至少部分地延伸到所述第二表面下,且每个导体的另一部分与所述集成电路器件的一部分电连接。12.如权利要求11所述的半导体器件,其中,至少所述导体的至少一部分包括形成在所述第一端的固化无空气球,所述固化无空气球至少部分地与所述第二表面相接触。13.如权利要求12所述的半导体器件,其中,所述导体的所述部分的第二端被导线接合到所述集成电路器件的各个接触垫。14.如权利要求13所述的半导体器件,其中,所述导体的至少一个被导线接合到所述集成电路器件的各...
【专利技术属性】
技术研发人员:戴维T贝特松,林智民,
申请(专利权)人:库利克和索夫工业公司,
类型:发明
国别省市:US[美国]
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