发光二极管封装结构制造技术

一种发光二极管封装结构包含基板、至少一微型发光二极管芯片、黑色材料层以及透光材料层。基板具有宽度介于100微米至1000微米。至少一微型发光二极管芯片电性连接至基板的上表面，微型发光二极管芯片具有宽度介于1微米至100微米。黑色材料层覆盖基板的上表面，且裸露微型发光二极管芯片。透光材料层覆盖微型发光二极管芯片与黑色材料层。

【技术实现步骤摘要】
发光二极管封装结构
本专利技术是关于一种发光二极管封装结构。
技术介绍
使用红色、绿色和蓝色发光二极管阵列作为显示器的发光像素已是众所周知的应用。这样的发光二极管显示器提供的光的亮度高于背光型液晶显示器的亮度，并且被广泛的应用于大型数字看牌和其他应用。这种发光二极管显示器需具有高对比度，但是外部光的反射可能导致错误照明并降低环境中的对比度。因此，一种能提供更高的亮度和更高的对比度发光二极管显示器是目前的市场需求。
技术实现思路
本专利技术提出一种创新的发光二极管封装结构，借以解决先前技术的问题。于本专利技术的一实施例中，一种发光二极管封装结构包含基板、至少一微型发光二极管芯片、黑色材料层以及透光材料层。基板具有宽度介于100微米至1000微米。微型发光二极管芯片电性连接至基板的上表面，微型发光二极管芯片具有宽度介于1微米至100微米。黑色材料层覆盖基板的上表面，且裸露微型发光二极管芯片。透光材料层覆盖微型发光二极管芯片与黑色材料层。于本专利技术的一实施例中，至少一微型发光二极管芯片具有厚度小于10微米。于本专利技术的一实施例中，黑色材料层包含光反射率小于10％的黑色光阻层。于本专利技术的一实施例中，微型发光二极管芯片与该黑色材料层具有相同的厚度。于本专利技术的一实施例中，微型发光二极管芯片的发光表面具有第一表面积，该基板的该上表面具有第二表面积，该第一表面积与该第二表面积的面积比小于或等于5％。于本专利技术的一实施例中，透光材料层具有厚度小于100微米。于本专利技术的一实施例中，基板的宽度与透光材料层的厚度的比值大于或等于4。于本专利技术的一实施例中，透光材料层具有透光率大于或等于90％、92％或95％。于本专利技术的一实施例中，透光材料层具有顶部纹理表面。于本专利技术的一实施例中，桥接元件均表面粘着至电性载板。于本专利技术的一实施例中，微型发光二极管芯片包含第一半导体层、发光层、第二半导体层以及支撑断点。第一半导体层具有裸露在外的发光表面，且发光表面具有粗糙的纹理。发光层位于第一半导体层上。第二半导体层位于发光层上，其中第二半导体层与第一半导体层是不同类型的半导体层。支撑断点位于发光表面。于本专利技术的一实施例中，透光材料层是透明介电层或透明树脂层。于本专利技术的一实施例中，一种发光二极管封装结构包含基板、至少一微型发光二极管芯片以及透光材料层。基板具有宽度。微型发光二极管芯片电性连接至基板的上表面。透光材料层覆盖微型发光二极管芯片，且透光材料层具有厚度，其中基板的宽度与透光材料层的厚度的比值大于或等于4。于本专利技术的一实施例中，发光二极管封装结构还包含黑色材料层，其覆盖基板的上表面，且裸露微型发光二极管芯片。于本专利技术的一实施例中，微型发光二极管芯片具有厚度小于10微米，且透光材料层具有厚度小于100微米。于本专利技术的一实施例中，基板的宽度介于400微米至1000微米。于本专利技术的一实施例中，黑色材料层包含光反射率小于10％的黑色光阻层。于本专利技术的一实施例中，透光材料层是透明介电层或透明树脂层。于本专利技术的一实施例中，透明介电层包含氧化硅(SiO2)、氧化铝(Al2O3)、TiO2(氧化钛)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)、氧化锆(ZrO2)、氧化钇(Y2O3)、氟化镁(MgF2)或氮化硅(Si3N4)。于本专利技术的一实施例中，透明介电层通过化学气相沉积或原子层沉积工艺形成。于本专利技术的一实施例中，微型发光二极管芯片包含第一半导体层、发光层、第二半导体层以及支撑断点。第一半导体层具有裸露在外的发光表面，且发光表面具有粗糙的纹理。发光层位于第一半导体层上。第二半导体层位于发光层上，其中第二半导体层与第一半导体层是不同类型的半导体层。支撑断点位于发光表面。综上所述，本专利技术的封装微型发光二极管芯片的迷你发光二极管封装结构用以提供更高的亮度、更高的对比度并减少串扰。此外，封装微型发光二极管芯片的迷你发光二极管封装结构有助于在成型为最终显示面板之前，能测试微型发光二极管芯片并筛选出功能异常的芯片。以下将以实施方式对上述的说明作详细的描述，并对本专利技术的技术方案提供更进一步的解释。附图说明为让本专利技术的上述和其他目的、特征、优点与实施例能更明显易懂，所附附图的说明如下：图1绘示已知发光二极管封装结构的剖面图；图2～5绘示依照本专利技术多个实施例的发光二极管封装结构的剖面图；图6绘示依照本专利技术的另一实施例的发光二极管封装结构的顶视图；图7绘示依照本专利技术的另一实施例的发光二极管封装结构的剖面图；图8绘示依照本专利技术的另一实施例的微型发光二极管芯片的剖面图；图9绘示依照本专利技术的又一实施例的微型发光二极管芯片的剖面图；图10～11绘示依照本专利技术一实施例的的发光二极管显示器面板的制造方法步骤示意图；图12～13绘示依照本专利技术另一实施例的的发光二极管显示器面板的制造方法步骤示意图；图14是微型发光二极管芯片阵列上具有激光剥离粗纹的照片；以及图15是单颗微型发光二极管芯片的顶表面具有激光剥离粗纹的照片。【符号说明】为让本专利技术的上述和其他目的、特征、优点与实施例能更明显易懂，所附符号的说明如下：100...发光二极管封装结构100’...发光二极管封装结构100a...发光二极管封装结构100b...发光二极管封装结构100c...发光二极管封装结构100d...发光二极管封装结构100e...发光二极管封装结构100f...发光二极管封装结构102...基板102a...基板102b...基板102c...基板102d...基板102e...基板102f...基板104a...透光材料层104b...透光材料层104c...透光材料层104d...透光材料层104e...透光材料层104f...透光材料层106...发光二极管芯片106a...发光二极管芯片106b...发光二极管芯片106c...发光二极管芯片106d...发光二极管芯片106e...发光二极管芯片106f...发光二极管芯片107B...蓝色发光二极管芯片107G...绿色发光二极管芯片107R...红色发光二极管芯片107B’...蓝色发光二极管芯片107G’...绿色发光二极管芯片107R’...红色发光二极管芯片108...黑色材料层120’...半导体叠层121’...第一半导体层121a’...半导体层121b’...半导体层121c’...半导体层122’...发光层123’...第二半导体层...

【技术保护点】
1.一种发光二极管封装结构，其特征在于，包含：/n基板，具有宽度介于100微米至1000微米；/n至少一微型发光二极管芯片，电性连接至该基板的上表面，该至少一微型发光二极管芯片具有宽度介于1微米至100微米；/n黑色材料层，覆盖该基板的该上表面，且裸露该至少一微型发光二极管芯片；以及/n透光材料层，覆盖该至少一微型发光二极管芯片与该黑色材料层。/n

【技术特征摘要】
20191014 US 16/600,5771.一种发光二极管封装结构，其特征在于，包含：
基板，具有宽度介于100微米至1000微米；
至少一微型发光二极管芯片，电性连接至该基板的上表面，该至少一微型发光二极管芯片具有宽度介于1微米至100微米；
黑色材料层，覆盖该基板的该上表面，且裸露该至少一微型发光二极管芯片；以及
透光材料层，覆盖该至少一微型发光二极管芯片与该黑色材料层。


2.根据权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于，该至少一微型发光二极管芯片具有厚度小于10微米。


3.根据权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于，该黑色材料层包含光反射率小于10％的黑色光阻层。


4.根据权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于，该至少一微型发光二极管芯片与该黑色材料层具有相同的厚度。


5.根据权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于，该至少一微型发光二极管芯片的发光表面具有第一表面积，该基板的该上表面具有第二表面积，该第一表面积与该第二表面积的面积比小于或等于5％。


6.根据权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于，该透光材料层具有厚度小于100微米。


7.根据权利要求6所述的发光二极管封装结构，其特征在于，该基板的该宽度与该透光材料层的该厚度的比值大于或等于4。


8.根据权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于，该透光材料层具有透光率大于或等于90％、92％或95％。


9.根据权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于，该透光材料层具有顶部纹理表面。


10.根据权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于，该至少一微型发光二极管芯片包含：
第一半导体层，具有裸露在外的发光表面，且该发光表面具有粗糙的纹理；
发光层，位于该第一半导体层上；
第二半导体层，位于该发光层上，其中该第二半导体层与该第一半导体层...

【专利技术属性】
技术研发人员：王德忠，郭修邑，
申请(专利权)人：隆达电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71