一种半导体结构制造技术

本实用新型专利技术涉及一种半导体结构。其包括第一临时衬底；设置于第一临时衬底上的粘接层，粘接层被目标激光照射后分解；粘性溶解层，粘性溶解层设置于粘接层上，直接与粘接层接触，且能够被目标溶剂所溶解；以及芯片主体，粘性溶解层设置于芯片主体的出光侧；当第一临时衬底被目标激光剥离之后，可以通过目标溶剂溶解粘性溶解层，以使粘接层从半导体结构上脱离。在微型发光芯片制作时，能够借助简单的步骤将半导体结构上残留的粘接层完全去除，有利于避免残留的粘接层对微型发光芯片的光造成阻挡，利用提升最终制作的微型发光芯片的出光质量。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体结构
本技术涉及微型发光芯片领域，尤其涉及一种半导体结构。
技术介绍
微型发光二极管(Micro-LED)是新一代的显示技术。与现有的液晶显示相比具有更高的光电效率，更高的亮度，更高的对比度，以及更低的功耗，且还能结合柔性面板实现柔性显示。现有技术，通过在生长基板上生长出外延层，将外延层转移到基板上进行加工和构造以制造出微型发光二极管芯片，再将微型发光二极管芯片转移至最终的基板上。然而，现有的制造方式在一些情况下会导致微型发光二极管芯片存在着出光效果不理想的问题。因此，如何保证微型发光二极管芯片的出光质量是亟需解决的问题。
技术实现思路
鉴于上述相关技术的不足，本申请的目的在于提供一种半导体结构，旨在解决现有的微型发光二极管芯片在一些情况下存在着出光效果不理想的问题。一种半导体结构，包括：第一临时衬底；设置于所述第一临时衬底上的粘接层，所述粘接层被目标激光照射后分解；粘性溶解层，所述粘性溶解层设置于所述粘接层上，直接与所述粘接层接触，且能够被目标溶剂所溶解；以及芯片主体，所述粘性溶解层设置于所述芯片主体的出光侧。上述半导体结构，通过在粘接层与芯片主体之间设置有粘性溶解层，该粘性溶解层可以被目标溶剂所溶解，因此，使用上述半导体结构进行微型发光芯片制作时，仅需要使用目标溶剂即可将粘接层完全去除，简单可靠，由于粘接层能够被容易且可靠的去除，因而有利于避免粘接层的残留对微型发光芯片的光阻挡，利于提升最终制作出的微型发光芯片的出光质量。<br>可选地，所述芯片主体包括：第一半导体层；多量子阱发光层，设置于所述第一半导体层上；第二半导体层，设置于所述多量子阱发光层上；电流扩散层，设置于所述第二半导体层上，且所述粘性溶解层设于所述电流扩散层上。可选地，所述芯片主体还包括：第一电极，设置于所述第一半导体层上，并远离所述粘接层；第二电极，设置于所述电流扩散层上，并远离所述粘接层，所述电流扩散层的面积大于所述第一半导体层、多量子阱发光层以及第二半导体层的任一者，所述第二电极通过所述电流扩散层与所述第二半导体层实现电连接。可选的，所述第一临时衬底为蓝宝石衬底，所述粘接层包括苯并环丁烯材料。可选的，所述粘性溶解层的面积不小于所述芯片主体的出光侧的面积，且所述芯片主体的出光侧完全与所述粘性溶解层接触。芯片主体的出光侧完全与粘性溶解层解除，进一步避免粘接层的材料与芯片主体的出光侧直接粘附。可选的，所述粘性溶解层的粘性不小于所述粘接层的粘性。使用粘性不小于粘接层的材料作为粘性溶解层，避免半导体结构整体的强度下降。可选的，所述目标溶剂为水，所述粘性溶解层为水溶性材料。粘性溶解层使用水溶性的材料，只需要使用水即可实现对于粘接层的清除，并且由于在一些生产过程中，本身就需要对微型发光芯片或设置有微型发光芯片的基板进行清洗，通过一般的清洗即可将残留的粘接层去除，更有利于简单可靠的清除残留的粘接层。可选的，所述粘性溶解层包括水凝胶材料。可选的，所述粘性溶解层包括水溶性纤维素材料。可选的，所述水溶性纤维素材料包括羟基纤维素，羧基纤维素，羰基纤维素中的至少一种。附图说明图1为本技术实施例提供的现有技术中的半导体结构的示意图；图2为本技术实施例提供的半导体结构的一种示意图；图3为本技术实施例提供的半导体结构的另一种示意图；图4为本技术实施例提供的半导体结构的又一示意图；图5为本技术另一可选实施例提供的半导体结构的一种示意图；图6为本技术另一可选实施例提供的半导体结构的另一种示意图；图7为本技术又一可选实施例提供的微型发光芯片制作的流程图；图8-a为本技术又一可选实施例提供的外延基板的结构示意图；图8-b为图8-a的外延基板上设置粘接溶解层的结构示意图；图8-c为图8-b转移到第一临时衬底后的结构示意图；图8-d为图8-c去除生长基板后的结构示意图；图8-e为图8-d形成电极后的结构示意图；图8-f为图8-e转移到第二临时衬底后的结构示意图；图8-g为图8-f将第一临时衬底剥离后的结构示意图；附图标记说明：1-第一临时衬底；2-粘接层；3-芯片主体；31-第一半导体层；32-多量子阱发光层；33-第二半导体层；34-电流扩散层；35第一电极；36-第二电极；4-粘接溶解层；5-生长基板；6-临时键合胶；7-第二蓝宝石基板。具体实施方式为了便于理解本申请，下面将参照相关附图对本申请进行更全面的描述。附图中给出了本申请的较佳实施方式。但是，本申请可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施方式。相反地，提供这些实施方式的目的是使对本申请的公开内容理解的更加透彻全面。除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本申请的
的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本申请的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施方式的目的，不是旨在于限制本申请。现有技术中，微型发光二极管芯片在一些情况下由于制作时覆盖在出光侧的粘接层容易残留并难以被清除干净，制成的微型发光二极管芯片存在着出光效果不理想的问题。基于此，本申请希望提供一种能够解决上述技术问题的方案，其详细内容将在后续实施例中得以阐述。实施例：为使本技术的半导体结构更清楚，请参见图1，为一种现有技术中的半导体结构，其包括：第一临时衬底1、粘接层2以及芯片主体3，粘接层2设置在临时衬底与芯片主体3之间，并直接与第一临时衬底1和芯片主体3接触。使用现有技术的上述半导体结构生产微型发光芯片时，将第一临时衬底1使用激光进行剥离，由于激光的冲击，粘接层2碳化并分解，但同时，粘接层2也十分容易出现残留或去胶不完全的情况。本实施例提供一种半导体结构，如图2所示，包括：第一临时衬底1；设置于第一临时衬底1上的粘接层2，粘接层2被目标激光照射后分解；粘性溶解层4，粘性溶解层4设置于粘接层2上，直接与粘接层2接触，且能够被目标溶剂所溶解；以及芯片主体3，粘性溶解层4设置于芯片主体3的出光侧；粘接层2具有粘性，其用于实现第一临时衬底1与芯片主体3的组合，但应当理解的是，本实施例在粘接层2与芯片主体3之间还设置有粘性溶解层4，需要说明的是，该粘性溶解层4也具备一定的粘性，至少能够保证芯片主体3与粘接层2以及第一临时衬底1之间的粘合稳定，在后续的生产过程中不脱落。粘接层2可被目标激光所分解，这里的目标激光即指能够将粘接层2分解的激光，粘接层2的材料对特殊波段的激光进行吸收，材料吸收光子能量，从而电子跃迁至激态，最终分解；或者，通过激光的物理冲击，使得粘接层2分解。其中，当第一临时衬底1被目标激光剥离之后，通过目标溶剂溶解粘性溶解层4本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：/n第一临时衬底；/n设置于所述第一临时衬底上的粘接层，所述粘接层被目标激光照射后分解；/n粘性溶解层，所述粘性溶解层设置于所述粘接层上，且能够被目标溶剂所溶解；/n以及芯片主体，所述粘性溶解层设置于所述芯片主体的出光侧。/n

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
第一临时衬底；
设置于所述第一临时衬底上的粘接层，所述粘接层被目标激光照射后分解；
粘性溶解层，所述粘性溶解层设置于所述粘接层上，且能够被目标溶剂所溶解；
以及芯片主体，所述粘性溶解层设置于所述芯片主体的出光侧。


2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述芯片主体包括：
第一半导体层；
多量子阱发光层，设置于所述第一半导体层上；
第二半导体层，设置于所述多量子阱发光层上；
电流扩散层，设置于所述第二半导体层上，且所述粘性溶解层设于所述电流扩散层上。


3.如权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述芯片主体还包括：
第一电极，设置于所述第一半导体层上，并远离所述粘接层；
第二电极，设置于所述电流扩散层上，并远离所述粘接层，所述电流扩散层的面积大于所述第一半导体层、多量子阱发光层以及第二半导体层的任一者，所述第二电极通过所述电流扩散层与所述第二半...

【专利技术属性】
技术研发人员：翟峰，唐彪，许时渊，
申请(专利权)人：重庆康佳光电技术研究院有限公司，
类型：新型
国别省市：重庆;50