【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】具有封装在带有屏蔽腔的紧凑型部件承载件中的电子部件的电子设备本专利技术涉及电子设备和制造电子设备的方法。设计能够在所谓的“毫米波”频谱范围内(即30GHz至300GHz)工作的电子设备存在许多挑战,许多挑战之一就是需要具有适当性能特征(低插入损耗和高Q因数)的滤波器。此外,还必须考虑到对小形状参数的持续需求以及以较低成本改善性能。本专利技术的目的是获得一种电子设备,该电子设备具有小形状参数和用于以高频操作的优异的特性,特别是在插入损耗方面优异的特性。为了实现上述目的,提供了根据独立权利要求的电子设备和制造电子设备的方法。根据本专利技术的示例性实施方式,提供了一种电子设备,该电子设备包括电子部件和部件承载件,该电子部件特别地是呈平面形状的电子部件,电子部件嵌入在部件承载件中。部件承载件包括具有第一切口部的第一部件承载件部分。部件承载件还包括具有第二切口部的第二部件承载件部分。第一切口部和第二切口部面对电子部件的相反的两个主表面。在第一切口部的表面上和第二切口部的表面上设置有电传导材料。第一切口部和第二切口部分别在电子部件的相反的两侧形成第一腔和第二腔。根据本专利技术的另一示例性实施方式,提供了一种制造电子设备的方法,其中,该方法包括:提供具有第一切口部的第一部件承载件部分,提供具有第二切口部的第二部件承载件部分,在第一切口部的表面上和第二切口部的表面上提供电传导材料,在第一部件承载件部分与第二部件承载件部分之间布置电子部件,使得第一切口部和第二切口部面对电子部件的相反的两个主表面,该电子部件特别地是呈平面 ...
【技术保护点】
1.一种电子设备(1),所述电子设备包括:/n电子部件(30);和/n部件承载件,所述电子部件嵌入所述部件承载件中,/n其中,所述部件承载件包括具有第一切口部(12)的第一部件承载件部分(10),并且所述部件承载件包括具有第二切口部(22)的第二部件承载件部分(20),所述第一切口部和所述第二切口部面对所述电子部件的相反的两个主表面,/n其中,在所述第一切口部的表面上和所述第二切口部的表面上设置有电传导材料(13、23),以及/n其中,所述第一切口部和所述第二切口部分别在所述电子部件的相反的两侧形成第一腔(15)和第二腔(25)。/n
【技术特征摘要】 【专利技术属性】
【国外来华专利技术】1.一种电子设备(1),所述电子设备包括:
电子部件(30);和
部件承载件,所述电子部件嵌入所述部件承载件中,
其中,所述部件承载件包括具有第一切口部(12)的第一部件承载件部分(10),并且所述部件承载件包括具有第二切口部(22)的第二部件承载件部分(20),所述第一切口部和所述第二切口部面对所述电子部件的相反的两个主表面,
其中,在所述第一切口部的表面上和所述第二切口部的表面上设置有电传导材料(13、23),以及
其中,所述第一切口部和所述第二切口部分别在所述电子部件的相反的两侧形成第一腔(15)和第二腔(25)。
2.根据权利要求1所述的电子设备,其中,所述电子部件包括射频基板(30)。
3.根据权利要求2所述的电子设备,其中,所述射频基板包括在第一主表面上的第一电传导层结构(32)和在与所述第一主表面相反的第二主表面上的第二电传导层结构(34)。
4.根据前述权利要求中的任一项所述的电子设备,其中,所述电子部件为带状线。
5.根据前述权利要求中的任一项所述的电子设备,其中,所述第一腔和所述第二腔填充有空气。
6.根据前述权利要求中的任一项所述的电子设备,其中,所述第一切口部的表面和所述第二切口部的表面被电传导材料完全覆盖。
7.根据前述权利要求中的任一项所述的电子设备,其中,所述第一腔具有介于0.1mm至2mm的范围中的深度,并且其中,所述第二腔具有介于0.1mm至2mm的范围中的深度。
8.根据前述权利要求中的任一项所述的电子设备,其中,所述部件承载件包括过孔,所述过孔用于与所述电子部件的位于所述第一腔和所述第二腔外部的部分相接触。
9.根据前述权利要求中的任一项所述的电子设备,其中,所述部件承载件包括具有至少一个电绝缘层结构和至少一个电传导层结构的叠置件。
10.根据前一权利要求所述的电子设备,其中,所述电子部件被安装在所述至少一个电绝缘层结构和/或所述至少一个电传导层结构上,以及/或者嵌入所述至少一个电绝缘层结构和/或所述至少一个电传导层结构中。
11.根据权利要求9或10所述的电子设备,其中,所述至少一个电传导层结构包括铜、铝、镍、银、金、钯和钨中的至少一者,所提及的铜、铝、镍、银、金、钯和钨中的任一者可选地被涂覆有诸如石墨烯之类的超导材料。
技术研发人员:法布里齐奥·真蒂利,塞巴斯蒂安·萨特勒,沃尔夫冈·博施,埃里克·施拉费尔,马库斯·卡斯泰利克,伯恩哈德·赖特迈尔,
申请(专利权)人:奥特斯奥地利科技与系统技术有限公司,
类型:发明
国别省市:奥地利;AT
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