提供一种处理来自电路板和/或基板制造的蚀刻废弃物介质的方法，该方法包括：i)提供所述蚀刻废弃物介质作为待处理介质(11)，特别是来自蚀刻处理(150)的待处理介质(11)，该待处理介质(11)包括待处理金属盐和酸(15)；ii)在离子交换处理(145)中处理所述待处理介质(11)，使所述待处理金属盐被金属盐交换，并且含金属盐的介质(10)从所述待处理介质(11)获得；因此a)使第一处理循环(170)流过所述离子交换处理(145)，其中所述第一处理循环(170)是实质上仅产出元素金属(50)的第一闭回路；并且b)使第二处理循环(180)流过所述离子交换处理(140)，其中所述第二处理循环(180)是实质上仅产出纯化水(188)和/或贫金属盐浓缩物(186b)的第二闭回路。的第二闭回路。的第二闭回路。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】一种处理来自电路板和/或基板制造的蚀刻废弃物介质的方法
[0001]本专利技术关于一种处理来自电路板和/或基板制造的蚀刻废弃物介质的方法。此外，本专利技术关于一种配置为执行所述方法的电路板和/或基板制造工厂。此外，本专利技术关于离子交换处理的具体用途。
[0002]因此，本专利技术可以关于电路板和/或基板制造的
特别地，本专利技术可以关于处理来自电路板和/或基板制造的含金属盐的介质的
(特别是回收金属)。此外，本专利技术可以关于电路板和/或基板制造中的回收的
(特别是提供排放质量中的废水)。
技术介绍
[0003]对于电路板和/或基板的生产，原则上需要大量金属，特别是重金属(例如铜、镍、金、银、钯、锡、铁)。因此，在制造过程中，含金属的残留物和含金属的介质(特别是溶液)分别出现在不同的处理中。
[0004]含金属(盐)的介质(以及待处理的废弃物和残留物浓缩物，分别)实质上源自电路板和/或基板制造中的两种不同处理：i)蚀刻处理(例如蚀刻铜箔)和ii)电镀处理(例如镀铜层)。此外，待处理含有金属(盐)的介质在来自蚀刻处理和来自电镀处理的冲洗处理期间出现。这些冲洗水仅含有低浓度的金属，尤其是铜。相反地，来自蚀刻处理和电镀处理的待处理的含金属(盐)介质包括相对高浓度的金属。
[0005]来自蚀刻处理的待处理的含金属(盐)介质通常包括金属盐，其中金属被化学键合(例如氯化铜，其中氯化物来源于盐酸)到酸的盐(来自蚀刻处理)。来自电镀处理的待处理的含金属(盐)介质通常亦含有金属盐，其中金属被化学键合到电解酸的盐(例如硫酸铜，其中硫酸盐来源于硫酸)。此外，来自电镀处理制备的含金属(盐)介质通常含有高浓度的外来金属，例如铁。
[0006]从所描述的含金属(
‑
盐)的介质中回收金属的方法实质上是已知的。然而，只有高纯度形式的回收金属(例如，99％至99.99％，特别是大约99.9％纯度)对于电路板和/或基板制造是有意义的。这样的回收可以例如可以通过电解进行。然而，上述含金属(盐)的介质非常不适合此目的，因为纯金属(例如铜)的沉积受到阻碍或被复杂化。高浓度的酸、过氧化氢(和外来金属)会使高品质的电解失效。
[0007]出于这个原因，从电路板和/或基板制造的废弃物浓缩物习知地分别以耗成本、不环保且不耐用的方式被安置。
技术实现思路
[0008]本专利技术的一个目的是能够对来自电路板和/或基板制造的废弃物介质(特别是来自蚀刻处理的)进行成本效益、环境友好和耐用的处理。
[0009]所述目的通过根据独立专利请求项的标的来解决。较佳实施例从附属专利请求项
而来。
[0010]根据本专利技术的示例性实施方式，提供了一种处理来自电路板和/或基板制造的蚀刻(处理)废弃物介质的方法。所述方法包括：
[0011]i)提供蚀刻废弃物介质作为(特别是来自蚀刻处理的)待处理介质，其中待处理介质包括待处理的金属盐和酸，
[0012]ii)在离子交换处理中处理待处理介质，使所述待处理金属盐被金属盐交换，并且含金属盐的介质从所述待处理介质获得，因此
[0013]使第一处理循环流过离子交换处理，其中第一处理循环是(实质上)仅产出元素金属(例如使用电解处理)的第一(闭)回路。
[0014]特别地，所述方法可以进一步包括使第二处理循环流过离子交换处理，其中第二处理循环是(实质上)仅产出纯化水和/或贫金属盐浓缩物(例如使用反渗透处理)的第二(闭)回路。
[0015]根据本专利技术的另一示例性实施方式，提供了一种电路板和/或基板制造工厂，包括：
[0016]i)蚀刻处理模块，其生产蚀刻废弃物介质作为待处理介质，其中待处理介质包括待处理金属盐和酸，
[0017]ii)离子交换处理模块，被配置处理待处理介质，使待处理金属盐被金属盐交换，并且含金属盐的介质从待处理介质获得，
[0018]iii)第一处理循环(例如，经由电解模块被实现为流体输送系统)，流过离子交换处理模块，其中第一处理循环是实质上仅产出元素金属的第一闭回路，以及
[0019]iv)第二处理循环(例如经由反渗透模块被实现为流体输送系统)，流过离子交换处理，其中第二处理循环是实质上仅产出纯化水和/或贫金属盐浓缩物的第二闭回路。
[0020]根据本专利技术的又一示例性实施方式，提供了离子交换处理的使用，所述离子交换处理在第一闭回路处理循环中耦合到电解处理以及在第二闭回路处理循环中耦合到膜过滤处理以处理电路板和/或基板制造蚀刻废水，使得(实质上)仅元素铜、纯化水和/或贫重金属盐浓缩物被产出。
[0021]根据本专利技术的又一示例性实施方式，提供了一种用于调节上述方法和/或上述装置的处理控制装置。处理控制装置包括：
[0022]i)用于从运行处理中捕获至少一个处理参数(和实际值，分别)，特别是多个处理参数的数据库，
[0023]ii)数据模型单元，适用于储存至少一个预定处理参数(和目标值，分别)，特别是多个预定处理参数，以及iii)计算装置，适用于
[0024]a)将捕获的处理参数与预定的处理参数(以及多个彼此，分别)进行比较，
[0025]b)确定基于比较结果的控制操作(例如主动补偿实际值和目标值之间的差异)，以及c)执行预定的控制操作(例如调整流量等)。
[0026]根据本专利技术的再一示例性实施方式，提供了一种用于控制处理来自电路板和/或基板制造的蚀刻废弃物介质的方法的计算机程序产品，所述计算机程序产品在由一个人执行时一个或多个处理器(以及一个或多个计算机，分别)控制方法(如上所述)和/或装置(如上所述)和/或处理控制装置(如上所述)。
[0027]在本申请的上下文中，术语“含金属盐的介质”可以特别表示包括金属盐的任何(液体)介质。金属盐是金属和酸之间的化合物。这种金属的例子可以包括：铜、镍、金、银、钴、镉、镁、钠、钯、锡。酸的例子可以包括：硫酸、盐酸、亚硝酸、磷酸；其中金属盐相应地存在，例如如硫酸盐、氯化物、硝酸盐或磷酸盐。相应地，金属盐可以是例如硫酸铜或氯化铜。这可以作为金属离子和盐离子存在于含金属盐的介质中。除金属盐外，含金属盐的介质可包括例如其中金属盐被溶解的水溶液或酸性溶液。例如，除了水，介质还可以包括盐酸和/或硫酸。在一个示例中，含金属盐的介质源自电路板和/或基板的制造并且可以包括相应的残留物。此外，可以处理含金属盐的介质，使得实质上仅存在金属盐。在一个实例中，含金属盐的介质(实质上)不含(不期望的)外来金属(例如铁)。在另一个实例中，含金属盐的介质包括外来金属(的残留物)。术语“待处理介质”可以表示将在后续处理步骤中进一步被处理的介质。因此，待处理介质可以包括待处理的金属盐(例如，所述盐将被另一种盐交换)，并且，当待处理的金属盐被金属盐交换时，从所述待处理介质获得介质。在一个示例性实施例中，待处理的金属盐包括氯化铜并且金属盐包括硫酸铜。
[0028]在本申请的上下文中，术语“处理循环”可以特别表示以类似循环的方式连接的大量的处理步骤本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种处理来自电路板和/或基板制造的蚀刻废弃物介质的方法，所述方法包括：提供所述蚀刻废弃物介质作为待处理介质(11)，特别是来自蚀刻处理(150)的待处理介质(11)，其中所述待处理介质(11)包括待处理金属；在离子交换处理(145)中处理所述待处理介质(11)，使所述待处理金属盐被金属盐交换，并且含金属盐的介质(10)从所述待处理介质(11)获得；据此使第一处理循环(170)流过所述离子交换处理(145)，其中所述第一处理循环(170)是实质上仅产出元素金属(50)的第一闭回路；并且使第二处理循环(180)流过所述离子交换处理(145)，其中所述第二处理循环(180)是实质上仅产出纯化水(188)和/或贫金属盐浓缩物(186b)的第二闭回路。2.根据权利要求1所述的方法，其中所述金属盐中的金属和所述待处理金属盐中的金属是相同的金属，并且其中所述金属是由铜、镍、钴、锡、镉、镁、钠、银、金组成的群组中的至少一个；和/或其中所述金属盐中的盐和所述待处理金属盐中的盐为不同的盐，并且其中所述盐包括由氯化物、硫酸盐、硝酸盐、磷酸盐组成的群组中的至少两个。3.根据权利要求1或2所述的方法，其中所述第一处理循环(170)还包括：使不同于所述酸(15)的另外的酸(175)流过所述离子交换处理(145)，特别是作为再生介质，使得所述另外的酸(175)从所述离子交换处理(145)去除所述金属，以提供所述含金属盐的介质(10)；将所述含金属盐的介质(10)输送至元素金属回收处理(400)以从所述含金属盐的介质(10)获得所述元素金属(50)和所述另外的酸(175)；并且将所述另外的酸(175)反馈到所述离子交换处理(145)。4.根据权利要求3所述的方法，其中所述元素金属回收处理(400)包括电解处理，其中所述含金属盐的介质(10)类似于进入所述电解处理的富金属的电解质，并且其中所述另外的酸(175)类似于离开所述电解处理的贫金属电解质。5.根据权利要求1的方法，其中所述第二处理循环(180)还包括：使所述待处理介质(11)流过所述离子交换处理(145)，其中所述待处理介质(11)被分离成所述金属和贫金属酸介质(136)，然后所述金属留在所述离子交换处理(145)中；在水处理过程(185)中处理所述贫金属酸介质(136)，使所述纯化水(188)被获得；并且将所述纯化水(188)反馈到所述离子交换处理(145)，和/或将所述纯化水(188)反馈到另外的电路板和/或基板制造过程(110、120、140、300)，和/或将所述纯化水(188)作为具有排放质量(350)的水排放。6.根据权利要求5所述的方法，其中所述水处理过程(185)包括膜过滤处理，其中，渗透物(185a)包括所述纯化水(188)，并且其中，浓缩物(1...
【专利技术属性】
技术研发人员：康斯坦丁，
申请(专利权)人：奥特斯奥地利科技与系统技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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