图案放置校正的方法技术

提供了用于校正基板上的图案放置的方法和设备。在一些实施方式中，一种用于校正基板上的图案放置的方法，包括：检测基板的三个参考点；检测多组三个裸片位置点，每组指示裸片的取向，所述多组三个裸片位置点包括与第一裸片相关联的第一组和与第二裸片相关联的第二组；计算所述第一裸片和所述第二裸片在所述基板上的所述取向的局部变换；从所述多组三个裸片位置点中选择三个取向点，其中所述取向点不是同一组的成员；从来自所述一组点的选定的所述三个取向点计算所述基板的第一全局变换；以及存储所述基板的所述第一全局变换和所述局部变换。

Method of pattern placement correction

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】图案放置校正的方法
本公开内容的实施方式一般涉及用于处理一个或多个基板的方法，并且更具体地涉及用于执行光刻工艺的方法。
技术介绍
一般采用微光刻技术来产生作为形成在基板上的裸片的一部分而引入的电特征。根据该技术，通常将光敏光刻胶施加到基板的表面。然后，图案发生器用光曝光作为图案的一部分的光敏光刻胶的选定区域，以致使选定区域中的光刻胶发生化学变化，从而产生掩模。该掩模用于在最终构成裸片的电特征的产生期间转移图案。然而，由于在电特征的形成中涉及多个操作，因此需要对形成各个裸片的掩模的高放置准确度来对准连接。放置准确度的要求限制了产量并增加了成本。除了其它问题之外，基板的翘曲也可能会导致各个裸片中的连接错位。在拾取放置操作期间的过量裸片漂移也会导致良率损失。因此，当使用传统光刻时，使扣合芯片错位以形成模制面板可能导致在构建工艺中的图案重叠困难。因此，需要一种用于光刻的改善的系统和方法。
技术实现思路
在本专利技术的一个实施方式中，公开了一种用于校正基板上的图案放置的方法。所述方法通过检测基板的三个参考点开始。检测多组三个裸片位置点，每组指示裸片结构的取向，所述多组三个裸片位置点包括与第一裸片相关联的第一组和与第二裸片相关联的第二组。计算所述第一裸片和所述第二裸片在所述基板上的所述取向的局部变换。从所述多组三个裸片位置点选择三个取向点，其中所述取向点不是同一裸片的组成员；从来自所述一组点的选定的所述三个点计算所述基板的第一全局变换，并且存储所述基板的所述第一全局变换和所述局部变换。附图说明因此，为了能够详细地理解本专利技术的上述特征的方式，可以通过参考实施方式得到上面简要概述的本专利技术的更具体的描述，实施方式中的一些在附图中示出。然而，应当注意，附图仅示出了本专利技术的典型实施方式，并且因此不应视为限制本专利技术的范围，因为本专利技术可以允许其它同等有效实施方式。图1是设置在计量系统中的基板的示意图。图2A-2D描绘了图1的基板的各种轮廓。图3是设置在光刻系统中的基板的示意图。图4是描绘在基板上的裸片的特征的示意图。图5描绘了用于产生基板上的裸片的位置的全局变换的方法。图6描绘了用于产生基板上的光刻操作的有效变换的方法。为了便于理解，在可能情况下，使用相同的附图标记来表示各图共有的相同元件。设想的是，一个实施方式中公开的要素可以有利地用于其它实施方式而无需具叙述。具体实施方式本专利技术包括用于在光刻工艺期间校正基板上的图案放置的方法和设备。在一个实施方式中，将基板传送到计量工具。测量基板以确定基板上的裸片位置、裸片偏斜、基板翘曲和其它图案映射。随后将基板移动到数字光刻系统以在其中进行处理。通过施加每一裸片数字掩模对准校正来校正基板上的裸片错位。通过基于从计量工具获得的测量而施加基于模型的图案放置校正算法来执行对每个裸片的由基板翘曲而引起的放置误差的校正。图1是设置在计量系统100中的基板104的示意图。计量系统100可以具有扫描仪160。扫描仪160可以在第一方向161和第二方向163上移动以完整测量基板104。扫描仪160可以利用激光、光学或声学传感器或其它技术来测量与形成在基板104上的结构(诸如裸片)相关联的位置信息。计量系统100可以具有控制器170。或者，计量系统100可以耦接到控制器170。控制器170可以具有中央处理单元172和存储器174。控制器170可以任选地具有输入输出装置176，控制器170可以从输入输出装置176与人的其它装置对接。存储器174可以存储用于在CPU172上运行的程序代码。存储器174可以另外地存储信息，诸如与基板104相关联的测量和处理参数。基板104可以具有外边缘110、顶表面118和切口112。切口112可以用于对基板104进行取向。基板104可以具有设置在顶表面118上的多个裸片152。可以在行154和列150中布置裸片152。替代地，裸片152可以以其它合适的配置进行布置，诸如以径向的方式或同心圆的方式。扫描仪160可以移动跨过基板104，诸如沿X、Y和Z笛卡尔坐标或沿极坐标，以提供每个裸片152以及基板104上的其它特征的测量。例如，扫描仪160可以测量沿第一裸片142的位置或在第一裸片142中的位置。扫描仪160可以另外地测量基板104上的参考标记(未示出)。测量可以存储在存储器174中并与一个或多个基板104相关联。存储在存储器174中的信息可被其它处理设备访问，诸如下面参考图3描述的光刻系统。来自计量系统100的测量可以用于确定裸片152的位置与用于裸片152的预测或计划布局相比是否偏斜或未对准。来自计量系统100的测量也可以用于产生基板1004的全局轮廓，例如，形状。例如，全局轮廓可以指示并校正翘曲。图2A-2D描绘了图1中所示的基板104的全局轮廓的示例。应当理解，基板104可以具有可使用来自计量系统的测量数据建模的替代全局轮廓，并且本文提供的示例仅是传达对一个或多个基板104可能具有的全局轮廓的理解。高阶翘曲效应可以以不同的形式呈现，诸如图2A至2D所示。基板的翘曲可以由高阶全局2D模型表征，而裸片错位/位置可以由线性模型来建模。可以在对应于各个裸片位置的基板的不同区域中或沿由全局2D模型规定的表面选择性地施加校正。然而，还应当理解，翘曲和裸片位置可以替代地利用3D模型来确定其位置和轮廓。图2A示出了搁置在平坦表面290上的基板104A。基板104A可以具有凹形轮廓，其中边缘210向上弯曲并远离平坦表面290。例如，凹形轮廓可以看起来具有盘的形状。图2B示出了搁置在平坦表面290上的基板104B。基板104B可以具有凸形轮廓，其中边缘210与平坦表面290接触，并且基板104的中间部分230向上升高而远离平坦表面290。例如，凸形轮廓可能看起来具有倒置的盘形形状。另外，翘曲可以包括两个或更多个轮廓的组合。这种轮廓可以将其自身呈现为正弦曲线或其它曲线形状。图2C示出了搁置在平坦表面290上的基板104C。基板104C可以具有正弦曲线轮廓，其中第一边缘212从平坦表面290升高而第二边缘214设置在平坦表面290上。图2D示出了搁置在平坦表面290上的基板104D。基板104D可以具有延伸超过单个周期的正弦曲线轮廓。例如，第一边缘212、第二边缘214和中间部分230可以从平坦表面290升高。基板104D的其它部分设置在平坦表面290上。图2A-2D中所示的基板104的轮廓仅是说明性的，应当理解，其它简单和复杂轮廓可以存在于基板上并被建模。来自计量系统的测量可以用于对基板104进行建模并校正基板上的错位的裸片位置以及在进一步处理期间的翘曲。例如，可以利用测量来形成局部水平裸片模型，以用于确定每一裸片的x/y旋转、扩展和移位(局部变换)。该模型可以在每个且每一裸片上使用至少三个点来计算这样的模型。与特定裸片相关联的测量点可以对应于一组。例如，可以存在对应于基板104上的裸片数量的“n”组测量点。另外，可以产生基板104的全局模型，以指示基板104的整个顶表面118的翘曲或全局x/y旋转、扩展和移位(即，全局变换)。全局模型可以利用至少三个点，每个点来自不同组的裸片测量、三个单独的对准标记或其它远端参考测量，以计算全局变换。局部变换与全局变换的组合用于修改处理参数以确保用本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于校正基板上的图案放置的方法，所述方法包括：检测基板的三个参考点；检测多组三个裸片位置点，每组指示裸片的取向，所述多组三个裸片位置点包括与第一裸片相关联的第一组和与第二裸片相关联的第二组；计算所述第一裸片和所述第二裸片在所述基板上的所述取向的局部变换；从所述多组三个裸片位置点选择三个取向点，其中所述取向点不是同一组的成员；从来自所述一组点的选定的所述三个取向点计算所述基板的第一全局变换；以及存储所述基板的所述第一全局变换和所述局部变换。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2017.02.03 US 15/424,3661.一种用于校正基板上的图案放置的方法，所述方法包括：检测基板的三个参考点；检测多组三个裸片位置点，每组指示裸片的取向，所述多组三个裸片位置点包括与第一裸片相关联的第一组和与第二裸片相关联的第二组；计算所述第一裸片和所述第二裸片在所述基板上的所述取向的局部变换；从所述多组三个裸片位置点选择三个取向点，其中所述取向点不是同一组的成员；从来自所述一组点的选定的所述三个取向点计算所述基板的第一全局变换；以及存储所述基板的所述第一全局变换和所述局部变换。2.如权利要求1所述的方法，进一步包括：将所述基板定位在光刻工具中；检测所述三个参考点；从所述三个参考点计算第二全局变换；将所述第二全局变换与所述局部变换组合以计算所述基板的有效变换；以及在扫描期间将所述有效变换作为校正施加到数字掩模。3.如权利要求2所述的方法，进一步包括：通过施加所述有效变换来校正所述裸片的所述取向，以产生每一裸片数字掩模对准校正；以及在所述裸片上印刷再分布光刻层。4.如权利要求3所述的方法，进一步包括：将所述每一裸片数字掩模与基于模型的图案放置校正对准；以及校正基板的翘曲和所述裸片的所述取向。5.如权利要求1所述的方法，其中计算所述基板的所述第一全局变换的步骤包括：(a)测量所述基板的x/y旋转的值，(b)测量所述基板的扩展的值；(c)测量所述基板上的所述裸片的所述取向的值；以及(d)从(a)、(b)和(c)处测量的值计算全局变换。6.如权利要求5所述的方法，其中对有限数量的裸片执行所述测量。7.如权利要求1所述的方法，其中从所述一组点选择三个点的步骤包括：选择三个对准标记。8.一种系统，包括：处理器；以及存储器，其中所...

【专利技术属性】
技术研发人员：塔纳·科斯坤，建峰·陈，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：美国,US