薄膜ESD保护器件制造技术

薄膜ESD保护器件(101)具备：至少在第一主面(PS1)侧具有低电阻部的半导体基板(21)；形成在半导体基板(21)的第一主面(PS1)的绝缘体层(TL)；形成在绝缘体层(TL)的表面的第一输入输出电极(P1)、第二输入输出电极(P2)以及接地电极(GP)；形成在第一主面(PS1)侧的二极管元件(D1)；以及形成在第一主面(PS1)侧的电容器元件(C1)。二极管元件(D1)的第一端与第一输入输出电极(P1)连接，第二端与接地电极(GP)连接。电容器元件(C1)的第三端与第二输入输出电极(P2)连接，第四端与接地电极(GP)连接。二极管元件(D1)的第二端以及电容器元件(C1)的第四端经由低电阻部(半导体基板(21))与接地电极(GP)连接。

Thin Film ESD Protective Devices

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】薄膜ESD保护器件
本技术涉及具有ESD保护功能的薄膜ESD保护器件，特别是涉及具备二极管和电容器的薄膜ESD保护器件。
技术介绍
以往，为了防止由ESD(Electro－StaticDischarge；静电放电)造成的电子设备的损伤、误工作等而利用各种ESD保护电路。ESD保护电路是使ESD释放到地线等来保护后级的电子电路免受ESD影响的电路，例如被配置在信号线路与地(接地)之间。例如，在专利文献1中公开了一种为了ESD保护对策而在天线端子的附近设置了具有ESD保护功能的滤波电路的电子设备。专利文献1:日本特开2008－54055号公报然而，若为了构成专利文献1所示那样的具有ESD保护功能的电路而将多个分立部件配置于安装基板上，则存在安装面积变大这个问题。另外，由于在安装基板形成用于连接分立部件的布线，所以布线长度变长，由此寄生电感变大，也有可能无法获得所需的特性。
技术实现思路
本技术的目的在于，提供一种能抑制电特性的变动、且能够降低所需要的安装面积的小型的薄膜ESD保护器件。(1)本技术的薄膜ESD保护器件的特征在于，具备：半导体基板，至少在上述第一主面侧具有低电阻部；绝缘体层，形成在上述半导体基板的上述第一主面；第一输入输出电极、第二输入输出电极以及接地电极，形成在上述绝缘体层的表面；二极管元件，形成在上述第一主面侧，并具有与上述第一输入输出电极电连接的第一端、以及与上述接地电极电连接的第二端；以及电容器元件，形成在上述第一主面侧，并具有与上述第二输入输出电极电连接的第三端、以及与上述接地电极电连接的第四端，上述二极管元件的上述第二端、以及上述电容器元件的上述第四端经由上述低电阻部与上述接地电极电连接。在该结构中，二极管元件与电容器元件一体形成。因此，与将作为分立部件的片式二极管以及片式电容器搭载于安装基板等的情况相比，能够减少电路结构所需的安装面积。另外，根据该结构，与将分立部件搭载于安装基板等的情况相比，能够缩短形成于薄膜ESD保护器件的各元件间的布线长度。因此，能够减小各元件间的布线中的导体电阻、寄生电感，能够实现ESD抑制电压低、响应性高的薄膜ESD保护器件。另外，在该结构中，由于无需另外形成将二极管元件的第二端和电容器元件的第四端连接的布线，所以可减少制造工序的工时，能够低成本化。(2)在上述(1)中，优选上述半导体基板整体为上述低电阻部。根据该结构，由于无需在半导体基板另外形成低电阻部，所以可减少制造工序的工时，能够低成本化。另外，根据该结构，由于与接地电极电连接的低电阻部作为比较大的接地电极发挥作用，所以接地电位稳定。(3)在上述(1)或者(2)中，优选上述二极管元件具有阳极电极以及阴极电极，上述电容器元件具有第一电容器电极以及第二电容器电极，上述低电阻部是上述阴极电极或者上述阳极电极、以及上述第二电容器电极。根据该结构，由于无需形成阴极电极以及第二电容器电极，所以可减少制造工序的工时，能够低成本化。(4)在上述(1)或者(2)中，优选上述二极管元件具有阳极电极以及阴极电极，上述电容器元件具有第一电容器电极以及第二电容器电极，上述二极管元件的上述阳极电极或者上述阴极电极与上述第一电容器电极或者上述第二电容器电极为相同的材料。在该结构中，能够以相同工序同时形成二极管电极以及第一电容器电极。因此，可减少制造工序的工时，能够低成本化。(5)在上述(1)或者(2)中，优选上述二极管元件具有阳极电极以及阴极电极，上述电容器元件具有第一电容器电极、第二电容器电极以及电介质层，上述绝缘体层与上述电介质层为相同材料。在该结构中，能够以相同工序同时形成绝缘体层以及电介质层。因此，可减少制造工序的工时，能够低成本化。(6)在上述(1)～(5)的任意一个中，优选由上述半导体基板以及上述绝缘体层构成层叠体，在俯视观察上述第一主面时，上述层叠体是具有相互对置的第一边以及第二边的矩形，上述第一输入输出电极以及第二输入输出电极被配置在上述第一边附近，上述接地电极被配置在上述第二边附近。根据该结构，无需在与第一主面平行的面方向引绕长的布线，能够以最短距离将各元件和各电极(第一输入输出电极、第二输入输出电极以及接地电极)连接。因此，能够减小各元件与各电极之间的布线中的导体电阻、寄生电感。(7)在上述(1)～(6)的任意一个中，优选在俯视观察上述第一主面时，上述接地电极被配置在上述第一输入输出电极与上述第二输入输出电极之间。根据该结构，对施加到一个输入输出电极侧的ESD而言，由于能够抑制ESD主要经由低电阻部流到另一方的输入输出电极侧，所以能够提高第一输入输出电极P1和第二输入输出电极P2之间的针对ESD的隔离性。(8)在上述(1)～(7)的任意一个中，优选在俯视观察上述第一主面时，上述第一输入输出电极与上述接地电极之间的距离、上述第二输入输出电极与上述接地电极之间的距离相等。在各输入输出电极与接地电极GP之间的距离不同的情况下，各输入输出电极与接地电极之间的动态电阻会产生偏差。而根据该结构，可抑制各输入输出电极与接地电极之间的动态电阻值的偏差，结果，能够抑制各输入输出电极与接地电极间的ESD抑制电压的偏差。(9)在上述(1)～(8)的任意一个中，可以还具备电感器元件，上述电感器元件形成在上述绝缘体层，并具有与上述第一输入输出电极电连接的第五端、以及与上述第二输入输出电极电连接的第六端。根据该结构，二极管元件、电容器元件以及电感器元件一体形成。因此，与将作为分立部件的片式电感器搭载于安装基板等的情况相比，能够减少电路构成所需的安装面积。另外，根据该结构，与将分立部件搭载于安装基板等的情况相比，能够缩短电感器元件与二极管元件之间的布线长度、以及电感器元件与电容器元件之间的布线长度。因此，能够减小电感器元件与二极管元件之间的布线、以及电感器元件与电容器元件之间的布线中的导体电阻、寄生电感。(10)在上述(9)中，优选上述绝缘体层至少在一部分具有磁性体，上述电感器元件包括上述磁性体、以及形成于上述绝缘体层的线圈导体而构成。根据该结构，能够获得在磁性体高的导磁率的作用下即使是较少的匝数也具有规定的电感值的电感器元件。(11)在上述(10)中，优选上述磁性体至少一部分被配置在上述线圈导体与上述低电阻部之间。在该结构中，由于在线圈导体与低电阻部之间夹设有磁性体，所以通过磁性体的磁屏蔽效果，能够抑制来自电感器元件的磁场辐射到低电阻部。因此，低电阻部和电感器元件的隔离性提高，能够抑制低电阻部中的涡流的产生。(12)在上述(9)～(11)的任意一个中，可以由上述电容器元件和上述电感器元件构成低通滤波器。根据本技术，能够实现电特性的变动被抑制、且能够减小所需要的安装面积的小型的薄膜ESD保护器件。附图说明图1(A)是第一实施方式所涉及的薄膜ESD保护器件101的立体图，图1(B)是薄膜ESD保护器件101的主视图。图2(A)是薄膜ESD保护器件101的仰视图，图2(B)是图1(B)中的A－A剖视图。图3是图2(A)中的B－B剖视图。图4(A)是图2(A)中的C－C剖视图，图4(B)是图2(A)中的D－D剖视图。图5是薄膜ESD保护器件101的电路图。图6(A)是第二实施方式所涉及的薄膜ESD保护器件102本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种薄膜ESD保护器件，其中，具备：半导体基板，至少在第一主面侧具有低电阻部；绝缘体层，形成在上述半导体基板的上述第一主面；第一输入输出电极、第二输入输出电极以及接地电极，形成在上述绝缘体层的表面；二极管元件，形成在上述第一主面侧，并具有与上述第一输入输出电极电连接的第一端、以及与上述接地电极电连接的第二端；以及电容器元件，形成在上述第一主面侧，并具有与上述第二输入输出电极电连接的第三端、以及与上述接地电极电连接的第四端，上述二极管元件的上述第二端、以及上述电容器元件的上述第四端经由上述低电阻部与上述接地电极电连接，上述半导体基板整体为上述低电阻部。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2017.03.22 JP 2017-0552351.一种薄膜ESD保护器件，其中，具备：半导体基板，至少在第一主面侧具有低电阻部；绝缘体层，形成在上述半导体基板的上述第一主面；第一输入输出电极、第二输入输出电极以及接地电极，形成在上述绝缘体层的表面；二极管元件，形成在上述第一主面侧，并具有与上述第一输入输出电极电连接的第一端、以及与上述接地电极电连接的第二端；以及电容器元件，形成在上述第一主面侧，并具有与上述第二输入输出电极电连接的第三端、以及与上述接地电极电连接的第四端，上述二极管元件的上述第二端、以及上述电容器元件的上述第四端经由上述低电阻部与上述接地电极电连接，上述半导体基板整体为上述低电阻部。2.根据权利要求1所述的薄膜ESD保护器件，其中，上述二极管元件具有阳极电极以及阴极电极，上述电容器元件具有第一电容器电极以及第二电容器电极，上述低电阻部是上述阴极电极或者上述阳极电极、以及上述第二电容器电极。3.根据权利要求1所述的薄膜ESD保护器件，其中，上述二极管元件具有阳极电极以及阴极电极，上述电容器元件具有第一电容器电极以及第二电容器电极，上述二极管元件的上述阳极电极或者上述阴极电极与上述第一电容器电极或者上述第二电容器电极为相同材料。4.根据权利要求1所述的薄膜ESD保护器件，其中，上述二极管元件具有阳极电极以及阴极电极，上述电容器元件具有第一电容器电极、第二电容器电极以及电介质层，上述绝缘体层与上述电介质层为相同材料。5...

【专利技术属性】
技术研发人员：深堀奏子，坂井宣夫，
申请(专利权)人：株式会社村田制作所，
类型：新型
国别省市：日本,JP