一种新型大功率瞬态电压抑制二极管制造技术

本实用新型专利技术公开了一种新型大功率瞬态电压抑制二极管，包括：N颗TVS芯片、N+1块铜板和用于包覆TVS芯片与铜板的塑封体；其中，N+1块铜板叠层设置在一起，形成一叠装结构，且每两块相邻设置的铜板之间安装一颗TVS芯片，每颗TVS芯片分别与其两侧的铜板电气连接，使N颗TVS芯片串联连接；而且，叠装结构两端的铜板分别引出一条引线并伸出塑封体。其中，N不小于2。该新型大功率瞬态电压抑制二极管具有承受大反向浪涌能量冲击，从而能够使R‑6封装的二极管，提升浪涌冲击保护能力。

A New High Power Transient Voltage Suppression Diode

【技术实现步骤摘要】
一种新型大功率瞬态电压抑制二极管
本技术涉及二极管设计领域，具体涉及一种新型大功率瞬态电压抑制二极管。
技术介绍
瞬态电压抑制二极管(TransientVoltageSuppressor)简称TVS，又称为钳位型二极管，是目前国际上普遍使用的一种高效能电路保护器件。当瞬态电压抑制二极管的两极受到反向瞬态高能量冲击时，它能以10-12s量级的速度，将其两极间的高阻抗变为低阻抗，吸收高达数千瓦的浪涌功率，将两极间的箝位电压位于一个预定值，有效地保护电子线路中的精密元器件，免受各种浪涌脉冲的损坏。而在高频线路的应用中，由于常规的瞬态电压抑制二极管的结电容通常只有几百pF左右，即使瞬态电压抑制二极管处于不工作的状态下，高频信号往往也会失真。因此，市场上出现了在高频应用上的低电容瞬态电压抑制二极管，既可以减小普通瞬态电压抑制二极管引入带来的信号畸变，又可以对信号中的瞬时高能量脉冲进行吸收。现有R-6封装瞬态电压抑制二极管，只能满足5KW浪涌能力，而保护应用上需要提升到15KW的浪涌能力。按照常规设计，必须更换更大的封装外形，占用更大的PCB板面积，且需求超大尺寸芯片，价格昂贵且只能进口。
技术实现思路
本技术的目的在于克服现有技术中所存在的上述不足，提供一种新型大功率瞬态电压抑制二极管。为了实现上述技术目的，本技术提供了以下技术方案：一种新型大功率瞬态电压抑制二极管，包括：N颗TVS芯片、N+1块铜板和用于包覆所述TVS芯片与所述铜板的塑封体；其中，所述N+1块铜板叠层设置在一起，形成一叠装结构，且每两块相邻设置的铜板之间安装一颗所述TVS芯片，每颗所述TVS芯片分别与其两侧的铜板电气连接，使所述N颗TVS芯片串联连接；而且，所述叠装结构两端的铜板分别引出一条引线并伸出所述塑封体；其中，N不小于2。优选的，封装形式为插件R-6封装。优选的，所述TVS芯片的形状为正多边形。优选的，所述塑封体的材料选用环氧树脂，并采用压塑工艺制成。与现有技术相比，本技术的有益效果：本技术采用一种新型大功率瞬态电压抑制二极管，包括：N颗TVS芯片、N+1块铜板和用于包覆TVS芯片与铜板的塑封体；其中，N+1块铜板叠层设置在一起，形成一叠装结构，且每两块相邻设置的铜板之间安装一颗TVS芯片，每颗TVS芯片分别与其两侧的铜板电气连接，使N颗TVS芯片串联连接；而且，叠装结构两端的铜板分别引出一条引线并伸出塑封体。其中，N不小于2。该新型大功率瞬态电压抑制二极管具有承受大反向浪涌能量冲击，从而能够使R-6封装的二极管，提升浪涌冲击保护能力。附图说明图1为一种新型大功率瞬态电压抑制二极管结构图；图2为TVS芯片的形状图。其中，1为TVS芯片、2为铜板、3为焊片、4为引线、5为塑封体。具体实施方式下面结合试验例及具体实施方式对本技术作进一步的详细描述。但不应将此理解为本技术上述主题的范围仅限于以下的实施例，凡基于本
技术实现思路
所实现的技术均属于本技术的范围。实施例1本技术，新型大功率瞬态电压抑制二极管，N颗TVS芯片、N+1块铜板和用于包覆TVS芯片与铜板的塑封体；其中，N+1块铜板叠层设置在一起，形成一叠装结构，且每两块相邻设置的铜板之间安装一颗TVS芯片，每颗TVS芯片分别与其两侧的铜板电气连接，使N颗TVS芯片串联连接；而且，叠装结构两端的铜板分别引出一条引线并伸出塑封体。其中，N不小于2。例如，如图1所示，包括：3颗TVS芯片1、4块铜板2和包覆TVS芯片1和铜板2的塑封体5。铜板2用于驱散TVS芯片1的PN结产生的热量；4块铜板2叠层设置在一起，形成一叠装结构，且每两块相邻设置的铜板2之间安装一颗TVS芯片1，每颗TVS芯片1分别与其两侧的铜板2电气连接，使3颗TVS芯片串联连接；而且，叠装结构两端的铜板分别引出一条引线4并伸出塑封体5。在具体实施过程中，封塑形式为插件R-6封装。TVS芯片的形状为正多边形或者圆形，如图2所示，例如TVS芯片的形状为正六边形，使得在同样圆形R-6封装直径内，比传统正方形芯片具有更大的表面积，实现更大的反向浪涌能力。内部结构采用3颗TVS芯片叠装，利用二极管串联分压原理，单层芯片承受5KW的反向浪涌，使得二极管累计可承受15KW，且单颗芯片的面积不超出R-6封装。塑封体的材料选用环氧树脂，使得塑封体具有更好的散热性，承受更大的功率。并且塑封体采用压塑工艺制作。芯片与芯片之间使用铜板连接，改善了芯片与芯片之间的连接方式，使得结构更加简单，更便于封装。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种新型大功率瞬态电压抑制二极管，其特征在于，包括：N颗TVS芯片、N+1块铜板和用于包覆所述TVS芯片与所述铜板的塑封体；其中，所述N+1块铜板叠层设置在一起，形成一叠装结构，且每两块相邻设置的铜板之间安装一颗所述TVS芯片，每颗所述TVS芯片分别与其两侧的铜板电气连接，使所述N颗TVS芯片串联连接；而且，所述叠装结构两端的铜板分别引出一条引线并伸出所述塑封体；其中，N不小于2。

【技术特征摘要】
1.一种新型大功率瞬态电压抑制二极管，其特征在于，包括：N颗TVS芯片、N+1块铜板和用于包覆所述TVS芯片与所述铜板的塑封体；其中，所述N+1块铜板叠层设置在一起，形成一叠装结构，且每两块相邻设置的铜板之间安装一颗所述TVS芯片，每颗所述TVS芯片分别与其两侧的铜板电气连接，使所述N颗TVS芯片串联连接；而且，所述叠装结构两端的铜板分别引出一条引线...

【专利技术属性】
技术研发人员：邱志述，
申请(专利权)人：乐山无线电股份有限公司，
类型：新型
国别省市：四川,51