用于电子封装件的封装盖和制造方法技术

技术编号:21144391 阅读:21 留言:0更新日期:2019-05-18 06:07
本文公开了用于电子封装件的封装盖和制造方法。一种用于电子封装件的封装盖包括具有设置有允许光通过的至少一个光学元件的前壁的盖体。光学元件通过包覆模制到前壁的贯通通道中来被插入封装盖中。光学元件的正面相对于前壁的正面向后地被设置。制造封装盖的方法包括在光学元件之上形成牺牲间隔物的叠层,其中叠层放置在模具的腔室中。

【技术实现步骤摘要】
用于电子封装件的封装盖和制造方法优先权要求本申请要求于2017年11月6日提交的法国专利申请No.1760391的优先权,其全部内容在法律允许的最大程度上通过引用整体并入本文。
本专利技术的实施例涉及封装件领域,尤其涉及旨在包含包括光辐射发射器和/或光辐射传感器的电子芯片的封装件,其可以通俗地称为“电子封装件”。
技术介绍
已知的实践是产生包括安装在衬底晶片上的电子芯片和用于芯片的封装盖的电子封装件,这些盖安装在衬底晶片上。这些封装盖包括预制的盖体,这些盖体具有贯通通道和围绕这些通道的肩部并且设置有允许光通过的光学元件,这些光学元件通常由玻璃制成并且被添加到肩部并且通过粘合剂层被附接。因此,肩部与电子芯片之间的距离决定了光学元件与电子芯片之间的距离。
技术实现思路
根据一个实施例,提供了一种用于电子封装件的封装盖,该盖包括盖体,该盖体包括设置有允许光通过的至少一个光学元件的前壁或正面壁,该光学元件通过包覆模制被插入到前壁的贯通通道中,并且其中光学元件具有相对于前壁的正面向后设置的正面。盖体可以包括相对于前壁突出的外围壁。盖体可以包括相对于前壁突出以界定两个腔室的内壁,前壁具有两个贯通通道并且分别设置有面向所述腔室的两个光学元件。还提供了一种电子封装件,该封装件包括:衬底晶片、安装在衬底晶片的表面之上的包括至少一个光学传感器和/或一个光学发射器的至少一个电子部件、以及安装在衬底晶片的所述表面上以便形成电子部件所在的腔室的诸如上述限定的封装盖,封装盖的前壁位于电子部件前面。电子部件可以穿过封装盖的内壁。还提供了一种电子封装件,该封装件包括:衬底晶片、安装在衬底晶片的表面之上的包括至少一个光学传感器和/或一个光学发射器的至少两个电子部件、以及安装在衬底晶片的所述表面上以便形成电子部件分别所在的两个腔室的诸如上述限定的封装盖,封装盖的前壁位于电子部件前面。还提供了一种用于制造用于电子封装件的至少一个封装盖的方法,该方法包括以下步骤:在模具的两个部分之间界定的腔室的两个相对表面之间在一个位置处形成至少一个叠层,该叠层包括在彼此之上的牺牲间隔物和光学元件,光辐射能够穿过光学元件,使得牺牲间隔物的表面和光学元件的表面分别与模具的腔室的表面接触;将涂层材料注入所述腔室中并且固化涂层材料,以便获得模制晶片,其中涂层材料形成具有贯通通道的至少一个盖体,光学元件通过包覆模制被插入该贯通通道中;以及从模具中取出模制晶片并且去除牺牲间隔物,以便获得至少一个封装盖。该方法可以包括在距光学元件一定距离处切割穿过所述模制晶片的盖体的后续步骤。附图说明现在将通过附图所示的示例性实施例来描述包括封装盖和制造模式的电子封装件,在附图中:图1示出了沿着图2的I-I的电子封装件的纵向截面;图2示出了沿着图1的II-II的图1的电子封装件的水平截面;图3示出了沿着图2的III-III的图1的电子封装件的横向截面;图4示出了在打开状态中在模具中制造封装盖的步骤;图5示出了在闭合状态中在图4的模具中制造封装盖的另一步骤;图6示出了在闭合状态中在图4的模具中制造封装盖的另一步骤;以及图7示出了得自模具的封装盖的截面。具体实施方式图1至图3示出了电子封装件1,电子封装件1包括衬底晶片2和封装盖4,衬底晶片2包括从该晶片的一个表面到另一表面的电连接3的网络,封装盖4包括盖体5,盖体5由模制材料制成并且包括平行于衬底晶片2的前壁或正面壁6和向后延伸的外围壁7,外围壁7的后端边缘7a通过粘合剂珠9附接到衬底晶片2的正面8的外围区域,以便界定腔室10。电子封装件1包括电子芯片11,电子芯片11安装在腔室10中并且具有与衬底晶片2的正面8接合的背面12,封装盖4与芯片11相距一定距离,前壁6位于电子芯片11前面。根据所示的示例,芯片11在其正面13包括彼此纵向远离的两个光学传感器14和15。封装盖4的盖体5包括从前壁6突出的横向内部分隔隔板16,并且连结外围壁7的两个相对侧。内部分隔隔板16将腔室10分成两个腔室17和18,并且在一个位置处横跨芯片11,使得传感器14和15在腔室17和18内部位于任一侧并且与内部分隔隔板16相距一定距离。内部分隔隔板16具有后边缘19,后边缘19设置有凹口20,芯片16穿过凹口20。粘合剂珠21被插入在后边缘19与衬底晶片2的正面8的位于芯片11的任一侧的区域之间以及凹口20与芯片11的正面13和侧面13a的区域之间。芯片11通过电线22连接到衬底晶片2的电连接3的网络。在芯片11旁边的接合到衬底晶片2的正面8的电子芯片23安装在腔室18内。芯片23在其正面24包括光辐射发射器25并且它通过电线26连接到电连接3的网络。封装盖4的盖体5的前壁6具有贯通开口27和28,贯通开口27和28分别设置有允许光在腔室17和18与外部之间穿过的光学元件29和30。衬底晶片2、封装盖4的盖体5、粘合剂珠9和粘合剂珠21由不透明材料制成。电子封装件1可以以下面的方式操作。芯片11的发射器25通过光学元件30向外发射光,例如红外辐射。存在于腔室18中的光辐射由芯片11的传感器15检测。芯片11的传感器14检测通过光学元件29的外部光辐射。光学元件29和30可以由玻璃制成,并且它们中的任一个或两个可以被处理以便形成透镜和/或滤光器。例如,光学元件29可以被处理以便形成红外滤光器和用于将光朝向传感器14聚焦的光学透镜。有利地,电子封装件1可以构成用于通过处理从传感器14和15产生的信号来检测封装盖4前面的主体的接近的装置。封装盖4通过将盖体5包覆模制(overmolding)在光学元件29和30周围来获得。光学元件29和30可以具有不同的轮廓和不同的厚度。根据所示的示例,光学元件29是平行六面体,并且具有位于前壁6的正面6a的平面中的前面或正面31和相对于前壁6的背面6b向前设置(即,偏移)的背面32。盖体5的贯通通道27在光学元件29的背面的周边后面具有后内肩部33。此外,光学元件30是平行六面体,并且具有相对于前壁6的正面6a向后设置(即,偏移)的正面34和在前壁6的背面6b的平面中的背面35。盖体5的贯通通道28在光学元件30的正面34的周边前面具有前内肩部36。现在将描述通过晶片级包覆模制制造工艺产生的这种封装盖4的一个实施例。如图4所示,模具100包括适合于在相邻位置103处的多个封装盖4的晶片级制造的下部部分101和上部部分102。模具100的下部部分101包括基部104,基部104包括由粘合材料层106覆盖的上部平坦表面105,该层106具有平坦的上表面107。在每个位置103处,光学元件29放置在模具100的下部部分101的表面107之上,光学元件29的表面31接合到模具10的部分101的粘合剂层106。此外,包括由粘合材料制成的牺牲间隔物109的叠层108形成在模具100的下部部分101的表面107之上,并且光学元件30形成在牺牲间隔物109之上。间隔物109接合到粘合剂层106,并且光学元件30的表面34接合到牺牲间隔物109。光学元件29和30被放置以便与要获得的封装盖4的光学元件相对应。牺牲间隔物109的厚度对应于光学元件30的表面34与要获得的封装盖的壁6的正面之间的距离。在牺牲间隔物109周围,在光学元件30的表面3本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于电子封装件的封装盖,包括:盖体,包括设置有允许光通过的光学元件的前壁;其中所述前壁包括贯通通道,所述光学元件通过包覆模制被插入所述贯通通道内;以及其中所述光学元件具有相对于所述前壁的正面向后地被设置的正面。

【技术特征摘要】
2017.11.06 FR 17603911.一种用于电子封装件的封装盖,包括:盖体,包括设置有允许光通过的光学元件的前壁;其中所述前壁包括贯通通道,所述光学元件通过包覆模制被插入所述贯通通道内;以及其中所述光学元件具有相对于所述前壁的正面向后地被设置的正面。2.根据权利要求1所述的盖,其中所述盖体包括相对于所述前壁突出的外围壁。3.根据权利要求1所述的盖,其中所述盖体包括相对于所述前壁突出以界定第一腔室和第二腔室的内壁,所述贯通通道面向所述第一腔室;并且所述前壁进一步包括面向所述第二腔室的另外的贯通通道,另外的光学元件通过包覆模制被插入所述另外的贯通通道内。4.根据权利要求3所述的盖,其中所述另外的光学元件具有与所述前壁的所述正面共面的正面。5.根据权利要求4所述的盖,其中所述另外的光学元件的背面相对于所述前壁的背面向后地被设置。6.根据权利要求1所述的盖,其中所述光学元件的背面相对于所述前壁的背面共面。7.一种电子封装件,包括:衬底晶片;至少一个电子部件,被安装在所述衬底晶片的表面之上;以及封装盖,被安装在所述衬底晶片的所述表面上以便形成腔室,所述至少一个电子部件位于所述腔室中;其中所述封装盖包括:盖体,包括设置有允许光通过的光学元件的前壁;其中所述前壁包括贯通通道,所述光学元件通过包覆模制被插入所述贯通通道中;以及其中所述光学元件具有相对于所述前壁的正面向后地被设置的正面;所述封装盖的所述前壁位于所述电子部件前面。8.根据权利要求7所述的封装件,其中所述至少一个电子部件包括至少一个光学传感器和/或一个光学发射器。9.根据权利要求7所述的封装件,其中所述至少一个电子部件穿过所述封装盖的...

【专利技术属性】
技术研发人员:K·萨克斯奥德JM·里维雷
申请(专利权)人:意法半导体格勒诺布尔二公司
类型:发明
国别省市:法国,FR

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