半导体装置制造方法及图纸

本发明专利技术的半导体装置，包括：封装部；第一电子元件，配置在封装部内，并且其上端面配置有第一电极；第一引线端子，其一端的上端面在封装部内载置有第一电子元件，其另一端从沿封装部的长度方向的一端侧露出；第二引线端子，其一端在封装部内与第一引线端子的一端靠近配置，其另一端从沿封装部的长度方向的另一端侧露出；第一连接件，配置在封装部内，其一端与第一电子元件的第一电极电气连接，其另一端与第二引线端子的一端电气连接；以及导电性接合材料，将第一连接件的另一端与第二引线端子的一端之间接合并且具有导电性。

Semiconductor Device

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体装置
本专利技术涉及半导体装置。
技术介绍
以往，作为电子模块等半导体装置中的一种，将从直流电源输入的直流电力转换为交流电力后进行输出的逆变器(Inverter)装置已被普遍认知。逆变器装置例如是将直流电压转换为三相交流电压，并被用于三相电机的驱动。例如，在以往的半导体装置中，是将高端(High-side)与低端(Low-side)的电子元件(MOSFET)的电极与引线端子(引线框(Leadframe))通过连接件焊锡接合的(例如，参照特开2011-49244)。在该以往的半导体装置中，通过将连接件的前端嵌入形成于引线端子前端表面的凹陷部中，从而将引线端子与连接件进行相对定位。然而，一旦当连接件被施加了水平方向的力，该引线端子的凹陷部就无法保持与该连接件的嵌合状态，从而导致产生错位。一旦该连接件在连接上发生接触不良的状况，就会降低该电子元件的控制性从而导致半导体装置的可靠性降低。另外，为了提升半导体装置的可靠性，有必要将引线端子进行适宜地封装。本专利技术鉴于上述课题，目的是提供一种半导体装置，其能够使连接件再规定的位置上与引线端子相连接，并且能够在抑制接触不良的同时，将引线端子在封装时适宜地进行模塑固定(Moldlock)，从而提升可靠性。
技术实现思路
本专利技术的一种形态涉及的半导体装置，其特征在于，包括：封装部；第一电子元件，配置在所述封装部内，并且其上端面配置有第一电极；第一引线端子，其一端的上端面在所述封装部内载置有所述第一电子元件，其另一端从沿所述封装部的长度方向的一端侧露出；第二引线端子，其一端在所述封装部内与所述第一引线端子的一端靠近配置，其另一端从沿所述封装部的所述长度方向的另一端侧露出；第一连接件，配置在所述封装部内，其一端与所述第一电子元件的所述第一电极电气连接，其另一端与所述第二引线端子的所述一端电气连接；以及导电性接合材料，将所述第一连接件的所述另一端与所述第二引线端子的所述一端之间接合并且具有导电性，其中，在所述第二引线端子的所述一端的上端面上配置有：在将所述第一连接件的所述另一端与所述第二引线端子的所述一端之间接合时用于封堵溶融后的所述导电性接合材料的，并且从所述第二引线端子的所述一端的所述上端面突出的壁部。在所述半导体装置中，所述壁部与所述第一连接件的所述另一端相接触。在所述半导体装置中，所述第一电子元件的所述第一电极为所述第一电子元件的控制电极。在所述半导体装置中，所述导电性接合材料被形成为在进行所述接合时通过表面张力与所述壁部接触。在所述半导体装置中，所述第二引线端子的所述一端的上端面上的所述壁部的高度比所述第二引线端子的所述一端的上端面上的所述导电性接合材料的高度更高。在所述半导体装置中，所述壁部配置在所述第二引线端子的所述一端的所述上端面上使其与所述第二引线端子的所述一端所延伸的延伸方向相垂直延伸。在所述半导体装置中，在所述第二引线端子的所述一端的上端面上配置有多个所述壁部。在所述半导体装置中，所述导电性接合材料为焊锡材料。在所述半导体装置中，所述第一引线端子的厚度与所述第二引线端子的厚度相同。在所述半导体装置中，所述第二引线端子的一端的上端面的高度比所述第一电子元件的所述第一电极的上端面的高度更高。在所述半导体装置中，所述壁部延伸的长度与所述第二引线端子的所述一端的宽度相同。在所述半导体装置中，所述第一连接件的所述一端的宽度比所述第一连接件的所述另一端的宽度更窄，并且，所述第一连接件的所述另一端的宽度比所述第二引线端子的所述一端的宽度更窄，从所述第一连接件的所述一端连到所述另一端的第一侧面与所述第二引线端子所延伸的所述延伸方向相平行。在所述半导体装置中，所述第一连接件的所述第一侧面的相反侧即从所述一端连到所述另一端的第二侧面倾斜在所述第一连接件的所述一端与所述另一端之间，使所述第一连接件的所述另一端的宽度比所述一端的宽度更窄。在所述半导体装置中，进一步包括：第二电子元件，配置在所述封装部内，并且其上端面配置有第三电极；第三引线端子，其一端的上端面在所述封装部内载置有所述第二电子元件，其另一端从沿所述封装部的长度方向的另一端侧露出；以及第二连接件，配置在所述封装部内，其一端与配置在所述第一电子元件的上端面上的第二电极电气连接，其另一端与所述第三引线端子的所述一端电气连接，所述第二连接件在所述延伸方向上延伸，其中，所述第二连接件与所述第一连接件邻接配置，使在所述第二连接件的所述延伸方向上延伸的侧面与所述第一连接件的所述第一侧面相对。在所述半导体装置中，进一步包括：第四引线端子，其一端的上端面在所述封装部内与所述第三引线端子的一端靠近配置，其另一端从沿所述封装部的长度方向的另一端侧露出；第三连接件，配置在所述封装部内，其一端与所述第二电子元件的第三电极电气连接，其另一端与所述第四引线端子的所述一端电气连接；第五引线端子，其一端配置在所述封装部内，其另一端从沿所述封装部的长度方向的一端侧露出；以及第四连接件，配置在所述封装部内，其一端与配置在所述第二电子元件的上端面上的第四电极电气连接，其另一端与所述第五引线端子的所述一端电气连接，所述第四连接件在所述延伸方向上延伸，其中，所述第二电子元件的所述第三电极为所述第二电子元件的控制电极，配置在所述第一电子元件的下端面的电极与所述第一引线端子的一端的上端面电气连接，配置在所述第二电子元件的下端面的电极与所述第三引线端子的一端的上端面电气连接，所述第一电极与所述第二电极相比表面积更小，所述第三电极与所述第四电极相比表面积更小，在所述封装部的所述长度方向上，所述第一连接件的宽度比所述第二连接件的宽度更窄，在所述封装部的所述长度方向上，所述第三连接件的宽度比所述第四连接件的宽度更窄。专利技术效果本专利技术的一种形态所涉及的半导体装置，包括：封装部；第一电子元件，配置在封装部内，并且其上端面配置有第一电极；第一引线端子，其一端的上端面在封装部内载置有第一电子元件，其另一端从沿封装部的长度方向的一端侧露出；第二引线端子，其一端在封装部内与第一引线端子的一端靠近配置，其另一端从沿封装部的长度方向的另一端侧露出；第一连接件，配置在封装部内，其一端与第一电子元件的第一电极电气连接，其另一端与第二引线端子的一端电气连接；以及导电性接合材料，将第一连接件的另一端与第二引线端子的一端之间接合并且具有导电性。而且，在第二引线端子的一端的上端面上配置有：在将第一连接件的另一端与第二引线端子的一端之间接合时用于封堵溶融后的导电性接合材料的，并且从第二引线端子的一端的上端面突出的壁部。通过这样，在将第一连接件与第二引线端子连接时，由于第二引线端子的壁部成为了连接时的定位部，因此就能够在使第一连接件在规定的位置上连接的同时，将该壁部对第二引线端子进行模塑固定。即，根据本专利技术涉及的半导体装置，通过使连接件在规定的位置上与引线端子相连接，就能够在抑制接触不良的同时将引线端子在封装时适宜地进行模塑固定，从而提升半导体装置的可靠性。简单附图说明图1是展示第一实施方式涉及的半导体装置100的一例构成的外观斜视图。图2是展示图1所示的半导体装置100的一例构成的上端面图。图3是展示载置在封装前的引线框上的电子元件附近的一例构成的上端面图。图4是展示图1所示的半导体装置10本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置，其特征在于，包括：封装部；第一电子元件，配置在所述封装部内，并且其上端面配置有第一电极；第一引线端子，其一端的上端面在所述封装部内载置有所述第一电子元件，其另一端从沿所述封装部的长度方向的一端侧露出；第二引线端子，其一端在所述封装部内与所述第一引线端子的一端靠近配置，其另一端从沿所述封装部的所述长度方向的另一端侧露出；第一连接件，配置在所述封装部内，其一端与所述第一电子元件的所述第一电极电气连接，其另一端与所述第二引线端子的所述一端电气连接；以及导电性接合材料，将所述第一连接件的所述另一端与所述第二引线端子的所述一端之间接合并且具有导电性，其中，在所述第二引线端子的所述一端的上端面上配置有：在将所述第一连接件的所述另一端与所述第二引线端子的所述一端之间接合时用于封堵溶融后的所述导电性接合材料的，并且从所述第二引线端子的所述一端的所述上端面突出的壁部。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种半导体装置，其特征在于，包括：封装部；第一电子元件，配置在所述封装部内，并且其上端面配置有第一电极；第一引线端子，其一端的上端面在所述封装部内载置有所述第一电子元件，其另一端从沿所述封装部的长度方向的一端侧露出；第二引线端子，其一端在所述封装部内与所述第一引线端子的一端靠近配置，其另一端从沿所述封装部的所述长度方向的另一端侧露出；第一连接件，配置在所述封装部内，其一端与所述第一电子元件的所述第一电极电气连接，其另一端与所述第二引线端子的所述一端电气连接；以及导电性接合材料，将所述第一连接件的所述另一端与所述第二引线端子的所述一端之间接合并且具有导电性，其中，在所述第二引线端子的所述一端的上端面上配置有：在将所述第一连接件的所述另一端与所述第二引线端子的所述一端之间接合时用于封堵溶融后的所述导电性接合材料的，并且从所述第二引线端子的所述一端的所述上端面突出的壁部。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：其中，所述壁部与所述第一连接件的所述另一端相接触。3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于：其中，所述第一电子元件的所述第一电极为所述第一电子元件的控制电极。4.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于：其中，所述导电性接合材料被形成为在进行所述接合时通过表面张力与所述壁部接触。5.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于：其中，所述第二引线端子的所述一端的上端面上的所述壁部的高度比所述第二引线端子的所述一端的上端面上的所述导电性接合材料的高度更高。6.根据权利要求5所述的半导体装置，其特征在于：其中，所述壁部配置在所述第二引线端子的所述一端的所述上端面上使其与所述第二引线端子的所述一端所延伸的延伸方向相垂直延伸。7.根据权利要求5所述的半导体装置，其特征在于：其中，在所述第二引线端子的所述一端的上端面上配置有多个所述壁部。8.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于：其中，所述导电性接合材料为焊锡材料。9.根据权利要求6所述的半导体装置，其特征在于：其中，所述第一引线端子的厚度与所述第二引线端子的厚度相同。10.根据权利要求6所述的半导体装置，其特征在于：其中，所述第二引线端子的一端的上端面的高度比所述第一电子元件的所述第一电极的上端面的高度更高。11.根据权利要求6所述的半导体装置，其特征在于：其中，所述壁部延伸的长度与所述第二引线端子的所述一端的宽度相同。12.根据权利要求6所述的半导体装置，其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员：神山悦宏，
申请(专利权)人：新电元工业株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP