【技术实现步骤摘要】
化合物以及包括其的光电器件、图像传感器、和电子设备对相关申请的交叉引用本申请要求于2017年10月20日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2017-0136882的优先权,将其全部内容引入本文中作为参考。
实例实施方式涉及化合物以及包括其的光电器件、图像传感器、和电子设备。
技术介绍
光电器件利用光电效应将光转换成电信号,它可包括光电二极管、光电晶体管等,并且它可应用于图像传感器、太阳能电池、发光器件等。包括光电二极管的图像传感器可具有高的分辨率且因而小的像素。目前,硅光电二极管被广泛地使用,但是它具有恶化的灵敏度,因为它由于小的像素而具有小的吸收面积。因此,已经研究了能够代替硅的有机材料。有机材料具有高的消光系数并且取决于分子结构而选择性地吸收在特定波长区域中的光,且因而可同时代替光电二极管和滤色器并且结果改善灵敏度和对高的集成作贡献。
技术实现思路
实例实施方式提供能够选择性地吸收在绿色波长区域中的光且具有改善的热稳定性的化合物。实例实施方式还提供能够选择性地吸收在绿色波长区域中的光并且在高温工艺期间保持改善的效率的光电器件(例如,有机光电器件)。实例实施方式还提供包括所述光电器件(例如,有机光电器件)的图像传感器。实例实施方式还提供包括所述图像传感器的电子设备。根据实例实施方式,提供由化学式1表示的化合物。[化学式1]在化学式1中,Ar3可为如下之一:取代或未取代的具有两个羰基的烃环基团、取代或未取代的具有两个羰基的杂环基团、或其稠合的环,R1-R3可独立地为如下之一:氢、氘、取代或未取代的C1-C30烷基、取代或未取代的C1-C30烷氧基、 ...
【技术保护点】
1.由化学式1表示的化合物:[化学式1]
【技术特征摘要】
2017.10.20 KR 10-2017-01368821.由化学式1表示的化合物:[化学式1]其中,在化学式1中,Ar3为如下之一:取代或未取代的具有两个羰基的烃环基团、取代或未取代的具有两个羰基的杂环基团、或其稠合的环,R1-R3独立地为如下之一:氢、氘、取代或未取代的C1-C30烷基、取代或未取代的C1-C30烷氧基、取代或未取代的C6-C30芳基、取代或未取代的C3-C30杂芳基、卤素、氰基(-CN)、含有氰基的基团、或其组合,R1和R2独立地存在或彼此连接以提供环,Ar1和Ar2独立地为如下之一:取代或未取代的C6-C30芳烃基团、取代或未取代的C3-C30杂芳烃基团、或其以稠环形式的组合,和G为如下之一:-(CRdRe)n-、-O-、-S-、-Se-、-N=、-NRf-、-SiRgRh-、-SiRggRhh-、-GeRiRj-、-GeRiiRjj-、-(C(Rm)=C(Rn))-、-(C(Rmm)=C(Rnn))-、或单键,其中Rd、Re、Rf、Rg、Rh、Ri、Rj、Rm、和Rn独立地为如下之一:氢、卤素、取代或未取代的C1-C10烷基、或者取代或未取代的C6-C10芳基,其中Rgg、Rhh、Rii、Rjj、Rmm、和Rnn独立地为如下之一:取代或未取代的C1-C10烷基、或者取代或未取代的C6-C10芳基,并且Rgg和Rhh、Rii和Rjj、或者Rmm和Rnn的至少一对彼此连接以提供环结构,且-(CRdRe)n-中的n为1或2。2.如权利要求1所述的化合物,其中,在化学式1中,Ar3为由化学式2A表示的环状基团:[化学式2A]其中,在化学式2A中,Y1为N或CRa之一,其中Ra为如下之一:氢、氘、或者取代或未取代的C1-C10烷基,R11、R12、R13、R14、和R15为如下之一:氢、氘、取代或未取代的C1-C30烷基、取代或未取代的C6-C30芳基、取代或未取代的C4-C30杂芳基、卤素、氰基(-CN)、含有氰基的基团、或其组合,或者R12和R13以及R14和R15独立地彼此连接以提供芳族环,m1为0或1,化学式2A中的n为0或1,和*为连接点。3.如权利要求1所述的化合物,其中,在化学式1中,Ar3为由化学式2B表示的环状基团:[化学式2B]其中,在化学式2B中,Y2为O、S、Se、Te、或C(Ra)(CN)之一,其中Ra为如下之一:氢、氰基(-CN)、或C1-C10烷基,R11和R12独立地为如下之一:氢、氘、取代或未取代的C1-C30烷基、取代或未取代的C1-C30烷氧基、取代或未取代的C6-C30芳基、取代或未取代的C4-C30杂芳基、卤素、氰基(-CN)、或其组合,和*为连接点。4.如权利要求1所述的化合物,其中在化学式1中,Ar3为由化学式2C表示的环状基团:[化学式2C]其中,在化学式2C中,G1为-S-、-Se-、-GeRxRy-、或-Te-之一,其中Rx和Ry相同或不同且独立地为如下之一:氢、卤素、取代或未取代的C1-C10烷基、或者取代或未取代的C6-C10芳基,R11和R12相同或不同且独立地为如下之一:氢、氘、取代或未取代的C1-C30烷基、取代或未取代的C1-C30烷氧基、取代或未取代的C6-C30芳基、取代或未取代的C4-C30杂芳基、卤素、氰基、含有氰基的基团、或其组合,和*为连接点。5.如权利要求1所述的化合物,其中在化学式1中,Ar3为由化学式2D表示的环状基团:[化学式2D]其中,在化学式2D中,G2为如下之一:-S-、-Se-、-GeRxRy-、或-Te-,其中Rx和Ry相同或不同且独立地为如下之一:氢、卤素、取代或未取代的C1-C10烷基、或者取代或未取代的C6-C10芳基,R11和R12相同或不同且独立地为如下之一:氢、氘、取代或未取代的C1-C30烷基、取代或未取代的C1-C30烷氧基、取代或未取代的C6-C30芳基、取代或未取代的C4-C30杂芳基、卤素、氰基、含有氰基的基团、或其组合,和*为连接点。6.如权利要求1所述的化合物,其中在化学式1中,Ar1和Ar2的至少一个在1位上包括杂原子,和所述杂原子为如下之一:氮(N)、硫(S)、或硒(Se)。7.如权利要求1所述的化合物,其中化学式1中的含N的杂芳族环电子给体部分由化学式4A表示:[化学式4A]其中,在化学式4A中,G为如下之一:-(CRdRe)n-、-O-、-S-、-Se-、-N=、-NRf-、-SiRgRh-、-SiRggRhh-、-GeRiRj-、-GeRiiRjj-、-(C(Rm)=C(Rn))-、-(C(Rmm)=C(Rnn))-、或单键,其中Rd、Re、Rf、Rg、Rh、Ri、Rj、Rm、和Rn独立地为如下之一:氢、卤素、取代或未取代的C1-C10烷基、或者取代或未取代的C6-C10芳基,其中Rgg、Rhh、Rii、Rjj、Rmm、和Rnn独立地为如下之一:取代或未取代的C1-C10烷基、或者取代或未取代的C6-C10芳基,并且Rgg和Rhh、Rii和Rjj、或者Rmm和Rnn的至少一对彼此连接以提供环结构,且-(CRdRe)n-中的n为1或2,和R4a-R4d和R5a-R5d独立地为如下之一:氢、取代或未取代的C1-C30烷基、取代或未取代的C6-C30芳基、取代或未取代的C3-C30杂芳基、卤素、氰基(-CN)、含有氰基的基团、或其组合,或者R4a-R4d的两个相邻的基团彼此连接以提供5元芳族环或6元芳族环,或者R5a-R5d的两个相邻的基团彼此连接以提供5元芳族环或6元芳族环。8.如权利要求1所述的化合物,其中化学式1中的含N的杂芳族环电子给体部分由化学式4B表示:[化学式4B]其中,在化学式4B中,G为如下之一:-(CRdRe)n-、-O-、-S-、-Se-、-N=、-NRf-、-SiRgRh-、-SiRggRhh-、-GeRiRj-、-GeRiiRjj-、-(C(Rm)=C(Rn))-、-(C(Rmm)=C(Rnn))-、或单键,其中Rd、Re、Rf、Rg、Rh、Ri、Rj、Rm、和Rn独立地为如下之一:氢、卤素、取代或未取代的C1-C10烷基、或者取代或未取代的C6-C10芳基,其中Rgg、Rhh、Rii、Rjj、Rmm、和Rnn独立地为如下之一:取代或未取代的C1-C10烷基、或者取代或未取代的C6-C10芳基,并且Rgg和Rhh、Rii和...
【专利技术属性】
技术研发人员:申智琇,崔容硕,柴田胜则,崔泰溱,尹晟荣,权五逵,金相模,涩谷宽政,李启滉,陈勇完,崔惠成,白铁,洪慧林,
申请(专利权)人:三星电子株式会社,
类型:发明
国别省市:韩国,KR
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