The invention discloses a nanometer device with negative differential resistance and switching action based on copper selenide monolayer, belonging to the technical field of nanometer scale electronic devices. The main points of the technical scheme of the invention are as follows: a nanometer device with negative differential resistance and switching effect based on copper selenide monolayer, which is composed of copper selenide monolayer with hexagonal honeycomb structure, is realized by designing four-electrode double-circuit system on hexagonal honeycomb copper selenide monolayer with graphene-like structure along the direction of armchair and zigzag respectively. Negative differential resistance and switching action.
【技术实现步骤摘要】
基于硒化铜单层的具有负微分电阻和开关作用的纳米器件
本专利技术属于纳米尺度电子器件
,具体涉及一种基于硒化铜单层的具有负微分电阻和开关作用的纳米器件。
技术介绍
随着科技和微加工技术的快速发展,电子器件已朝着更小(即结构尺度更小)、更快(反应速度更快)和更冷(功耗低、发热少)的趋势发展,越来越接近于分子甚至原子尺度。纳米电子器件已引起世界范围内的广泛关注和极大研究兴趣。自从石墨烯在2004年被成功制备之后,因其独特的力学、电子和输运特性,二维材料已引起当今科学界的极大研究热潮。包括诸如石墨烯、氮化硼(h-BN)、过渡金属硫化物、磷烯、MX烯、锡烯、锗烯、硅烯、硼烯等二维材料已被陆续制备出来。研究表明,诸多二维材料具有优异的光电性质,有望成为新一代的高性能纳米器件的关键材料。最近,中科院物理所Lin和Du课题组(GaoL.etal.,EpitaxialGrowthofHoneycombMonolayerCuSewithDiracNodalLineFermions,Adv.Mater.,30,1707055(2018))在国际上首次成功制备出了和石墨烯结构相同的六角蜂窝状硒化铜(CuSe)单层。他们采用分子束外延法在Cu(111)衬底上制备出了单层结构的硒化铜,并采用扫描隧道显微镜、角分辨光电子能谱和第一性原理计算方法确认了其六角蜂窝状结构。这种类石墨烯状的硒化铜单层拥有2个受到镜面反射对称性保护的二维狄拉克节点线费米子,在纳米器件领域具有潜在的应用价值。然而,对于这种具有六角蜂窝状结构的硒化铜单层的一些电学性质及其在纳米电子器件领域的应用还尚未有相关报 ...
【技术保护点】
1.基于硒化铜单层的具有负微分电阻和开关作用的纳米器件,其特征在于:所述纳米器件由具有六角蜂窝状结构的硒化铜单层构成。
【技术特征摘要】
1.基于硒化铜单层的具有负微分电阻和开关作用的纳米器件,其特征在于:所述纳米器件由具有六角蜂窝状结构的硒化铜单层构成。2.根据权利要求1所述的基于硒化铜单层的具有负微分电阻和开关作用的纳米器件,其特征在于:所述的硒化铜单层上根据原子排列位置在相互垂直的扶手椅型方向和锯齿型方向分别搭建电路组建四电极双电路系统,且在两个电路方向上能够自由切换档位,使其处于扶手椅型方向闭合回路或锯齿型方向闭合回路,当电路在扶手椅型方向构成闭合回路...
【专利技术属性】
技术研发人员:安义鹏,康军帅,焦聚涛,王天兴,焦照勇,张朝晖,笪海霞,
申请(专利权)人:河南师范大学,
类型:发明
国别省市:河南,41
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