【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种基于负微分电阻特性的SET/CMOS锁存器，包括一双栅单电子晶体管、一PMOS管和一NMOS管，其特征在于：所述PMOS管的源极连接电源电压Vdd，所述PMOS管的栅极作为所述锁存器的输入端，所述PMOS管的漏极作为所述锁存器的输出端并连接所述NMOS管的漏极和所述双栅单电子晶体管的一个栅极，所述NMOS管的栅极连接一基准电压Vg，所述NMOS管的源极连接所述双栅单电子晶体管的漏极，所述双栅单电子晶体管的另一个栅极连接一控制电压Vctrl，所述双栅单电子晶体管的源极接地。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：魏榕山，陈寿昌，于志敏，黄凤英，何明华，
申请(专利权)人：福州大学，
类型：发明
国别省市：
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