具有透射率不同的多个层的SiC半导体制造用部件及其制造方法技术

根据本发明专利技术的一个实施例，提供具有透射率不同的多个层的SiC半导体制造用部件，其包括：两个以上被叠层的层，且所述被叠层的层的各层包括SiC，与相邻的其他层具有不同的透射率值。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】具有透射率不同的多个层的SiC半导体制造用部件及其制造方法
本专利技术涉及在干式蚀刻工程中，为了利用晶片等基板制造半导体元件的SiC半导体制造用部件及其制造方法，更详细地，涉及具有透射率不同的多个层的SiC半导体层的SiC半导体制造用部件及其制造方法。技术背景通常，使用在半导体制造工程的等离子体处理技术作为干式蚀刻工程中的一个，是使用气体蚀刻对象的方法。这将蚀刻气体注入到反应容器内并电离之后，加速至晶片表面，随着以物理性、化学性去除晶片表面的工程。此方法便于蚀刻的调整，且生产性高，并且可进行数十nm水准的微细图案形成，而被广泛使用。为了在等离子体蚀刻的均匀地蚀刻，可要被考虑的参数(parameter)是要蚀刻层的厚度和密度、蚀刻气体的能量及温度、光刻胶的粘合性和晶片表面的状态及蚀刻气体的均匀性等。特别地，电离蚀刻气体，将电离的蚀刻气体加速至晶片表面，成为执行蚀刻原动力的无线电频率(RF；Radiofrequency)调整，可成为重要的参数，且在实际蚀刻过程中，被考虑为可直接并便于调整的参数。但是，实际以在干式蚀刻装置内形成蚀刻的晶片为基准时，使晶片表面整体具有均匀的能量分布，而挑本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种具有透射率不同的多个层的SiC半导体制造用部件，其包括：两个以上被叠层的层，且所述被叠层的层的各层包括SiC，与相邻的其他层具有不同的透射率值。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.08.18 KR 10-2016-0104727;2017.08.17 KR 10-2011.一种具有透射率不同的多个层的SiC半导体制造用部件，其包括：两个以上被叠层的层，且所述被叠层的层的各层包括SiC，与相邻的其他层具有不同的透射率值。2.根据权利要求1所述的具有透射率不同的多个层的SiC半导体制造用部件，其中，在所述被叠层的层的各层边界，色逐渐变化。3.根据权利要求1所述的具有透射率不同的多个层的SiC半导体制造用部件，其中，所述被叠层的层的各层组成相同。4.根据权利要求1所述的具有透射率不同的多个层的SiC半导体制造用部件，其中，所述被叠层的层，被叠层在石墨母材上。5.根据权利要求1所述的具有透射率不同的多个层的SiC半导体制造用部件，其中，在所述被叠层的层的各层边界，包括一个以上的非正常结晶的成长断绝。6.根据权利要求1所述的具有透射率不同的多个层的SiC半导体制造用部件，其中，所述半导体制造用部件作为等离子体处理装置部件，包括由环、电极单元及连接器形成的群中被选择的至少任何一个。7.根据权利要求1至6的任何一个所述的具有透射率不同的多个层的SiC半导体制造用部件，还包括：再生单元，包括形成在所述被叠层的层的至少一部分上的SiC。8.根据权利要求7所述的具有透射率不同的多个层的SiC半导体制造用部件，其中，包括所述SiC的再生单元及与所述再生单元相邻的被叠层的层间色不同。9.一种在具备多个原料气体喷射导入口的化学气相沉积室内，具有透射率不同的多个层的SiC半导体制造用部件的制造方法，其步骤包括：使用包括在所述多个原料气体喷射导入口中一部分的...

【专利技术属性】
技术研发人员：金桢一，
申请(专利权)人：韩国东海炭素株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国,KR