具有负微分电阻特性的混合SET/CMOS电路制造技术

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及集成电路
，特别是ー种具有负微分电阻特性的混合SET/CMOS电路。
技术介绍
当MOS管的特征尺寸随着摩尔定律的发展进入IOOnm以后，其可靠性及电学特性由于受到量子效应的影响面临着诸多的挑战。单电子晶体管(single-electrontransistor, SET)作为新型的纳米电子器件，有望成为MOS管进入纳米领域后的有力替代者。SET由库仑岛、栅极电容及两个隧穿结构成，主要通过栅极电压控制电子隧穿而形成电流，具有超小的尺寸和极低的功耗。此外，单电子晶体管还具备独特的库仑阻塞振荡特性及较高的电荷灵敏度等特性，能有效地降低电路的复杂程度。但是，由于SET具有较高传输延迟、较低输出电平的缺点，仅由SET构成的传统电路并不能获得所需的性能，且无法与目前成熟的大規模集成电路相兼容。共振隧穿ニ极管(RTD)由于其良好的负微分电阻(NDR)特性而得到了广泛的应用，但是其难与现阶段的集成电路エ艺相兼容，限制了其进ー步的发展。为此，研究人员提出了采用纯CMOS构成的具有负微分电阻特性的电路结构，虽然解决了エ艺兼容的问题，但是由于需要使用较多的晶体管，増大了电路面积。
技术实现思路
本技术的目的是提供ー种具有负微分电阻特性的混合SET/CM0S电路，实现了负微分电阻特性，该电路结构同时具有极低的功耗和较小的电路面积，在低功耗设计中有着重要的应用。本技术采用以下方案实现ー种具有负微分电阻特性的混合SET/CM0S电路，其特征在于包括一单电子晶体管SET及一 PMOS管，所述的PMOS管的源极与单电子晶体管SET的源极相连，单电子晶体管SET的栅极则与PMOS管的漏极相连。在本技术一实施例中，所述单电子晶体管SET由两个隧穿结通过库仑岛串联而成，外加的偏置电压由栅极电容耦合到库仑岛上，以控制器件的隧穿电流。与传统的共振隧穿ニ极管(RTD)相比，本技术采用的单电子晶体管和MOS管与当前的集成电路エ艺的兼容性更好；而与具有NDR特性的MOS管组成的电路相比，本技术仅仅使用了两个晶体管，因此具有更小的电路面积。本技术的电流处于nA级，并且有良好的波峰-波谷比(Peak to valley ratio, PTVR),在低功耗设计中能得到很好的应用。附图说明图I是单电子晶体管SET结构示意图。图2是本技术实施例的具有负微分电阻特性的混合SET/CM0S电路结构示意图。、图3是具有负微分电阻特性的混合SET/CM0S电路的仿真特性曲线图。具体实施方式以下结合附图及实施例对本技术做进ー步说明。本技术是指一种具有负微分电阻(negative differential resistance,NDR)特性的新型的混合SET/CM0S电路。该结构主要是利用SET的库仑阻塞和库仑振荡特性与传统的CMOS相结合，产生具有nA级电流的NDR特性。本实施例中，ー种具有负微分电阻特性的混合SET/CM0S电路，包括一单电子晶体管SET及一 P MOS管，所述的PMOS管的源极与单电子晶体管SET的源极相连。这里要说明的是，本技术要求保护的是硬件电路的连接特征，至于其它相关设计算法说明只是用于让一般技术人员更好的理解本技术。下面我们对本技术各部分电路结构及工作原理做具体的说明单电子晶体管是指利用电子电荷的粒子性和库仑阻塞振荡效应控制单个或少数几个电子转移的器件，其双栅结构如图I所示。单电子晶体管SET由两个隧穿结通过库仑岛串联而成。外加的偏置电压由栅极电容耦合到库仑岛上，以控制器件的隧穿电流。单电子晶体管的主要參数有隧穿结电容G和ら，隧穿结电阻ガけ和兄，栅极电容Cg和通过偏置电压控制电子隧穿，使单电子晶体管具有独特的库仑阻塞振荡特性。即在漏源两端电压固定下，随着栅压的増大，晶体管漏电流具有周期性变化。该特性必须满足两个条件才能产生(I)隧穿结的充电能必须大于环境温度引起的热涨落，即足=デ/^ΣΛ>4八式中。为隧穿结的充电能A为单电子晶体管的总电容，Cx=C+Cctrl+Cd+Cs -,e为元电荷么为玻尔兹曼常数'T为环境温度。(2)隧穿结的电阻必须远大于量子电阻，即め，R^R^h/θ2た25. 8ΚΩ，式中 为量子电阻;A为普朗克常量。与CMOS不同的是，单电子晶体管在较高的漏源电压4下并不会进入饱和状态·随着Kds的増大，库仑阻塞将会消失。因此，栅源电压Vgs和漏源电压Kds能同时控制单电子晶体管的库仑阻塞区。为了使单电子晶体管能正常地进行开关工作，其漏源两端电压必须满足|Kds|A/ら。此外，单电子晶体管还可以通过背栅电压Krtrt控制其电流特性。通过偏置不同的Krfrt，单电子晶体管的库仑阻塞振荡曲线会发生平移。I、本技术利用SET的基本原理，结合CMOS管的特性，提出了ー种具有NDR特性的混合SET/CM0S电路(简称为NDR电路)，其基本结构如图2所示。该NDR电路由ー个双栅SET及ー个PMOS管串联而成。PMOS管的源极与SET的源极相连，SET的栅极则与PMOS管的漏极相连。为了使单电子晶体管产生库仑阻塞现象，SET漏源两端电压必须满足|Kds|A/し·为此，图2中PMOS管的栅极偏置在固定电压Kp下，使SET漏源两端的电压Fds保持在ー个基本恒定的值I Vii-(Vf-VJ I，其中Kth是PMOS的阈值电压.该值必须设定得足够低，即小于e/ 此时，PMOS管偏置在亚阈值区。通过串联ー个PMOS管，SET的源端电压不会受到MOS管漏端电压Kd的影响，并且在V,的控制下产生库仑振荡和库仑阻塞特性.此夕卜，该电路采用双栅的SET结构，通过调整背栅电压Krtrt控制库仑振荡的相位，使电路获得合适的NDR特性，如图3所示。较佳的，本实施例中，具有负微分电阻特性的混合SET/CM0S电路中各器件參数为所述PMOS管的參数满足沟道宽度Wv为22 nm,沟道长度Zp为120nm，栅极电压Kpg为0.3 V，阈值电压Vth为-0. 46 V ;所述单电子晶体管SET的參数满足隧穿结电容らCd为O. 15aF，隧穿结电阻兄、A为IΜΩ，背栅电压Krfri为0V，背栅电容Gtri为O. 10 aF，栅极电容Cg为O. 2aF。具体请參见表一。本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.ー种具有负微分电阻特性的混合SET/CMOS电路，其特征在于包括一单电子晶体管SET及一 PMOS管，所述的PMOS管的源极与单电子晶体管SET的源极相连，单电子晶体管SET的栅极与PMOS管的漏极...

【专利技术属性】
技术研发人员：魏榕山，陈寿昌，陈锦锋，何明华，
申请(专利权)人：福州大学，
类型：实用新型
国别省市：