用于制造半导体器件的方法技术

本发明专利技术公开了用于制造半导体器件的方法。根据一种在晶圆上制造多个半导体器件的方法的实施例，该方法包括形成包括多个相同半导体器件结构的结构层；以及在该结构层上提供保护层。在多个半导体器件结构中的第一半导体器件结构上的保护层不同于在多个半导体器件结构中的第二半导体器件结构上的保护层。

【技术实现步骤摘要】
用于制造半导体器件的方法
本公开涉及集成电路芯片的制造，并且更特别地涉及制造可配置的集成电路芯片。
技术介绍
常规的解决方案包括在晶圆的制造完成以后测量关于目标值的器件偏差，并经由额外的处理来相应地补偿偏差。依据器件类型，目前使用不同的解决方案。例如，熔丝概念可以被用来在产品的在晶圆级的最终电气测试之后微调产品的电气特性。对于另一示例，将电流传感器嵌入在许多IC中以确保器件在电路启动或故障期间的持续监测和保护。激光熔丝可以被用来配置晶圆或晶圆上的器件。然而，激光熔丝的使用需要激光工具，所述激光工具可能引入负面影响，诸如晶圆的应力诱发开裂。
技术实现思路
根据一种在晶圆上制造多个半导体器件的方法的实施例，该方法包括形成包括多个相同半导体器件结构的结构层和在该结构层上提供保护层。在多个半导体器件结构中的第一半导体器件结构上的保护层不同于在多个半导体器件结构中的第二半导体器件结构上的保护层。根据一种半导体器件的实施例，该半导体器件包括具有半导体器件结构的结构层和在该结构层上的钝化层。该钝化层具有在电路元件上方的开口。将配置物质沉积在该开口中，该配置物质改变该电路元件的电气性质。根据一种用于制造多个半导体器件的晶圆的实施例，该晶圆包括：包括多个相同半导体器件结构的结构层，以及在该结构层上方的保护层。在多个相同半导体器件结构中的第一半导体器件结构上方的保护层不同于在多个相同半导体器件结构中的第二半导体器件结构上方的保护层。根据一种供在晶圆上制造半导体器件使用的工具的实施例，该工具包括被配置成将保护物质选择性地分配在晶圆上的分配器。根据一种供在晶圆上制造半导体器件使用的计算机可读介质的实施例，该计算机可读介质包括促使分配器将保护物质选择性地分配在晶圆上的位置处的数据，其中该数据包括晶圆上的位置。独立权利要求在各种方面限定本专利技术。从属权利要求在各种方面陈述根据本专利技术的实施例的特征。附图说明包括附图来提供对本专利技术的进一步理解，并且将该附图合并在本说明书中并且构成本说明书的一部分。绘图图示本专利技术的实施例并且连同描述一起用来解释本专利技术的原理。图1图示根据一些实施例的方法的流程图。图2A-2G图示根据一些实施例的可配置电路元件结构的透视图和横截面视图。图3A-3D图示根据一些实施例的可配置电路元件结构的横截面视图。图4A-4D图示根据一些实施例的可配置电路元件结构的顶视图。图5A-5B图示根据一些实施例的可配置电路元件结构的应用的示例的顶视图。图6A-6B图示根据一些实施例的可配置电路元件结构的应用的示例的顶视图。绘图的元件不一定相对于彼此按比例。相似的参考数字指定对应的类似部分。因为根据本专利技术的实施例的部件可以以许多不同取向来定位，所以可以使用方向性术语来达到说明的目的，然而，所述方向性术语绝不是限制性的，除非明确地相反声明。将容易地认识到根据本专利技术的其他实施例和本专利技术的许多预期优点，因为通过参考下面的详细描述，它们变得更好理解。要理解的是，在不偏离本专利技术的范围的情况下可以利用其他实施例并且可以做出结构或逻辑改变。因此，不要以限制性含义来理解下面的详细描述，并且由所附权利要求来限定本专利技术的范围。具体实施方式下面参考附图来公开实施例、实现方式和相关联的效果。图1图示根据一些实施例的方法的流程图。该方法可以用在制造半导体器件芯片中。该半导体芯片可以包括各种类型的有源和无源器件，诸如二极管、晶体管、晶闸管、电容器、电感器、电阻器、光电器件、传感器、微机电系统以及其他。在一些实施例中，该半导体器件芯片中的每一个都包括一个或多个集成电路、一个或多个存储器、模拟电路或混合信号电路。在一些实施例中，该半导体器件包括功率晶体管。在一些实施例中，该半导体器件包括传感器。在一些实施例中，将前面提到的元件中的至少两个组合在半导体器件芯片中例如以形成系统芯片。一般地，用于在晶圆上制造多个半导体器件的方法包括形成包括多个相似半导体器件结构的结构层。在一些实施例中，该相似半导体器件结构所有都是相同的。现在将参考图1来描述根据一些实现方式的示例性方法，该图1示出说明该示例性方法的流程图。在S110处，该方法包括提供包括多个半导体器件结构的晶圆。如在本领域中已知的，该晶圆通常可以被提供以进行前端处理。在一些实施例中，半导体器件结构形成集成电路的一部分。该半导体器件结构可以被配置用来形成无源电路元件，诸如电阻、电感和电容。进一步地，该半导体器件结构可以被配置成形成诸如晶体管的有源电路元件。技术人员将理解的是，在半导体器件结构被提供用来形成集成电路的情况下，可以将大量的无源电路元件和有源电路元件包括在单个半导体器件结构中。在一个示例中，该半导体器件结构将成为电流传感器芯片产品。在S120处，对晶圆进行加工。形成器件结构的一个或多个层。例如，形成包括具有金属结构的层和/或介电层的一个或多个层来提供该多个半导体器件结构。利用每个半导体器件结构，至少一个效果将能够形成一个产品，其中因此形成的产品基本上属于相同的产品类型，例如相同类型的集成电路管芯。在一些实现方式中，第一半导体器件结构与第一半导体器件相关联并且第二半导体器件结构与将同第一半导体器件分离的第二半导体器件相关联。在一些实现方式中，该第一半导体器件结构和第二半导体器件结构具有相同的器件几何结构。换言之，该第一半导体器件结构和第二半导体器件结构具有同样的布局。在一些实现方式中，该方法可以包括：取决于要利用晶圆制造的产品，针对晶圆上的一些半导体器件结构或每个半导体器件结构，制备该晶圆以用于选择性地容纳导电物质以便在晶圆上形成配置的电路元件。如将在下面示出且讨论的，因此使半导体器件结构包括适合于根据本文中公开的技术的配置或改变的可配置元件的结构。例如，单个可配置电路元件可以被用在配置数字和/或模拟可配置元件（诸如调谐元件）中，或者用来改变数字和/或模拟可配置元件。在一些实施例中，每个半导体器件结构都包括第一部分，其被配置用来提供将形成集成电路的部件的数字可配置元件。在一些实施例中，每个半导体器件结构都包括第二部分，其被配置用来提供也将形成集成电路的部件的模拟可配置元件。在一些实施例中，该半导体器件结构包括第一部分和第二部分二者。虽然在本文中为了简单，仅参考一个数字可配置调谐元件，但是应该理解的是，每个半导体器件结构可以设想其他可配置元件。例如，半导体器件结构的特定部分可以被配置用来执行某一信号处理或其他功能，并且为此该部分可以包括要根据如在下面参考配置调谐元件阐述的本公开而形成的切换元件。在一些实施例中，在半导体器件结构用来形成集成电路的情况下，该集成电路包括第一电路部分和多个第二电路部分，其中该可配置电路元件可配置成将第一电路部分电气连接至多个第二电路部分中的所选一个或所选多个。应该理解的是，在S110处提供晶圆以进行前端处理的动作可以包括用来形成多个半导体器件结构的常规前端处理步骤。虽然分开讨论用来在第一部分和第二部分中形成（一个或多个）可配置元件结构的、在S110处的提供晶圆的动作和在S120处的对晶圆进行加工的动作，就像要一个在另一个之后执行一样，但是顺序可以颠倒并且一个动作可以形成另一动作的一部分。特别地，形成第一电路部分和/或第二电路部分的动作可以在提供晶圆的动作之前或者被包括在提供晶圆本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种在晶圆上制造多个半导体器件的方法，该方法包括：形成包括多个相同半导体器件结构的结构层；以及在该结构层上提供保护层，其中在多个半导体器件结构中的第一半导体器件结构上的保护层不同于在多个半导体器件结构中的第二半导体器件结构上的保护层。

【技术特征摘要】
2017.07.21 US 15/6563881.一种在晶圆上制造多个半导体器件的方法，该方法包括：形成包括多个相同半导体器件结构的结构层；以及在该结构层上提供保护层，其中在多个半导体器件结构中的第一半导体器件结构上的保护层不同于在多个半导体器件结构中的第二半导体器件结构上的保护层。2.根据权利要求1所述的方法，其中该多个半导体器件结构中的第一半导体器件结构与多个半导体器件中的第一半导体器件相关联，并且该多个半导体器件结构中的第二半导体器件结构与多个半导体器件中的第二半导体器件相关联，该多个半导体器件中的第二半导体器件与该多个半导体器件中的第一半导体器件分离，以及其中该多个半导体器件结构中的第一半导体器件结构和该多个半导体器件结构中的第二半导体器件结构具有相同的器件几何结构。3.根据权利要求1所述的方法，其中提供保护层包括：在多个半导体器件上方形成具有多个相同开口的基底保护层；以及在基底保护层的开口中选择性地沉积保护物质。4.根据权利要求3所述的方法，该方法进一步包括：生成供在被配置成分配保护物质的分配设备的控制中使用的数据文件。5.根据权利要求3所述的方法，该方法进一步包括：测试该多个半导体器件结构。6.根据权利要求5所述的方法，该方法进一步包括：基于测试结果，导出要被配置的晶圆上的所选电路元件。7.根据权利要求6所述的方法，其中该所选电路元件包括导电耦合。8.根据权利要求1所述的方法，该方法进一步包括：在保护层上应用配置物质。9.根据权利要求8所述的方法，其中该配置物质包括来自由蚀刻剂、溶剂、氧化剂和复合成形剂组成的反应物的组的一种或多种反应物。10.根据权利要求9所述的方法，其中该保护层被配置成抵抗所述一种或多种反应物。11.根据权利要求10所述的方法，其中该保护层是光致抗蚀剂层。12.根据权利要求6所述的方法，其中该所选电路元件包括非导电贮器。13.根据权利要求8所述的方法，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：H胡贝尔，M克纳布尔，M米希茨，C斯贾罗韦洛，C特拉万，ACG伍德，
申请(专利权)人：英飞凌科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：德国,DE