半导体装置的制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术的半导体装置的制造方法至少具备以下4个工序。(A)工序，准备结构体(100)，所述结构体(100)具备：依次具有耐热性树脂层(10)、柔软性树脂层(20)和粘着性树脂层(30)的粘着性叠层膜(50)，以及粘贴于粘着性树脂层(30)上的1或2个以上的半导体芯片(70)；(B)工序，在粘贴于粘着性树脂层(30)上的状态下，确认半导体芯片(70)的动作；(C)工序，在工序(B)之后，从粘着性叠层膜(50)剥离耐热性树脂层(10)；(D)工序，在工序(C)之后，从粘着性树脂层(30)拾取半导体芯片(70)。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体装置的制造方法
本专利技术涉及半导体装置的制造方法。
技术介绍
在半导体装置的制造工序中，在将半导体晶片切割而获得半导体芯片之后，有时进行确认所得的半导体芯片是否正常地动作的工序。在该半导体芯片的动作确认工序中，例如，在高温或低温下进行半导体芯片的动作确认。通过这样操作，能够加速内部存在发生不良的因素的半导体芯片的劣化，能够使半导体芯片的初始不良提前发生，除去该次品。由此，能够成品率良好地获得可靠性优异的半导体芯片。作为这样的半导体芯片的动作确认的加速试验的相关技术，可举出例如，专利文献1(日本特开平10-163281号公报)所记载的技术。专利文献1中记载了一种半导体元件的制造方法，其特征在于，对于形成有多个半导体元件的半导体晶片实施切割，在保持着实施了该切割的半导体元件间的位置关系的状态下，将与检测器连接的接触端子按压在形成于上述半导体元件的电极上来进行电连接，在该连接的状态下，通过检测器来对半导体元件进行利用动作特性试验的检查，从而制造半导体元件。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开平10-163281号公报
技术实现思路
专利技术所要解决的课题根据本专利技术人的研究，关于专利文献1所记载的那样的以往的半导体装置的制造方法，发现了以下那样的课题。首先，本专利技术人认识到在以往的半导体装置的制造方法中，在高温或低温下进行半导体芯片的动作确认时，固定半导体芯片的粘着性膜会变形或熔融。在该情况下，引起粘着性膜上的半导体芯片的位置偏移，之后的半导体芯片的拾取不能很好地进行。进一步，根据本专利技术人的研究，明确了：如果为了抑制粘着性膜的变形、熔融而提高粘着性膜的耐热性，则虽然粘着性膜的变形、熔融被抑制而半导体芯片的位置偏移得以改善，但此时粘着性膜的伸缩性、柔软性恶化，半导体芯片的拾取不能很好地进行。即，以往的半导体装置的制造方法中，在高温或低温下的半导体芯片的动作确认之后的半导体芯片的拾取性方面有改善的余地。因此，在以往的半导体装置的制造方法中，从良好地进行半导体芯片的拾取的观点出发，如图4所示那样，必须将粘着性膜50A上的半导体芯片70A先拾取至芯片托盘80A等，然后利用机械臂移送半导体芯片70A以配置于检查台90A，进行高温或低温下的半导体芯片的动作确认，然后，再次将半导体芯片70A拾取至芯片托盘80A等，工序变得复杂。即，本专利技术人等发现了在以往的半导体装置的制造方法中，从兼顾切割工序至半导体芯片的动作确认工序之间的工序的简化以及半导体芯片的拾取性这样的观点考虑，具有改善的余地。本专利技术是鉴于上述情况而提出的，提供在能够简化切割工序至半导体芯片的动作确认工序之间的工序的同时，能够精度良好地拾取半导体芯片的半导体装置的制造方法。用于解决课题的方法本专利技术人等为了达成上述课题而反复进行了深入研究。其结果发现，通过使用依次具有耐热性树脂层、柔软性树脂层和粘着性树脂层的粘着性叠层膜来作为固定半导体芯片的膜，并且，在半导体芯片的拾取工序之前，剥离上述耐热性树脂层，从而能够兼顾切割工序至半导体芯片的动作确认工序之间的工序的简化和半导体芯片的拾取性，由此完成了本专利技术。根据本专利技术，提供以下所示的半导体装置的制造方法。[1]一种半导体装置的制造方法，其具备下述工序：工序(A)，准备结构体，所述结构体具备：依次具有耐热性树脂层、柔软性树脂层和粘着性树脂层的粘着性叠层膜，以及粘贴于上述粘着性树脂层上的1或2个以上的半导体芯片；工序(B)，在粘贴于上述粘着性树脂层上的状态下，确认上述半导体芯片的动作；工序(C)，在上述工序(B)之后，将上述耐热性树脂层从上述粘着性叠层膜剥离；工序(D)，在上述工序(C)之后，从上述粘着性树脂层拾取上述半导体芯片。[2]根据上述[1]所述的半导体装置的制造方法，上述工序(B)中，在0℃以下或50℃以上200℃以下的温度环境下，进行上述半导体芯片的动作确认。[3]根据上述[1]或[2]所述的半导体装置的制造方法，在上述工序(D)之前，进一步具备工序(E)：对于上述粘着性叠层膜照射放射线，使上述粘着性树脂层交联，从而降低上述粘着性树脂层对上述半导体芯片的粘着力。[4]根据上述[1]～[3]中任一项所述的半导体装置的制造方法，上述工序(D)中，在使上述粘着性树脂层中的粘贴有上述半导体芯片的区域在膜的面内方向上扩张，使相邻的上述半导体芯片间的间隔扩大的状态下，从上述粘着性树脂层拾取上述半导体芯片。[5]根据上述[1]～[4]中任一项所述的半导体装置的制造方法，上述耐热性树脂层的熔点为200℃以上，或上述耐热性树脂层不具有熔点。[6]根据上述[1]～[5]中任一项所述的半导体装置的制造方法，上述柔软性树脂层的熔点为100℃以上250℃以下。[7]根据上述[1]～[6]中任一项所述的半导体装置的制造方法，构成上述耐热性树脂层的耐热性树脂包含选自由聚酰亚胺、聚酰胺和聚酯所组成的组中的一种或两种以上。[8]根据上述[1]～[7]中任一项所述的半导体装置的制造方法，构成上述柔软性树脂层的柔软性树脂包含选自由聚酯系弹性体、聚酰胺系弹性体、聚酰亚胺系弹性体和聚对苯二甲酸丁二醇酯所组成的组中的一种或两种以上。[9]根据上述[1]～[8]中任一项所述的半导体装置的制造方法，构成上述粘着性树脂层的粘着剂包含选自(甲基)丙烯酸系粘着剂、有机硅系粘着剂、氨基甲酸酯系粘着剂、烯烃系粘着剂和苯乙烯系粘着剂中的一种或两种以上。[10]根据上述[1]～[9]中任一项所述的半导体装置的制造方法，上述粘着性叠层膜的全光线透射率为85％以上。专利技术的效果根据本专利技术，能够提供在能简化切割工序至半导体芯片的动作确认工序之间的工序的同时，能够精度良好地拾取半导体芯片的半导体装置的制造方法。附图说明上述目的和其它目的、特征和优点通过以下所述的优选实施方式，及其所附带的以下附图来进一步明确。图1为表示本专利技术涉及的半导体装置的制造方法的一例的流程图。图2为示意性地示出本专利技术涉及的实施方式的粘着性叠层膜的结构的一例的截面图。图3为示意性地示出本专利技术涉及的实施方式的半导体装置的制造方法的一例的截面图。图4为示意性地示出以往的半导体装置的制造方法的一例的截面图。具体实施方式以下，对于本专利技术的实施方式，使用附图进行说明。另外，全部的附图中，同样的构成要素附上共同的符号，适当省略说明。此外，图为概略图，与实际的尺寸比率并不一致。此外，数值范围的“A～B”只要没有特别说明，就表示A以上B以下。此外，本实施方式中，所谓“(甲基)丙烯酸“，是指丙烯酸、甲基丙烯酸或者丙烯酸和甲基丙烯酸这两者。图1为表示本专利技术涉及的半导体装置的制造方法的一例的流程图。图2为示意性地示出本专利技术涉及的实施方式的粘着性叠层膜50的结构的一例的截面图。图3为示意性地示出本专利技术涉及的实施方式的半导体装置的制造方法的一例的截面图。本实施方式涉及的半导体装置的制造方法至少具备以下4个工序。(A)工序，准备结构体100，所述结构体100具备：依次具有耐热性树脂层10、柔软性树脂层20和粘着性树脂层30的粘着性叠层膜50，以及粘贴于粘着性树脂层30上的1或2个以上的半导体芯片70(B)工序，在粘贴于粘着性树脂层30上的状态下，确认半导体芯片70的动作(C)工序，在工序(B)之后，将耐热性树脂层10从粘着性叠层膜本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置的制造方法，其具备下述工序：工序(A)，准备结构体，所述结构体具备：依次具有耐热性树脂层、柔软性树脂层和粘着性树脂层的粘着性叠层膜，以及粘贴于所述粘着性树脂层上的1或2个以上的半导体芯片；工序(B)，在粘贴于所述粘着性树脂层上的状态下，确认所述半导体芯片的动作；工序(C)，在所述工序(B)之后，将所述耐热性树脂层从所述粘着性叠层膜剥离；工序(D)，在所述工序(C)之后，从所述粘着性树脂层拾取所述半导体芯片。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.03.30 JP 2016-0688541.一种半导体装置的制造方法，其具备下述工序：工序(A)，准备结构体，所述结构体具备：依次具有耐热性树脂层、柔软性树脂层和粘着性树脂层的粘着性叠层膜，以及粘贴于所述粘着性树脂层上的1或2个以上的半导体芯片；工序(B)，在粘贴于所述粘着性树脂层上的状态下，确认所述半导体芯片的动作；工序(C)，在所述工序(B)之后，将所述耐热性树脂层从所述粘着性叠层膜剥离；工序(D)，在所述工序(C)之后，从所述粘着性树脂层拾取所述半导体芯片。2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，所述工序(B)中，在0℃以下或50℃以上200℃以下的温度环境下，进行所述半导体芯片的动作确认。3.根据权利要求1或2所述的半导体装置的制造方法，在所述工序(D)之前，进一步具备工序(E)：对于所述粘着性叠层膜照射放射线，使所述粘着性树脂层交联，从而降低所述粘着性树脂层对所述半导体芯片的粘着力。4.根据权利要求1～3中任一项所述的半导体装置的制造方法，所述工序(D)中，在使所述粘着性树脂层中的粘贴有所述半导体芯片的区域...

【专利技术属性】
技术研发人员：林下英司，
申请(专利权)人：三井化学东赛璐株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP