【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】粘着性树脂膜和电子装置的制造方法
[0001]本专利技术涉及粘着性树脂膜和电子装置的制造方法
。
技术介绍
[0002]电子装置通常经由下述工序而制造:将半导体晶片的非电路形成面进行磨削以减薄半导体晶片的厚度的工序
(
背面研磨工序
)、
在磨削后的半导体晶片的非电路形成面上通过溅射等来形成电极的工序
(
背面金属工序
)
等
。
[0003]出于抑制由磨屑
、
磨削水等带来的半导体晶片的电路形成面的污染等目的,这些工序以在半导体晶片的电路形成面贴合有表面保护膜的状态来进行
。
[0004]对于如上述那样使用的表面保护膜,要求能够良好地追随半导体晶片的电路形成面的凹凸,并且剥离时能够没有残胶地剥离
。
[0005]作为半导体晶片表面保护膜,例如,专利文献1中公开了一种半导体晶片表面保护膜,其依次具有基材层
A、
粘着性吸收层
B
以及粘着性表层
C
,上述粘着性吸收层
B
由包含热固性树脂
b1
的粘着剂组合物形成,上述粘着性吸收层
B
在
25℃
以上且小于
250℃
的范围内的储能弹性模量
G
’
b
的最小值
G
’
bmin
为
0.001MPa
以上且小于
0. ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.
一种粘着性树脂膜,其为用于保护电子部件的电路形成面的粘着性树脂膜,依次具备基材层
、
凹凸吸收性树脂层以及粘着性树脂层,所述凹凸吸收性树脂层在
25℃
以上且小于
250℃
的范围内的储能弹性模量
G
’
b
的最小值
G
’
bmin
为
0.001MPa
以上且小于
0.1MPa
,并且
250℃
时的储能弹性模量
G
’
b250
为
0.005MPa
以上
0.3MPa
以下
。2.
根据权利要求1所述的粘着性树脂膜,
250℃
时的所述凹凸吸收性树脂层的损耗角正切
tan
δ
为
0.05
以上
1.2
以下
。3.
根据权利要求1或2所述的粘着性树脂膜,
30℃
时的所述凹凸吸收性树脂层的储能弹性模量
G
’
b30
为
0.1MPa
以上
。4.
根据权利要求1~3中任一项所述的粘着性树脂膜,所述凹凸吸收性树脂层为包含交联性树脂的层
。5.
根据权利要求4所述的粘着性树脂膜,所述交联性树脂包含选自由乙烯
‑
α
‑
烯烃共聚物和乙烯
‑
乙烯基酯共聚物所组成的组中的至少一种
。6.
根据权利要求5所述的粘着性树脂膜,所述乙烯
‑
乙烯基酯共聚物包含乙烯
‑
乙酸乙烯酯共聚物
。7.
根据权利要求1~6中任一项所述的粘着性树脂膜,其为背面研磨带
。8.
根据权利要求4~7中任一项所述的粘着性树脂膜,所述凹凸吸收性树脂层进一步包含交联助剂
。9.
根据权利要求8所述的粘着性树脂膜,所述交联助剂包含选自由二苯甲酮化合物
、
二乙烯基芳香族化合物
、
氰脲酸酯化合物
、
二烯丙基化合物
、
丙烯酸酯化合物
、
三烯丙基化合物
、
肟化合物和马来酰亚胺化合物所组成的组中的1种或2种以上
。10.
根据权利要求1~9中任一项所述的粘着性树脂膜,构成所述基材层的树脂包含选自由聚对苯二甲酸乙二醇酯
、
聚萘二甲酸乙二醇酯和聚酰亚胺所组成的组中的1种或2种以上
。11.
根据权利要求1~
10
中任一项所述的粘着性树脂膜,构成所述基材层的树脂包含聚萘二甲酸乙二醇酯
。12.
根据权利要求1~
11
中任一项所述的粘着性树脂膜,所述凹凸吸收性树脂层的厚度为
1...
【专利技术属性】
技术研发人员:畦崎崇,甲斐乔士,室伏贵信,木下仁,
申请(专利权)人:三井化学东赛璐株式会社,
类型:发明
国别省市:
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