非易失性存储器存储系统技术方案

提供了一种非易失性存储器存储系统。非易失性存储器存储系统包括多个存储器单元和存储器控制器，存储器控制器被配置为基于多个读取电压向非易失性存储器装置传输读取命令。非易失性存储器装置基于所述多个读取电压之中的第一读取电压对N个电平之中的第一电平执行第一读取操作，对所述多个存储器单元之中的响应于第一读取电压的导通单元的数量进行计数，根据导通单元的计数的数量与参考单元的数量的比较结果调整所述多个读取电压之中的将要用于对所述N个电平之中的第一电平或第二电平执行第二读取操作的第二读取电压的电平。

Nonvolatile memory storage system

A non-volatile memory storage system is provided. The non-volatile memory storage system includes a plurality of memory units and memory controllers, which are configured to transmit read commands to the non-volatile memory device based on a plurality of read voltages. The non-volatile memory device performs a first reading operation on the first level of N levels based on the first reading voltage of the plurality of reading voltages, counts the number of on-going units in the plurality of memory units responding to the first reading voltage, and counts the number of on-going units and the reference list according to the number of on-going units and the reference list. The comparison result of the number of elements adjusts the level of the second reading voltage of the plurality of read voltages to be used to perform the second reading operation on the first or second level of the N levels.

【技术实现步骤摘要】
非易失性存储器存储系统
专利技术构思涉及电子装置，更具体地，涉及一种非易失性存储器存储系统。
技术介绍
使用诸如硅(Si)、锗(Ge)、砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)等半导体实现半导体存储器装置。半导体存储器装置被划分为易失性存储器装置或非易失性存储器装置。非易失性存储器装置即使在电源中断时也保留其存储的数据。非易失性存储器装置的示例是只读存储器(ROM)、可编程ROM(PROM)、电可编程ROM(EPROM)、电可擦除可编程ROM(EEPROM)、闪速存储器装置、相变RAM(PRAM)、磁性RAM(MRAM)、电阻式RAM(RRAM)、铁电RAM(FRAM)等。由于操作速度高、功耗低，所以闪存正在被用于各种领域中。闪存可以包括电荷捕获闪速(CTF)存储器单元。电荷捕获闪速(CTF)存储器单元可通过在电荷存储层中存储电荷来记住编程状态。存储在电荷捕获闪速(CTF)存储器单元的电荷存储层中的电荷被编程，随后流入沟道中。当电荷流入沟道中时，可以改变电荷捕获闪速(CTF)存储器单元的阈值电压分布。由于电荷捕获闪速(CTF)存储器单元的物理特性，存储器单元中存储的数据的可靠性会下降。
技术实现思路
一些示例实施例可以提供一种非易失性存储器存储系统。非易失性存储器存储系统包括非易失性存储器装置和存储器控制器。非易失性存储器装置包括均由N(N是大于2的自然数)个电平的单元构成的多个存储器单元并且基于多个读取电压来读取存储在所述多个存储器单元中的数据。存储器控制器向非易失性存储器装置传输读取命令，使得从非易失性存储器装置读取数据。非易失性存储器装置基于所述多个读取电压之中的第一读取电压对所述N个电平之中的第一电平执行第一读取操作，对所述多个存储器单元之中的响应于第一读取电压的导通单元的数量进行计数，根据导通单元的计数的数量与参考单元的数量的比较结果，通过调整所述多个读取电压之中的将要用于对所述第一电平或者所述N个电平之中的第二电平执行第二读取操作的第二读取电压的电平来执行第二读取操作，并在第一读取电压之后施加第二读取电压。一些示例性实施例可以提供一种非易失性存储器存储系统。非易失性存储器存储系统包括具有三维结构的多个存储器单元以及被配置为控制非易失性存储器装置使得从非易失性存储器装置读取数据的存储器控制器。非易失性存储器装置包括多个存储器单元，每个存储器单元由N个电平的单元构成，其中，N为大于1的自然数，基于多个读取电压来读取存储在所述多个存储器单元中的数据，基于所述多个读取电压之中的第一读取电压来对所述N个电平之中的第一电平执行第一读取操作，对所述多个存储器单元之中响应于第一读取电压的导通单元或截止单元的数量进行计数，根据导通单元或截止单元的计数的数量与参考单元的数量的比较结果，通过调整所述多个读取电压之中的将要用于对所述第一电平和所述N个电平之中的第二电平执行第二读取操作的第二读取电压的电平来执行第二读取操作，并在第一读取电压之后施加第二读取电压。附图说明下面将参照附图更详细地描述专利技术构思的实施例。然而，专利技术构思的实施例可以以不同的形式实现，并且不应理解为限于本文所阐述的实施例。相反，提供这些实施例，使得本公开将是彻底的和完整的，并且将向本领域技术人员充分地传达专利技术构思的范围。同样的标记始终指示同样的元件。图1是描述根据专利技术构思的示例实施例的非易失性存储器存储系统的框图。图2是示出根据专利技术构思的其它示例实施例的非易失性存储器存储系统的框图。图3是示出图1中示出的存储器控制器的框图。图4是示出图2中示出的存储器控制器的框图。图5是示出根据专利技术构思的示例实施例的非易失性存储器装置的框图。图6是示出包括在图5的非易失性存储器装置中的存储器块的电路图。图7是示出存储器单元的初始编程阈值电压分布和存储器单元的随时间流逝而改变的阈值电压分布的分布图。图8是示出根据专利技术构思的示例实施例的读取电压电平查找表的图。图9是描述根据专利技术构思的示例实施例选择性地应用的单元计数比较操作的特点的表。图10是描述根据图9中描述的顺序的单元计数比较操作的流程图。图11是描述根据专利技术构思的示例实施例选择性地应用的单元计数比较操作的特点的表。图12是描述根据图11中描述的顺序的单元计数比较操作的流程图。图13是描述根据专利技术构思的示例实施例选择性地应用的单元计数比较操作的特点的表。图14是描述根据图13中描述的顺序的单元计数比较操作的流程图。图15是描述根据专利技术构思的示例实施例选择性地应用的单元计数比较操作的特点的表。图16是示出根据专利技术构思的示例实施例的包括非易失性存储器存储系统的固态驱动器(SSD)系统的框图。具体实施方式在下面，清楚且详细地描述了专利技术构思的实施例使得专利技术构思所属本领域的技术人员可以容易地实施专利技术构思。图1是示出根据专利技术构思的示例实施例的非易失性存储器存储系统的框图。参照图1，非易失性存储器存储系统100可以包括存储器控制器110和非易失性存储器装置120。存储器控制器110可以控制非易失性存储器装置120的总体操作。例如，存储器控制器110可以传输地址ADDR和读取命令CMD_r以读取存储在非易失性存储器装置120中的数据DATA。非易失性存储器装置120可以在存储器控制器110的控制下进行操作。例如，非易失性存储器装置120可以从存储器控制器110接收地址ADDR和读取命令CMD_r。非易失性存储器装置120可以响应于接收到的读取命令CMD_r将与接收到的地址ADDR对应的数据DATA传输到存储器控制器110。存储器控制器110可以包括读取电压电平查找表(RVLLUT)111。读取电压电平查找表111可以包括根据参考单元计数来映射读取电压与读取电压电平改变之间的关系的信息。参考单元计数是被设定为调整读取电压的值。将参照图8描述读取电压电平查找表111。在完成存储器单元的编程之后，阈值电压分布可以改变。当使用预定的读取电压执行存储器单元的读取操作时，可能发生错误。为了减少错误的数量及错误的发生概率，非易失性存储器装置120可以调整读取电压电平。将通过图3至图15详细地描述调整读取电压的电平的具体方法。存储器控制器110可以将读取电压电平查找表111的信息与读取命令CMD_r一起传输到非易失性存储器装置120。例如，存储器控制器110可以将读取电压电平查找表111的信息与读取命令CMD_r一起仅一次传输到非易失性存储器装置120。在另一实施例中，无论何时将读取命令CMD_r传输到非易失性存储器装置120，存储器控制器110都可以一起传输读取电压电平查找表111的信息。在又一实施例中，响应于非易失性存储器装置120的请求，存储器控制器110可以将读取电压电平查找表111的信息与读取命令CMD_r一起传输到非易失性存储器装置120。在再一实施例中，响应于用户的请求，存储器控制器110可以将读取电压电平查找表111的信息与读取命令CMD_r一起传输到非易失性存储器装置120。例如，读取电压电平查找表111可以定期更新。读取电压电平查找表111可以根据用户的请求进行更新。当更新读取电压电平查找表111时，存储器控制器110可以一起传输读取电压电平查找表111的信息。存储器控制器110可以将控制信号CNTL传输到非易失性存储器本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种非易失性存储器存储系统，所述非易失性存储器存储系统包括：非易失性存储器装置，包括形成三维结构的多个存储器单元，每个存储器单元由N个电平的单元构成并被配置为基于多个读取电压读取存储在所述多个存储器单元中的数据，其中，N是大于2的自然数；以及存储器控制器，被配置为向非易失性存储器装置传输读取命令，使得从非易失性存储器装置读取数据，其中，非易失性存储器装置还被配置为：基于所述多个读取电压之中的第一读取电压对N个电平之中的第一电平执行第一读取操作；对所述多个存储器单元之中的响应于第一读取电压的导通单元的数量进行计数；以及根据导通单元的计数的数量与参考单元的数量的比较结果，通过调整所述多个读取电压之中的将要用于对所述第一电平或者所述N个电平之中的第二电平执行第二读取操作的第二读取电压的电平来执行第二读取操作，其中，在第一读取电压之后施加第二读取电压。

【技术特征摘要】
1.一种非易失性存储器存储系统，所述非易失性存储器存储系统包括：非易失性存储器装置，包括形成三维结构的多个存储器单元，每个存储器单元由N个电平的单元构成并被配置为基于多个读取电压读取存储在所述多个存储器单元中的数据，其中，N是大于2的自然数；以及存储器控制器，被配置为向非易失性存储器装置传输读取命令，使得从非易失性存储器装置读取数据，其中，非易失性存储器装置还被配置为：基于所述多个读取电压之中的第一读取电压对N个电平之中的第一电平执行第一读取操作；对所述多个存储器单元之中的响应于第一读取电压的导通单元的数量进行计数；以及根据导通单元的计数的数量与参考单元的数量的比较结果，通过调整所述多个读取电压之中的将要用于对所述第一电平或者所述N个电平之中的第二电平执行第二读取操作的第二读取电压的电平来执行第二读取操作，其中，在第一读取电压之后施加第二读取电压。2.根据权利要求1所述的非易失性存储器存储系统，其中，参考单元的数量是用来减少错误的发生概率与由于所述多个存储器单元的阈值电压分布的偏移而发生的错误的数量中的至少一者的值。3.根据权利要求1所述的非易失性存储器存储系统，其中，存储器控制器被配置为将读取电压电平查找表的信息与读取命令一起传输到非易失性存储器装置，所述读取电压电平查找表包括多个读取电压电平改变与根据对应于第一读取电压的参考单元的数量的多个读取电压之间的对应关系。4.根据权利要求3所述的非易失性存储器存储系统，其中，非易失性存储器装置包括被配置为产生所述多个读取电压的控制逻辑和电压发生器，其中，控制逻辑和电压发生器包括：单元计数比较电路，被配置为将导通单元的计数的数量与参考单元的数量进行比较；以及读取电压电平选择器，被配置为根据比较结果输出新的读取电压，所述新的读取电压通过将所述多个读取电压电平改变之中的与第二读取电压对应的值与第二读取电压相加而获得。5.根据权利要求1所述的非易失性存储器存储系统，其中，所述非易失性存储器存储系统还包括：单元计数器，被配置为对响应于第一读取电压的导通单元的数量进行计数。6.根据权利要求1所述的非易失性存储器存储系统，其中，非易失性存储器装置进一步被配置为：基于所述多个读取电压之中的第一读取电压对所述N个电平之中的第一电平执行第一读取操作；在基于所述多个读取电压之中的第三读取电压对所述N个电平之中的第一电平、第二电平和第三电平中的一个电平执行第三读取操作的同时，对所述多个存储器单元之中响应于第一读取电压的导通单元的数量进行计数；根据导通单元的计数的数量和参考单元的数量的比较结果来调整第二读取电压的电平。7.根据权利要求1所述的非易失性存储器存储系统，其中，存储器控制器被配置为计算根据与第一读取电压对应的参考单元的数量的多个读取电压电平改变，并将计算出...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴银珠，尹弼相，孔骏镇，孙弘乐，陈东燮，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国,KR