半导体结构及其制造方法技术

本公开提供了一种半导体结构及其制造方法，该半导体结构包含：一第一半导体元件；至少一传导件，位于该第一半导体元件上；一第二半导体元件，位于该第一半导体元件上；一封装件，位于该第一半导体元件上；以及一重布线层(RDL)，位于该第二半导体元件与该至少一传导件上。该封装件环绕该第二半导体元件与该至少一传导件，且该封装件并未延伸至该第一半导体元件与该第二半导体元件之间的界面。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构及其制造方法
本公开涉及一种半导体结构及其制造方法，特别关于一种晶圆级芯片上覆置芯片半导体结构以及制造方法。
技术介绍
半导体元件对于许多现代应用而言是重要的。随着电子技术的进展，半导体元件的尺寸越来越小，而功能越来越大且整合的电路量越来越多。由于半导体元件的规模微小化，芯片上覆置芯片(chip-on-chip)技术目前广泛用于制造半导体元件。在此半导体封装的生产中，实施了许多制造步骤。然而，微型化规模的半导体元件的制造变得越来越复杂。制造半导体元件的复杂度增加可能造成缺陷，例如电互连不良、产生裂纹、或是组件脱层。因此，半导体元件的结构与制造的修饰有许多挑战。上文的“现有技术”说明仅是提供
技术介绍
，并未承认上文的“现有技术”说明揭示本揭露的标的，不构成本揭露之先前技术，且上文的“现有技术”的任何说明均不应作为本申请的任一部分。
技术实现思路
本公开的实施例提供一种半导体结构，包括：一第一半导体元件；至少一传导件，位于该第一半导体元件上；一第二半导体元件，位于该第一半导体元件上；一封装件，位于该第一半导体元件上，其中该封装件环绕该第二半导体元件与该至少一传导件；以及一重布线层(redistributionlayer，RDL)，位于该第二半导体元件与该至少一传导件上。在本公开的一些实施例中，该第二半导体元件位于该第一半导体元件上，该第二半导体元件与该第一半导体元件之间实质上无使用一电路基板。在本公开的一些实施例中，该半导体结构还包括一第三半导体元件位于该第一半导体元件上，该第一半导体元件与该第三半导体元件之间实质上无使用一电路基板。在本公开的一些实施例中，该至少一传导件位于该第一半导体元件上，该至少一传导件与该第一半导体元件之间实质上无使用焊接材料。在本公开的一些实施例中，该半导体结构还包括至少一传导接合，位于该重布线层上。在本公开的一些实施例中，该第一半导体元件为一存储器元件。在本公开的一些实施例中，该第二半导体元件为一逻辑元件，该第三半导体元件为一存储器元件。在本公开的一些实施例中，该半导体结构包括一散热路径，位于该第一半导体元件与该第二半导体元件之间。在本公开的一些实施例中，该半导体结构包括一散热路径，位于该第一半导体元件与该第三半导体元件之间。在本公开的一些实施例中，该第二半导体元件与该第一半导体元件的热阻小于该第二半导体元件与该重布线层的热阻。在本公开的一些实施例中，该第三半导体元件与该第一半导体元件之间的热阻小于该第三半导体元件与该重布线层之间的热阻。在本公开的一些实施例中，该第二半导体元件与该第三半导体元件经由一粘着剂而设置于该第一半导体元件上。在本公开的一些实施例中，该封装件未延伸至该第一半导体元件与该第二半导体元件之间的界面；相似地，该封装件未延伸至该第一半导体元件与该第三半导体元件之间的界面。本公开的实施例还提供一种半导体结构的制造方法，包括：提供一第一半导体元件；形成至少一传导件于该第一半导体元件上；附接一第二半导体元件于该第一半导体元件上；形成一封装件于该第一半导体元件上；以及形成一重布线层(RDL)于该第二半导体元件与该至少一传导件上。在本公开的一些实施例中，在该第一半导体元件上形成该封装件之前，该第二半导体元件已附接于该第一半导体元件上；因此，该封装件环绕该第二半导体元件与该至少一传导件。在本公开的一些实施例中，在该封装件形成过程中，该第一半导体元件作为该第二半导体元件的载体基板。在本公开的一些实施例中，形成该至少一传导件于该第一半导体元件上的制程，该至少一传导件与该第一半导体基板之间实质上无使用焊接材料。在本公开的一些实施例中，附接该第二半导体元件至该第一半导体元件的制程，该第二半导体元件与该第一半导体元件之间实质上无使用一电路基板。在本公开的一些实施例中，该制造方法还包括附接一第三半导体元件至该第一半导体元件上，其中该第一半导体元件与该第三半导体元件之间实质上无使用一电路基板。在本公开的一些实施例中，该制造方法还包括形成至少一传导接合于该重布线层上。在本公开的一些实施例中，该第二半导体元件经由一粘着剂而附接至该第一半导体元件上。在本公开的一些实施例中，该第二半导体元件通过一融合接合制程而附接至该第一半导体元件上。在本公开的一些实施例中，该第二半导体元件是附接至该第一半导体元件的一正面，以及该制造方法还包括研磨该第一半导体元件的一背面。在本公开的一些实施例中，该半导体结构没有使用电路基板与传导凸块于该第一半导体元件与该第二半导体元件之间(以及若有第三半导体元件存在，亦无使用电路基板与传导凸块于该第一半导体元件与该第三半导体元件之间)，因此半导体结构的高度小于具有对应的中介电路基板与传导凸块的半导体结构的高度。换言之，本公开的半导体结构可符合半导体装置市场的规模微小化需求(小尺寸架构)。在本公开的一些实施例中，第二半导体元件(以及若有第三半导体元件的情况)，位于该第一半导体元件上，该第二半导体元件与该第一半导体元件之间实质上没有高热组的空气间隙；因此，该第二半导体元件与该第一半导体元件之间的热阻(thermaldissipationresistance)降低，并且该第一半导体元件与该第二半导体元件之间具有散热路径。如此，第一半导体元件或第二半导体元件产生的热可经由该散热路径实质被消散至周围环境。上文已相当广泛地概述本公开的技术特征及优点，以使下文的本公开详细描述得以获得较佳了解。构成本公开的权利要求标的的其它技术特征及优点将描述于下文。本公开所属
中的技术人员应了解，可相当容易地利用下文公开的概念与特定实施例可作为修改或设计其它结构或制程而实现与本公开相同的目的。本公开所属
中的技术人员亦应了解，这类等效建构无法脱离权利要求所界定的本公开的精神和范围。附图说明参阅详细说明与权利要求结合考量附图时，可得以更全面了解本公开的内容，附图中相同的元件符号是指相同的元件。图1为剖面示意图，例示本公开的比较实施例的半导体结构；图2为剖面示意图，例示本公开实施例的半导体结构；图3为剖面示意图，例示本公开实施例的半导体结构；图4为流程图，例示本公开实施例的半导体结构的制造方法；图5至图10为示意图，例示本公开实施例图4的方法制造半导体结构。附图标记说明：10～半导体结构；11～传导凸块；13～空气间隙；20～第一封装元件；21～电路基板；23～半导体芯片；25～接合线；30～第二封装元件；31～重布线层；33A～半导体芯片；33B～半导体芯片；35～传导通路；37～封装件；100～半导体结构；100’～半导体结构；101～第一半导体元件；103～传导件；105～第二半导体元件；107～第三半导体元件；109～封装件；111～重布线层；111A～介电堆叠；111B～传导线；113A～粘着剂；113B～粘着剂；115～传导接合；117～颗粒化工具。具体实施方式本公开的以下说明伴随并入且组成说明书的一部分的附图，说明本公开的实施例，然而本公开并不受限于该实施例。此外，以下的实施例可适当整合以下实施例以完成另一实施例。“一实施例”、“实施例”、“例示实施例”、“其他实施例”、“另一实施例”等是指本公开所描述的实施例可包含特定特征、结构或是特性，然而并非每一实施例必须包含本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体结构，包括：一第一半导体元件；至少一传导件，位于该第一半导体元件上；一第二半导体元件，位于该第一半导体元件上；一封装件，位于该第一半导体元件上，以及该封装件环绕该第二半导体元件与该至少一传导件；以及一重布线层，位于该第二半导体元件与该至少一传导件上。

【技术特征摘要】
2016.12.13 US 15/377,1921.一种半导体结构，包括：一第一半导体元件；至少一传导件，位于该第一半导体元件上；一第二半导体元件，位于该第一半导体元件上；一封装件，位于该第一半导体元件上，以及该封装件环绕该第二半导体元件与该至少一传导件；以及一重布线层，位于该第二半导体元件与该至少一传导件上。2.如权利要求1所述的半导体结构，其中该第二半导体元件位于该第一半导体元件上，该第二半导体元件与该第一半导体元件之间实质上无使用一电路基板。3.如权利要求2所述的半导体结构，还包括一第三半导体元件，位于该第一半导体元件上，该第一半导体元件与该第三半导体元件之间实质上无使用一电路基板。4.如权利要求1所述的半导体结构，其中该至少一传导件位于该第一半导体元件上，该至少一传导件与该第一半导体元件之间实质上无使用焊接材料。5.如权利要求1所述的半导体结构，还包括至少一传导接合，位于该重布线层上。6.如权利要求1所述的半导体结构，其中该第一半导体元件为一存储器元件。7.如权利要求1所述的半导体结构，还包括一第三半导体元件，位于该第一半导体元件上，其中该第二半导体元件为一逻辑元件，以及该第三半导体元件为一存储器元件。8.如权利要求1所述的半导体结构，包括一散热路径，位于该第一半导体元件与该第二半导体元件之间。9.如权利要求8所述的半导体结构，还包括一第三半导体元件，位于该第一半导体元件上；以及一散热路径，位于该第一半导体元件与该第三半导体元件之间。10.如权利要求1所述的半导体结构，其中该第二半导体元件与该第一半导体元件的热阻小于该第二半导体元件与该重布线层的热阻。11.如权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：林柏均，
申请(专利权)人：南亚科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71