一种闪存芯片测试方法和系统技术方案

本发明专利技术实施例提供了一种闪存芯片测试方法和系统，涉及芯片测试技术领域。其中，所述方法包括：将校准装置接口板和PMU测量单元连接；PMU测量单元和PC连接；闪存芯片接口板和校准装置接口板等位替换；使PMU测量单元接收PC发送的第一输出指令；PMU测量单元向校准装置接口板提供稳定的第一初始电源；PMU测量单元同时测试校准装置对应的第一测试电压和第一测试电流；PMU测量单元将第一测试电压和第一测试电流反馈给PC；PC配置第一校准参数；然后校准PMU测量单元；将闪存芯片接口板等位替换校准装置接口板，测试闪存芯片，能够实现自动化校准，同时使校准线路与实际测试线路一致，提高闪存芯片的测量精度。

A flash memory chip test method and system

The embodiment of the invention provides a method and system for testing flash memory chips, which relates to the technical field of chip testing. The method includes: connecting the calibration device interface board with the PMU measurement unit; connecting the PMU measurement unit with the PC; substituting the flash chip interface board and the calibration device interface board equally; making the PMU measurement unit receive the first output instruction sent by the PC; and providing a stable first initial power supply to the calibration device interface board by the PMU measurement unit. The PMU measurement unit tests the first test voltage and the first test current corresponding to the calibration device simultaneously; the PMU measurement unit feeds back the first test voltage and the first test current to the PC; the PC configures the first calibration parameter; then the PMU measurement unit is calibrated; the flash chip interface board is replaced by the calibration device interface board equivalently to test the flash memory core. The chip can realize automatic calibration, make the calibration circuit consistent with the actual test circuit, and improve the measurement accuracy of flash memory chip.

【技术实现步骤摘要】
一种闪存芯片测试方法和系统
本专利技术涉及芯片测试
，尤其涉及一种闪存芯片测试方法和系统。
技术介绍
在闪存的芯片调试阶段，对一些内部阈值电压和导通电流的测试中，测试精度需要达到1mv小电压或者1uA小电流精密刻度，对测试仪器的精度要求比较高。在闪存芯片电压电流测量领域，一般都采用图1的原理进行参数测量，这种结构称为开尔文连接。从左往右是供电线路，负责给后端被测器件提供电源。下方从右往左是测量通道，负责把实施直流参数反馈回控制端。在图1中，[05]负载端实际电压值通过ADC模数(Analog-to-DigitalConverter，模数转换器)转换系统反馈到[01]控制端，电流值根据欧姆定律，由[03]感应电阻两端的压降除以R电阻计算所得。现有的芯片测试领域，参照图2，通常采用由[11]PMU(ParametricMeasurementUnit，参数测量单元)供电和[12]校准装置以及其功能系统组成的专用ATE(AutomaticTestEquipment，自动测试仪)自动测试设备，这种设备一般体型庞大、价格昂贵。同时我们在使用中发现，对于一些小电压刻度以及弱电流的测试中，其精度很难达到要求。主要原因在于其校准线路与实际测试线路并不一致。对比图1的原理结构，在校准中[05]Rload(负载)对应的是[14]校准装置，供电是直接到校准装置的，中间没有经过其他通道；而在芯片测试时，[05]对应的是[13]闪存芯片，中间需要经过[12]接口板，以及负责连接两个系统的连接器，也就是图1中[04]环节差异比较大导致的。线长压降、接触电阻、以及环路干扰都会降低测量精度。
技术实现思路
本专利技术提供一种闪存芯片测试方法和系统，以解决现有技术中，由于校准线路与实际线路的差异，降低测量精度的问题。第一方面，本专利技术实施例提供了一种闪存芯片测试方法，应用于闪存芯片测试系统，所述系统的包括：PC，PMU测量单元、校准装置接口板、闪存芯片接口板；其中，所述校准装置接口板包括：校准装置和接口板；所述校准装置接口板和所述PMU测量单元连接；所述PMU测量单元和所述PC连接；所述闪存芯片接口板和所述校准装置接口板等位替换；所述方法，包括：所述PMU测量单元接收所述PC发送的第一输出指令；其中，所述第一输出指令包括：第一输出电压指令或第一输出电流指令；所述PMU测量单元根据所述第一输出指令，向所述校准装置接口板提供稳定的第一初始电源；其中，所述第一初始电源包括：第一初始电流或第一初始电压；所述PMU测量单元在提供稳定的第一初始电源的同时，测试所述校准装置对应的第一测试电压和第一测试电流；所述PMU测量单元将所述第一测试电压和所述第一测试电流反馈给所述PC；所述PC根据所述第一输出指令、所述第一测试电压、第一测试电流和所述校准装置，配置第一校准参数；所述PMU测量单元根据所述第一校准参数校准所述PMU测量单元；将所述闪存芯片接口板等位替换所述校准装置接口板后，并采用经过第一校准参数校准后的所述PMU测量单元测试所述闪存芯片。优选地，所述系统还包括：高精度测量仪器；其中，所述高精度测量仪器与所述校准装置接口板连接，且所述高精度测量仪器与所述PC连接；则所述PMU测量单元接收所述PC发送的第一输出指令的步骤之前，还包括：所述PMU测量单元接收所述PC发送的第二输出指令；其中，所述第二输出指令包括：第二输出电压指令或第二输出电流指令；所述PMU测量单元根据所述第二输出指令，向所述校准装置接口板提供稳定的第二初始电源；其中，所述第二初始电源包括：第二初始电流或第二初始电压；所述高精度测量仪器测试所述校准装置接口板的第二测试电压，并将所述第二测试电压反馈给所述PC；所述PC根据所述第二测试电压和所述第二输出指令，配置所述第二校准参数；当所述PC将所述第二校准参数发送给所述PMU测量单元后，所述PMU测量单元根据第二校准参数校准所述PMU测量单元；则所述PMU测量单元接收所述PC发送的第一输出指令的步骤，包括：采用经过所述第二校准参数校准后的所述PMU测量单元接收所述PC发送的第一输出指令。优选地，所述PC根据所述第一输出指令、所述第一测试电压、第一测试电流和所述校准装置，配置第一校准参数的步骤，包括：所述PC根据所述第一输出指令和所述校准装置，获取对应的第一标准电压和第一标准电流；所述PC计算所述第一标准电压和所述第一测试电压的电压差值，同时计算所述第一标准电流和所述第一测试电流的电流差值；所述PC根据所述电压差值和所述电流差值，配置第一校准参数。优选地，当所述第二输出指令为所述第二输出电压指令时，则所述PC根据所述第二测试电压和所述第二输出指令，配置所述第二校准参数的步骤，包括：所述PC计算所述第二测试电压和所述第二输出电压指令的第二电压差值；所述PC根据所述第二电压差值，配置所述第二标准参数。优选地，当所述第二输出指令为所述第二输出电流指令时，则所述PC根据所述第二测试电压和所述第二输出指令，配置所述第二校准参数的步骤，包括：所述PC获取所述校准装置接口板的第一电阻；所述PC根据所述第一电阻和所述第二输出电流指令，计算第一电压；所述PC计算所述第二测试电压和所述第一电压的第三电压差值；所述PC根据所述第三电压差值，配置所述第二标准参数。第二方面，本专利技术实施例提供了一种闪存芯片测试系统，所述系统的包括：PC，PMU测量单元、校准装置接口板、闪存芯片接口板；其中，所述校准装置接口板包括：校准装置和接口板；所述校准装置接口板和所述PMU测量单元连接；所述PMU测量单元和所述PC连接；所述闪存芯片接口板和所述校准装置接口板等位替换；所述系统，还包括：第一接收模块，用于所述PMU测量单元接收所述PC发送的第一输出指令；其中，所述第一输出指令包括：第一输出电压指令或第一输出电流指令；第一初始电源提供模块，用于所述PMU测量单元根据所述第一输出指令，向所述校准装置接口板提供稳定的第一初始电源；其中，所述第一初始电源包括：第一初始电流或第一初始电压；第一测试模块，用于所述PMU测量单元在提供稳定的第一初始电源的同时，测试所述校准装置对应的第一测试电压和第一测试电流；第一反馈模块，用于所述PMU测量单元将所述第一测试电压和所述第一测试电流反馈给所述PC；第一配置模块，用于所述PC根据所述第一输出指令、所述第一测试电压、第一测试电流和所述校准装置，配置第一校准参数；第一校准模块，用于所述PMU测量单元根据所述第一校准参数校准所述PMU测量单元；第二测试模块，用于将所述闪存芯片接口板等位替换所述校准装置接口板后，并采用经过第一校准参数校准后的所述PMU测量单元测试所述闪存芯片。优选地，所述系统还包括：高精度测量仪器；其中，所述高精度测量仪器与所述校准装置接口板连接，且所述高精度测量仪器与所述PC连接；则所述系统，还包括：第二接收模块，用于所述PMU测量单元接收所述PC发送的第二输出指令；其中，所述第二输出指令包括：第二输出电压指令或第二输出电流指令；第二初始电源提供模块，用于所述PMU测量单元根据所述第二输出指令，向所述校准装置接口板提供稳定的第二初始电源；其中，所述第二初始电源包括：第二初始电流或第二初始电压；第三测试模块，用于所述高精度测量仪器测试所本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种闪存芯片测试方法，应用于闪存芯片测试系统，其特征在于，所述系统的包括：PC，PMU测量单元、校准装置接口板、闪存芯片接口板；其中，所述校准装置接口板包括：校准装置和接口板；所述校准装置接口板和所述PMU测量单元连接；所述PMU测量单元和所述PC连接；所述闪存芯片接口板和所述校准装置接口板等位替换；所述方法，包括：所述PMU测量单元接收所述PC发送的第一输出指令；其中，所述第一输出指令包括：第一输出电压指令或第一输出电流指令；所述PMU测量单元根据所述第一输出指令，向所述校准装置接口板提供稳定的第一初始电源；其中，所述第一初始电源包括：第一初始电流或第一初始电压；所述PMU测量单元在提供稳定的第一初始电源的同时，测试所述校准装置对应的第一测试电压和第一测试电流；所述PMU测量单元将所述第一测试电压和所述第一测试电流反馈给所述PC；所述PC根据所述第一输出指令、所述第一测试电压、第一测试电流和所述校准装置，配置第一校准参数；所述PMU测量单元根据所述第一校准参数校准所述PMU测量单元；将所述闪存芯片接口板等位替换所述校准装置接口板后，并采用经过第一校准参数校准后的所述PMU测量单元测试所述闪存芯片。...

【技术特征摘要】
1.一种闪存芯片测试方法，应用于闪存芯片测试系统，其特征在于，所述系统的包括：PC，PMU测量单元、校准装置接口板、闪存芯片接口板；其中，所述校准装置接口板包括：校准装置和接口板；所述校准装置接口板和所述PMU测量单元连接；所述PMU测量单元和所述PC连接；所述闪存芯片接口板和所述校准装置接口板等位替换；所述方法，包括：所述PMU测量单元接收所述PC发送的第一输出指令；其中，所述第一输出指令包括：第一输出电压指令或第一输出电流指令；所述PMU测量单元根据所述第一输出指令，向所述校准装置接口板提供稳定的第一初始电源；其中，所述第一初始电源包括：第一初始电流或第一初始电压；所述PMU测量单元在提供稳定的第一初始电源的同时，测试所述校准装置对应的第一测试电压和第一测试电流；所述PMU测量单元将所述第一测试电压和所述第一测试电流反馈给所述PC；所述PC根据所述第一输出指令、所述第一测试电压、第一测试电流和所述校准装置，配置第一校准参数；所述PMU测量单元根据所述第一校准参数校准所述PMU测量单元；将所述闪存芯片接口板等位替换所述校准装置接口板后，并采用经过第一校准参数校准后的所述PMU测量单元测试所述闪存芯片。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述系统还包括：高精度测量仪器；其中，所述高精度测量仪器与所述校准装置接口板连接，且所述高精度测量仪器与所述PC连接；则所述PMU测量单元接收所述PC发送的第一输出指令的步骤之前，还包括：所述PMU测量单元接收所述PC发送的第二输出指令；其中，所述第二输出指令包括：第二输出电压指令或第二输出电流指令；所述PMU测量单元根据所述第二输出指令，向所述校准装置接口板提供稳定的第二初始电源；其中，所述第二初始电源包括：第二初始电流或第二初始电压；所述高精度测量仪器测试所述校准装置接口板的第二测试电压，并将所述第二测试电压反馈给所述PC；所述PC根据所述第二测试电压和所述第二输出指令，配置所述第二校准参数；当所述PC将所述第二校准参数发送给所述PMU测量单元后，所述PMU测量单元根据第二校准参数校准所述PMU测量单元；则所述PMU测量单元接收所述PC发送的第一输出指令的步骤，包括：采用经过所述第二校准参数校准后的所述PMU测量单元接收所述PC发送的第一输出指令。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述PC根据所述第一输出指令、所述第一测试电压、第一测试电流和所述校准装置，配置第一校准参数的步骤，包括：所述PC根据所述第一输出指令和所述校准装置，获取对应的第一标准电压和第一标准电流；所述PC计算所述第一标准电压和所述第一测试电压的电压差值，同时计算所述第一标准电流和所述第一测试电流的电流差值；所述PC根据所述电压差值和所述电流差值，配置第一校准参数。4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，当所述第二输出指令为所述第二输出电压指令时，则所述PC根据所述第二测试电压和所述第二输出指令，配置所述第二校准参数的步骤，包括：所述PC计算所述第二测试电压和所述第二输出电压指令的第二电压差值；所述PC根据所述第二电压差值，配置所述第二标准参数。5.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，当所述第二输出指令为所述第二输出电流指令时，则所述PC根据所述第二测试电压和所述第二输出指令，配置所述第二校准参数的步骤，包括：所述PC获取所述校准装置接口板的第一电阻；所述PC根据所述第一电阻和所述第二输出电流指令，计算第一电压；所述PC计算所述第二测试电压和所述第一电压的第三电压差值；所述PC根据所述第三电压差值，配置所述第二标准参数。6.一种闪存芯片测试系统，其特征在于，所述系统的包...

【专利技术属性】
技术研发人员：蔡德智，王永成，韩飞，
申请(专利权)人：北京兆易创新科技股份有限公司，合肥格易集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11