一种确定FeRAM敏感参数的方法及装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种确定FeRAM敏感参数的方法及装置，属于空间辐射损伤效应及抗辐射加固领域。该方法包括：从完成辐射的FeRAM内回读第一数据，并将所述回读数据与在辐射之前写入所述FeRAM内的第二数据进行匹配，将匹配合格的所述FeRAM确定为第一FeRAM；每到设定的辐射剂量点时，通过测试仪器获取所述第一FeRAM的DC参数和AC参数，通过QMU公式分别对所述DC参数和所述AC参数进行分析，当根据QMU公式确定的可信度比值小于1时，确定所述DC参数或所述AC参数内包括的一个参数失效。

A method and device for determining FeRAM sensitive parameters

The invention discloses a method and a device for determining the sensitive parameters of FeRAM, belonging to the field of space radiation damage effect and radiation hardening resistance. The method includes: reading back the first data from the FeRAM that has completed radiation, matching the read-back data with the second data written in the FeRAM before radiation, determining the matched qualified FeRAM as the first FeRAM, and obtaining the DC parameters of the first FeRAM through a test instrument every time the set radiation dose point is reached. The DC parameter and AC parameter are analyzed respectively by QMU formula. When the reliability ratio determined by QMU formula is less than 1, the DC parameter or one parameter included in the AC parameter is determined to be invalid.

【技术实现步骤摘要】
一种确定FeRAM敏感参数的方法及装置
本专利技术属于空间辐射损伤效应及抗辐射加固领域，更具体的涉及一种确定FeRAM敏感参数的方法及装置。
技术介绍
航天器长期工作在空间辐射的环境中，空间辐射损伤是导致航天器在轨故障的主要原因之一。空间辐射环境的复杂性，与航天器新技术、新材料、新器件、新状态等相互作用，导致了空间辐射效应及其影响的复杂性，新的问题层出不穷，对航天系统可靠运行构成了严重的威胁。近几年来，由于全球航空航天技术的迅猛发展，对存储器提出了更高的要求，主要的要求有抗辐射能力强、功耗低、寿命长、存储密度大、体积小等。FeRAM(FerroelectricRAM，铁电存储器)是将铁电薄膜与传统CMOS(ComplementaryMetalOxideSemiconductor，互补金属氧化物半导体)工艺相结合的新型非挥发性存储器，优点有非易失、低功耗、高速、长寿命等。铁电材料具有剩余极化的特性，FeRAM就是用这种极化反转的特性来存储信息的。铁电薄膜材料以及铁电电容具有很强的抗辐射能力，常规FeRAM的抗辐射能力及其抗辐射加固一直是各国不断研究的问题。开展FeRAM辐射效应敏感参数本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种确定FeRAM敏感参数的方法，其特征在于，包括：从完成辐射的FeRAM内回读第一数据，并将所述回读数据与在辐射之前写入所述FeRAM内的第二数据进行匹配，将匹配合格的所述FeRAM确定为第一FeRAM；每到设定的辐射剂量点时，通过测试仪器获取所述第一FeRAM的DC参数和AC参数，通过QMU公式分别对所述DC参数和所述AC参数进行分析，当根据QMU公式确定的可信度比值小于1时，确定所述DC参数或所述AC参数内包括的一个参数失效。

【技术特征摘要】
1.一种确定FeRAM敏感参数的方法，其特征在于，包括：从完成辐射的FeRAM内回读第一数据，并将所述回读数据与在辐射之前写入所述FeRAM内的第二数据进行匹配，将匹配合格的所述FeRAM确定为第一FeRAM；每到设定的辐射剂量点时，通过测试仪器获取所述第一FeRAM的DC参数和AC参数，通过QMU公式分别对所述DC参数和所述AC参数进行分析，当根据QMU公式确定的可信度比值小于1时，确定所述DC参数或所述AC参数内包括的一个参数失效。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述DC参数包括以下一种或者多种组合：IDD，ISB，ILI，ILO，VIH，VIL，VOH，VOL；所述AC参数包括以下一种或者多种组合：tCE、tAA、tOE、tCW、tWP、tDW、tAW。3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述QMU公式为：Q＝M/U其中，Q为可信度比值，M为性能裕量，U为性能评估的不确定度。4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述从完成辐射的FeRAM内回读第一数据之前，还包括：通过对所述FeRAM进行加电测试，将确定性能正常的所述FeRAM在设定电压下写入所述第三数据，并将所述FeRAM通过辐射板设置在屏蔽盒内进行辐照，其中，辐照剂量率为50rad/s。5....

【专利技术属性】
技术研发人员：郭红霞，秦丽，盛江坤，欧阳晓平，丁李利，钟向丽，郭维新，李波，张阳，琚安安，魏佳男，
申请(专利权)人：湘潭大学，
类型：发明
国别省市：湖南,43