The utility model relates to a multi chip fanout type encapsulation structure, which belongs to the semiconductor packaging technology field. It includes A chip, wiring layer, A chip coating film and B chip, re-wiring layer and B chip coating film with B chip metal bump. The B chip is arranged in the vertical upper area of A chip, the outer area of B chip is provided with perforation to fill metal material, and the A chip and B chip are filled with metal material through coating perforation. The wiring layer and the rewiring layer complete the signal interconnection. A passivation protection layer and a metal connector are arranged above the rewiring layer to form the final package body. The utility model improves the reliability of the product and improves the mechanical performance of the product.
【技术实现步骤摘要】
一种多芯片扇出型封装结构
本技术涉及一种多芯片扇出型封装结构,属于半导体封装
技术介绍
随着电子技术的发展,半导体封装趋于向高密度、多功能、低功耗、小型化的方向发展,为了满足产品愈加复杂的系统功能,多芯片互联集成的封装技术得到了较快的发展。目前主流的多芯片封装方案有如下两种:1.采用SIP封装方案:a.将多个芯片103进行水平并排分布,芯片103通过凸块焊接至基板101(图1-1);b.将多个芯片103进行垂直堆叠排布,底层芯片103通过凸块焊接至基板,其余芯片103通过打线工艺连接至基板101(图1-2)。通过基板101内部线路实现芯片103与芯片103之间的信号互联,对多个芯片103通过填充料102进行底部填充并通过塑封料104对其进行塑封保护,将此模块整体最终焊接到印刷电路板,来实现产品的互联集成。该方案中需要通过多层的布线转接来实现芯片之间的互联,且基板金属层与介电层厚度较厚,通常存在信号传输延迟的问题;且由于增加了基板来实现芯片间的互联集成,封装成本相对较高。2.采用扇出型互联方案,将多芯片201进行水平并排分布,并使用包覆材料202将芯片201进行包覆形成新的晶圆载体,将此新的晶圆载体进行再布线和凸块工艺,最终形成封装体(图2),可将此封装体直接焊接到印刷电路板。该方案由于省去了基板部分,相对方案1成本较低,且采用了晶圆级工艺,产品布线能力更强,芯片互联路径更短,具有更好的电学性能。但该方案仍存在如下问题:a.芯片只能水平排布,芯片扇出区域较大,导致最终的封装尺寸较大,每张晶圆封装体的数量较少,一定程度增加了产品成本;b.线路层及凸块 ...
【技术保护点】
1.一种多芯片扇出型封装结构,其特征在于,其包括正面设置若干个A芯片金属凸块的A芯片、A芯片包覆膜和带有若干个B芯片金属凸块的B芯片、B芯片包覆膜,所述B芯片设置在A芯片的垂直上方区域,所述A芯片有若干个,所述B芯片有若干个;所述A芯片金属凸块一侧设置布线层,所述布线层水平延展并选择性不连续并选择性不连续并选择性不连续,A芯片通过A芯片金属凸块与布线层连接;所述A芯片包覆膜将A芯片及其A芯片金属凸块、布线层包覆保护,布线层的上表面与A芯片包覆膜的上表面齐平;所述布线层的上表面与A芯片包覆膜的上表面覆盖包覆膜,所述B芯片下方设置装片膜,B芯片通过装片膜完成与包覆膜的固定连接;所述B芯片包覆膜包覆B芯片及其B芯片金属凸块,露出B芯片金属凸块的顶部;所述B芯片的外侧区域设置包覆穿孔,包覆穿孔的底部直达布线层的上表面,包覆穿孔内填充金属焊料,所述B芯片金属凸块顶部与包覆穿孔填充的金属焊料顶部齐平,所述B芯片包覆膜、B芯片金属凸块与包覆穿孔填充的金属焊料上方设置再布线层,所述再布线层水平延展并选择性不连续并选择性不连续并选择性不连续,所述A芯片与B芯片通过包覆穿孔内填充的金属焊料、布线层、再布线 ...
【技术特征摘要】
1.一种多芯片扇出型封装结构,其特征在于,其包括正面设置若干个A芯片金属凸块的A芯片、A芯片包覆膜和带有若干个B芯片金属凸块的B芯片、B芯片包覆膜,所述B芯片设置在A芯片的垂直上方区域,所述A芯片有若干个,所述B芯片有若干个;所述A芯片金属凸块一侧设置布线层,所述布线层水平延展并选择性不连续并选择性不连续并选择性不连续,A芯片通过A芯片金属凸块与布线层连接;所述A芯片包覆膜将A芯片及其A芯片金属凸块、布线层包覆保护,布线层的上表面与A芯片包覆膜的上表面齐平;所述布线层的上表面与A芯片包覆膜的上表面覆盖包覆膜,所述B芯片下方设置装片膜,B芯片通过装片膜完成与包覆膜的固定连接;所述B芯片包覆膜包覆B芯片及其B芯片金属凸块,露出B芯片金属凸块的顶部;所述B芯片的外侧区域设置包覆穿孔,包覆穿孔的底部直达布线层的上表面,包覆穿孔内填充金属焊料,所述B芯片金属凸块顶部与包覆穿孔填充的金属焊料顶部齐平,所述B芯片包覆膜、B芯片金属凸块与包覆穿孔填充的金属焊料上方设置再布线层,所述再布线层水平延展并选择性不连续并选择性不连续并选择性不连续,所述A芯片与B芯片...
【专利技术属性】
技术研发人员:张爱兵,陈栋,孙超,张黎,陈锦辉,赖志明,
申请(专利权)人:江阴长电先进封装有限公司,
类型:新型
国别省市:江苏,32
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。