一种保护罩结构制造技术

本实用新型专利技术提供一种保护罩结构，应用于干法刻蚀设备中，干法刻蚀设备包括腔体、升降装置，升降装置包括升降结构，升降结构顶部连接一承托部件，用以托举晶圆，还包括一波纹管，波纹管套设于升降结构伸入腔体内的区段上，并连接承托部件及腔体底部，以于腔体与升降结构之间形成密封，其中，还包括：连接部件，设置于波纹管及腔体底部之间，并套设在升降结构外，用以连接波纹管及腔体底部；保护罩，罩于承托部件上，并向下延伸以遮蔽波纹管；当升降结构向下活动至最小行程时，保护罩的底部与连接部件连接腔体底部的结构之间具有一预定距离。该保护罩结构可有效隔离刻蚀工艺产生的颗粒掉落于波纹管之间，避免颗粒对波纹管的损伤。

A protective cover structure

The utility model provides a protective cover structure, which is applied to dry etching equipment. The dry etching equipment comprises a cavity and a lifting device. The lifting device comprises a lifting structure, and the top of the lifting structure is connected with a supporting component for lifting a wafer. The bellows also include a bellows sleeve in the area where the lifting structure extends into the cavity. The connecting part is arranged between the bellows and the bottom of the cavity and is sleeved outside the lifting structure to connect the bellows and the bottom of the cavity; the protective cover is covered on the supporting part and extends downward to form a seal between the cavity and the lifting structure. Shield bellows; when the lifting structure moves down to the minimum stroke, there is a certain distance between the bottom of the protective cover and the structure at the bottom of the connecting part connecting the cavity. The protective cover structure can effectively isolate the particles produced by the etching process from falling between the bellows and avoid the damage of the particles to the bellows.

【技术实现步骤摘要】
一种保护罩结构
本技术涉及半导体制作工艺的设备领域，尤其涉及一种应用于干法刻蚀设备中的保护罩结构。
技术介绍
在半导体干法刻蚀工艺中，腔体中与汽缸连接的活塞杆上通常套设有波纹管，一方面是在工艺过程中配合汽缸以托举晶圆，另一方面还起到隔离腔体与活塞杆的作用。在去胶腔体的实际应用中，干法刻蚀工艺过程中会产生一些微小颗粒，这些微小颗粒会掉落到波纹管的两段波纹之间，在波纹管工作过程中随着活塞杆的不断伸缩，掉落于波纹管的两段波纹之间的颗粒会长时间反复挤压，进而会造成波纹管疲劳损伤，由于汽缸设置于腔体的外部，而活塞杆是伸入腔体内部的，为了保证汽缸与腔体之间形成密封隔离，即将波纹管与活塞杆之间形成密封连接，而当波纹管出现损伤之后，则会导致腔体漏率增加，影响机台的利用率。
技术实现思路
针对现有技术中在干法刻蚀工艺中波纹管存在的上述问题，现提供一种可有效隔离颗粒掉落于波纹管上，对波纹管造成损伤的保护罩结构。具体技术方案如下：一种保护罩结构，应用于干法刻蚀设备中，所述干法刻蚀设备包括一腔体，以及设置于所述腔体外的一升降装置，所述升降装置包括一升降结构，所述升降结构由所述腔体底部伸入所述腔体内，所述升降结构顶部连接一承托部件，用以托举晶圆，还包括一波纹管，所述波纹管套设于所述升降结构伸入所述腔体内的区段上，并连接所述承托部件及所述腔体底部，以于所述腔体与升降结构之间形成密封，其中，还包括：连接部件，设置于所述波纹管及所述腔体底部之间，并套设在所述升降结构外，用以连接所述波纹管及所述腔体底部；保护罩，罩于所述承托部件上，并向下延伸以遮蔽所述波纹管；当所述升降结构向下活动至所述最小行程时，所述保护罩的底部与所述连接部件连接所述腔体底部的结构之间具有一预定距离。优选的，所述保护罩呈圆筒形。优选的，所述保护罩的内径大于所述波纹管的外径。优选的，所述保护罩的内径与所述波纹管的外径差值为3MM。优选的，所述保护罩由与所述波纹管由相同的材质制成。优选的，所述波纹管由耐高温的不锈钢材质制成。优选的，所述保护罩的顶部设置有多个沉孔，所述保护罩通过沉头螺丝连接所述承托部件。优选的，所述升降装置为气缸。优选的，所述升降结构为活塞杆。优选的，所述连接部件为法兰环。上述技术方案具有如下优点或有益效果：通过保护罩结构罩设于波纹管上，可有效隔离刻蚀工艺产生的颗粒掉落于波纹管之间，避免颗粒对波纹管的损伤。附图说明图1为本技术一种保护罩结构的实施例的整体结构示意图；图2为本技术一种保护罩结构的另一实施例的整体结构示意图；图3为本技术一种保护罩结构的实施例中，关于保护罩的结构示意图。附图标记表示：1、升降装置；2、升降结构；3、波纹管；31、承托部件；32、连接部件；4、保护罩；41、保护罩的底部；42、保护罩的顶部；421、沉孔。具体实施方式下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。需要说明的是，在不冲突的情况下，本技术中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面结合附图和具体实施例对本技术作进一步说明，但不作为本技术的限定。如图1所示，一种保护罩4结构，应用于干法刻蚀设备中，干法刻蚀设备包括一腔体，以及设置于腔体外的一升降装置1，升降装置1包括一升降结构2，升降结构2由腔体底部伸入腔体内，升降结构2顶部连接一承托部件31，用以托举晶圆，还包括一波纹管3，波纹管3套设于升降结构2伸入腔体内的区段上，并连接承托部件31及腔体底部，以于腔体与升降结构2之间形成密封，其中，还包括：连接部件32，设置于波纹管3及腔体底部之间，并套设在升降结构2外，用以连接波纹管3及腔体底部；保护罩4，罩于承托部件31上，并向下延伸以遮蔽波纹管3；当升降结构2向下活动至最小行程时，保护罩的底部41与连接部件32连接腔体底部的结构之间具有一预定距离。为了避免干法刻蚀设备中在具体的干法刻蚀工艺中产生的颗粒掉落于波纹管3中，对波纹管3造成损伤，本技术通过在波纹管3的顶部设置一保护罩4，通过保护罩4于波纹罩上，进而使掉落的颗粒被保护罩4隔挡在保护罩4的外部，避免颗粒掉落于波纹管3的两段波纹之间，造成对波纹的损伤；升降装置1的升降结构2在推动波纹管3托举晶圆时，升降装置1在推动中波纹管3和保护罩4会整体同步运动，升降装置1的升降结构2用以托举晶圆，如图1所示，当升降结构2处于完全伸开状态时，升降结构2于腔体中将晶圆托举至预定高度，如图2所示，当升降结构2处于收缩状态时，且当保护罩4活动至最小行程时，保护罩4的底部与腔体的底部之间具有一预定距离，优选的，预定距离大于0。在一种较优的实施方式中，如图3所示，保护罩4呈圆筒形。在一种较优的实施方式中，保护罩4的内径大于波纹管3的外径。优选的，保护罩4的内径比波纹管3的外径大3mm，将保护罩4的内径设置为大于波纹管3的目的主要是避免保护罩4与波纹管3同步运动时，保护罩4的内侧壁摩擦到波纹管3的外壁。在一种较优的实施方式中，保护罩4与波纹管3由相同的材质制成，其目的是保证保护罩4和波纹管3之间在腔体内的高温环境中保持相同的膨胀系数。优选的，保护罩4由耐高温的不锈钢材质制成。优选的，波纹管3由耐高温的不锈钢材质制成。上述技术方案中，需要说明的是在干法刻蚀工艺中往往会存在较高的反应温度，因此设置于干法刻蚀设备中的保护罩4和波纹管3需要满足耐高温以及较高的硬度，因此保护罩4和波纹管3均采用耐高温的不锈钢材质制成，且保护罩4和波纹管3的膨胀系数保持一致。作为优选的实施方式，保护罩4的顶部42设置有多个沉孔421，保护罩4通过沉头螺丝连接承托部件31。通过沉头螺丝连接保护罩4和承托部件31可使对晶圆的承托面保持平整。在一种较优的实施方式中，升降装置1为气缸。作为可选的实施方式，升降装置1可也采用油缸或者电缸。在一种较优的实施方式中，升降结构2为活塞杆。活塞杆可以是气缸、油缸中活塞元件的连杆，也可以是电缸中执行机构。在一种较优的实施方式中，连接部件32为法兰环。法兰环可有效的将波纹管3连接至腔体的底部，进一步的，可通过于法兰环与波纹管3之间，和/或法兰环与腔体底部之间增加密封垫，以实现更优的密封效果。以上所述仅为本技术较佳的实施例，并非因此限制本技术的实施方式及保护范围，对于本领域技术人员而言，应当能够意识到凡运用本技术说明书及图示内容所作出的等同替换和显而易见的变化所得到的方案，均应当包含在本技术的保护范围内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种保护罩结构，应用于干法刻蚀设备中，所述干法刻蚀设备包括一腔体，以及设置于所述腔体外的一升降装置，所述升降装置包括一升降结构，所述升降结构由所述腔体底部伸入所述腔体内，所述升降结构顶部连接一承托部件，用以托举晶圆，还包括一波纹管，所述波纹管套设于所述升降结构伸入所述腔体内的区段上，并连接所述承托部件及所述腔体底部，以于所述腔体与升降结构之间形成密封，其特征在于，还包括：连接部件，设置于所述波纹管及所述腔体底部之间，并套设在所述升降结构外，用以连接所述波纹管及所述腔体底部；保护罩，罩于所述承托部件上，并向下延伸以遮蔽所述波纹管；当所述升降结构向下活动至最小行程时，所述保护罩的底部与所述连接部件连接所述腔体底部的结构之间具有一预定距离。

【技术特征摘要】
1.一种保护罩结构，应用于干法刻蚀设备中，所述干法刻蚀设备包括一腔体，以及设置于所述腔体外的一升降装置，所述升降装置包括一升降结构，所述升降结构由所述腔体底部伸入所述腔体内，所述升降结构顶部连接一承托部件，用以托举晶圆，还包括一波纹管，所述波纹管套设于所述升降结构伸入所述腔体内的区段上，并连接所述承托部件及所述腔体底部，以于所述腔体与升降结构之间形成密封，其特征在于，还包括：连接部件，设置于所述波纹管及所述腔体底部之间，并套设在所述升降结构外，用以连接所述波纹管及所述腔体底部；保护罩，罩于所述承托部件上，并向下延伸以遮蔽所述波纹管；当所述升降结构向下活动至最小行程时，所述保护罩的底部与所述连接部件连接所述腔体底部的结构之间具有一预定距离。2.根据权利要求1所述的保护罩结构，其特征在于，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：阚杰，陈诚，刘东升，吕煜坤，朱骏，张旭升，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：新型
国别省市：上海,31