An end face emitting semiconductor laser is obtained, which can suppress the oscillating wavelength shift accompanying with the temperature change, but will not decrease the production and finished product rate. A first coating (2) having a first refractive index is formed on a semiconductor substrate (1). An active layer (3) with a second refractive index higher than the first refractive index is formed on the first cover layer (2). The Prague reflector (4) is formed on the active layer (3). The Prague reflector is obtained by alternately stacking the thickness index of the low refractive index layer (4a) and the high refractive index layer (4b) with a thickness of /4n. The lambda is oscillatory wavelength and N is the refractive index of the medium. On the Prague reflector (4), a light absorption layer (5) has a smaller band gap energy than the active layer (3). The second coating (6) with a third refractive index lower than the second refractive index is formed on the light absorption layer (5).
【技术实现步骤摘要】
端面射出型半导体激光器
本专利技术涉及一种从波导通路端面将光射出的端面射出型半导体激光器。
技术介绍
就半导体激光器而言,由低折射率的覆层从上下夹着包含有源层的高折射率的芯层而形成有波导通路。夹着有源层的一个覆层掺杂成p型,另一个覆层掺杂成n型。从p型覆层侧注入的空穴和从n型覆层侧注入的电子在有源层内复合而发光。从有源层产生的光的一部分在芯层与覆层之间的界面进行全反射,返回至有源层。光在从有源层通过期间得到增益而放大,再次在芯层与覆层之间的界面进行全反射。反复进行上述过程而在波导通路内对光进行传输、放大。另外,半导体激光器端面与作为出射介质的空气之间的界面成为反射镜,由前后两端面的反射镜形成法布里珀罗谐振器。在波导通路内传输的光的一部分从半导体端面射出至外部,成为镜损失。剩下的光由端面进行反射,再次在波导通路内进行传输。在反复进行上述动作的过程中,在谐振器内仅具有驻波的特定的波长发生谐振。在波导通路传输时的内部损失以及端面反射时的镜损失之和变得与传输中得到的增益相等时,产生激光器振荡,从端面射出相干光。专利文献1:日本特开平7-202320号公报光一边在折射率高的芯层与折射率低的覆层之间的界面反复进行全反射一边进行波导。由于该界面处的反射率没有波长依赖性,因此波导通路本身没有波长选择性。因此,如果温度发生变化,则振荡波长根据有源层的带隙的变化而移动,因此激光器的振荡波长会相对于所希望的波长、例如光纤的波长色散为零的1310nm而大幅地错开。存在下述问题,即,由于该色散的影响而限制光信号的传送距离。作为用于解决该问题的现有技术,存在沿波导通路设置了衍射光栅的 ...
【技术保护点】
一种端面射出型半导体激光器,其特征在于,具有:半导体基板;第1覆层,其形成于所述半导体基板之上,具有第1折射率;有源层,其形成于所述第1覆层之上,具有比所述第1折射率高的第2折射率;布拉格反射镜,其形成于所述有源层之上,是将厚度均比λ/4n厚的低折射率层和高折射率层交替地层叠而得到的,其中,λ为振荡波长,n为介质的折射率;光吸收层,其形成于所述布拉格反射镜之上,具有比所述有源层小的带隙能;以及第2覆层,其形成于所述光吸收层之上,具有比所述第2折射率低的第3折射率。
【技术特征摘要】
2016.05.31 JP 2016-1089161.一种端面射出型半导体激光器,其特征在于,具有:半导体基板;第1覆层,其形成于所述半导体基板之上,具有第1折射率;有源层,其形成于所述第1覆层之上,具有比所述第1折射率高的第2折射率;布拉格反射镜,其形成于所述有源层之上,是将厚度均比λ/4n厚的低折射率层和高折射率层交替地层叠而得到的,其中,λ为振荡波长,n为介质的折射率;光吸收层,其形成于所述布拉格反射镜之上,具有比所述有源层小的带隙能;以及第2覆层,其形成于所述光吸收层之上,具有比所述第2折射率低的第3折射率。2.一种端面射出型半导体激光器,其特征在于,具有:半导体基板;第1覆层,其形成于所述半导体基板之上,具有第1折射率;光吸收层,其形成于所述第1覆层之上;布拉格反射镜,其形成于所述光吸收层之上,是将厚度均比λ/4n厚的低折射率层和高折射率层交替地层叠而得到的,其中,λ为振荡波长,n为介质的折射率;有源层,其形成于所述布拉格反射镜之上,具有比所述第1折射率高的第2折射率和比所述光吸收层大的带隙能;以及第2覆层,其形成于所述有源层之上,具有比所述第2折射率低的第3折射率。3.根据权利要求1或2所述的端面射出型半导体激光器,其特征在于,所述布拉格反射镜在掺杂成p型的情况下具有AlGaInAs层,在掺杂成n型的情况下具有InGaAsP层。4.根据权利要求1至3中任一项所述的端面射出型半导体激光器,其特征在...
【专利技术属性】
技术研发人员:渊田步,奥贯雄一郎,
申请(专利权)人:三菱电机株式会社,
类型:发明
国别省市:日本,JP
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