纳米铜基屏蔽导热片制造技术

本实用新型专利技术公开了一种纳米铜基屏蔽导热片，包括经纳米工艺处理的厚度在25‑75um的纳米铜箔，所述纳米铜箔一面上溅射有一层厚度在200‑600nm的石墨烯，所述纳米铜箔相对的另一面上贴敷有一层厚度在10‑30um的导热胶。本实用新型专利技术可替代传统的金属屏蔽材料，在具有较好的屏蔽功能的同时，还具有良好的三维导热的效果。

【技术实现步骤摘要】
纳米铜基屏蔽导热片
本技术涉及一种屏蔽导热件，具体是涉及一种纳米铜基屏蔽导热片。
技术介绍
在电子终端中，广泛应用有屏蔽罩，来为电子终端中某些电子器件提供电磁屏蔽作用。目前，屏蔽罩通常采用金属屏蔽罩，比如不锈钢或镀锡钢带(马口铁皮)等，由支腿及罩体组成，支腿与罩体为活动连接；但被金属屏蔽罩遮掩的电子器件，散热会更加困难。如何解决屏蔽罩内电子器件的散热均热问题，是目前的一个技术难点。
技术实现思路
为了解决上述技术问题，本技术提出一种纳米铜基屏蔽导热片，可替代传统的金属屏蔽材料，在具有较好的屏蔽功能的同时，还具有良好的三维导热的效果。本技术的技术方案是这样实现的：一种纳米铜基屏蔽导热片，包括经纳米工艺处理的厚度在25-75um的纳米铜箔，所述纳米铜箔一面上溅射有一层厚度在200-600nm的石墨烯，所述纳米铜箔相对的另一面上贴敷有一层厚度在10-30um的导热胶。进一步的，所述纳米铜箔采用电解法制取，电解过程中，铜的粒度控制在600-800nm。进一步的，所述导热胶采用金属粉含量为35-55％固含量的胶体。本技术的有益效果是：本技术提供一种纳米铜基屏蔽导热片，采用厚度在25-75um的纳米铜箔作为屏蔽的基材，并在纳米铜箔一面上溅射一层厚度在200-600nm的石墨烯，在纳米铜箔相对的另一面上贴敷一层厚度在10-30um的导热胶，实现屏蔽导热的性能。其原理是，利用纳米铜箔的三维导热性能，可以作为一层储热庄主，再加上石墨烯的水平导热性能优良，可加快水平方向的热传导性能，同步实现一个平面的热扩散。这样避免了纳米铜箔单一材料的缺陷，如铜箔三维的导热只有398W/m.k；而石墨烯的水平方向约5000-7000W/m.k，这样组合在一起，较好的弥补了铜箔的水平方向的不足，同时也弥补了石墨烯垂直方向的不足。通过导热胶层可以根据所需大小模切成型，贴敷到产品表面就可以。附图说明图1为本技术中纳米铜基屏蔽导热片示意图。具体实施方式为了能够更清楚地理解本技术的
技术实现思路
，特举以下实施例详细说明，其目的仅在于更好理解本技术的内容而非限制本技术的保护范围。实施例附图的结构中各组成部分未按正常比例缩放，故不代表实施例中各结构的实际相对大小。如图1所示，一种纳米铜基屏蔽导热片，包括经纳米工艺处理的厚度在25-75um的纳米铜箔1，所述纳米铜箔一面上溅射有一层厚度在200-600nm的石墨烯2，所述纳米铜箔相对的另一面上贴敷有一层厚度在10-30um的导热胶3。这样，采用厚度在25-75um的纳米铜箔作为屏蔽的基材，并在纳米铜箔一面上溅射一层厚度在200-600nm的石墨烯，在纳米铜箔相对的另一面上贴敷一层厚度在10-30um的导热胶，实现屏蔽导热的性能。其原理是，利用纳米铜箔的三维导热性能，可以作为一层储热庄主，再加上石墨烯的水平导热性能优良，可加快水平方向的热传导性能，同步实现一个平面的热扩散。这样避免了纳米铜箔单一材料的缺陷，如铜箔三维的导热只有398W/m.k；而石墨烯的水平方向约5000-7000W/m.k，这样组合在一起，较好的弥补了铜箔的水平方向的不足，同时也弥补了石墨烯垂直方向的不足。通过导热胶层可以根据所需大小模切成型，贴敷到产品表面就可以。优选的，所述纳米铜箔采用电解法制取，电解过程中，铜的粒度控制在600-800nm。这样，通过该纳米工艺处理的纳米铜箔具有良好的金属屏蔽性能及导热储热性能。优选的，所述导热胶采用金属粉含量为35-55％固含量的胶体。这样，通过导热胶根据底座大小模切成型，贴敷到底座上面就可以。综上，本技术提供一种纳米铜基屏蔽导热片，采用厚度在25-75um的纳米铜箔作为屏蔽的基材，并在纳米铜箔一面上溅射一层厚度在200-600nm的石墨烯，在纳米铜箔相对的另一面上贴敷一层厚度在10-30um的导热胶，实现屏蔽导热的性能。其原理是，利用纳米铜箔的三维导热性能，可以作为一层储热庄主，再加上石墨烯的水平导热性能优良，可加快水平方向的热传导性能，同步实现一个平面的热扩散。这样避免了纳米铜箔单一材料的缺陷，如铜箔三维的导热只有398W/m.k；而石墨烯的水平方向约5000-7000W/m.k，这样组合在一起，较好的弥补了铜箔的水平方向的不足，同时也弥补了石墨烯垂直方向的不足。通过导热胶层可以根据所需大小模切成型，贴敷到产品表面就可以。以上实施例是参照附图，对本技术的优选实施例进行详细说明。本领域的技术人员通过对上述实施例进行各种形式上的修改或变更，但不背离本技术的实质的情况下，都落在本技术的保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种纳米铜基屏蔽导热片，其特征在于：包括经纳米工艺处理的厚度在25‑75um的纳米铜箔(1)，所述纳米铜箔一面上溅射有一层厚度在200‑600nm的石墨烯(2)，所述纳米铜箔相对的另一面上贴敷有一层厚度在10‑30um的导热胶(3)。

【技术特征摘要】
1.一种纳米铜基屏蔽导热片，其特征在于：包括经纳米工艺处理的厚度在25-75um的纳米铜箔(1)，所述纳米铜箔一面上溅射有一层厚度在200-600nm的石墨烯(2)，所述纳米铜箔相对的...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭志军，
申请(专利权)人：苏州鸿凌达电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏,32