The present invention provides a process control monitoring PCM device and monitoring method, applied according to a predetermined short-circuit detection between the hole and the conductive layer had to be made of the detection chip design rules, including process control monitoring PCM device includes a first conductive layer, the first conductive layer is provided with one or a plurality of first through holes and the first set to be led to the detection end; the second conductive layer, the second conductive layer settings need to be detected second terminals; arranged on the intermediate dielectric layer between the first conductive layer and the second conductive layer, the medium layer is provided with a corresponding insertion holes within each of the first second holes and the second conductive layer disposed on the intermediate dielectric layer and filling the second holes; and the first conductive layer and second conductive layer, an intermediate dielectric layer, the first and the second through hole The through-hole structure conforms to the predetermined design rule. Thus, the efficiency of judging the short circuit between the through hole and the first conductive layer is improved, and the cost is also saved.
【技术实现步骤摘要】
一种工艺控制监控PCM器件及监控方法
本专利技术涉及半导体
,特别是涉及一种工艺控制监控PCM器件及监控方法。
技术介绍
PCM(ProcessControlMonitor,工艺控制监控)测试可以直接反应出芯片的制作工艺过程是否正常。不同的PCM测试器件可以反应不同的工艺过程,PCM器件设计的越合理,就更加准确地反馈出对应的在线制程是否正常。随着半导体工艺的尺寸越来越小,用于金属连接的过孔大小也越来越小,孔刻蚀及孔光刻的异常便容易造成多晶刻蚀异常,进而导致孔跟多晶的短路。传统的利用切片看SEM(scanningelectronicmicroscopy,扫描电子显微镜)判断孔跟多晶是否短路,不仅操作复杂,而且一次切片只能查看3至5个检测点,效率较低,还有在大规模作业时,成本较高。
技术实现思路
本专利技术实施例的目的在于提供一种工艺控制监控PCM器件及监控方法,以解决现有技术中通过SEM判断孔跟多晶是否短路,不仅操作复杂,而且一次切片只能查看3至5个检测点,效率较低,还有在大规模作业时,成本较高。为了实现上述目的,本专利技术实施例提供的一种工艺控制监控PCM器件,应用于依据预定设计规则制成的待检测芯片中过孔与导电层之间的短路检测,其中,所述工艺控制监控PCM器件包括:第一导电层,所述第一导电层设置有一个或多个第一过孔以及设置有待检测的第一引出端;第二导电层,所述第二导电层设置有待检测的第二引出端;设置于所述第一导电层及所述第二导电层之间的中间介质层,其中,所述中间介质层开设有对应插入每个第一过孔内部的第二过孔,所述第二导电层设置于所述中间介质层上且填充所述 ...
【技术保护点】
一种工艺控制监控PCM器件,应用于依据预定设计规则制成的待检测芯片中过孔与导电层之间的短路检测,其特征在于,所述工艺控制监控PCM器件包括:第一导电层,所述第一导电层设置有一个或多个第一过孔以及设置有待检测的第一引出端;第二导电层,所述第二导电层设置有待检测的第二引出端;设置于所述第一导电层及所述第二导电层之间的中间介质层,其中,所述中间介质层开设有对应插入每个第一过孔内部的第二过孔,所述第二导电层设置于所述中间介质层上且填充所述第二过孔;并且,所述第一导电层、所述第二导电层、所述中间介质层、所述第一过孔和所述第二过孔的结构符合所述预定设计规则。
【技术特征摘要】
1.一种工艺控制监控PCM器件,应用于依据预定设计规则制成的待检测芯片中过孔与导电层之间的短路检测,其特征在于,所述工艺控制监控PCM器件包括:第一导电层,所述第一导电层设置有一个或多个第一过孔以及设置有待检测的第一引出端;第二导电层,所述第二导电层设置有待检测的第二引出端;设置于所述第一导电层及所述第二导电层之间的中间介质层,其中,所述中间介质层开设有对应插入每个第一过孔内部的第二过孔,所述第二导电层设置于所述中间介质层上且填充所述第二过孔;并且,所述第一导电层、所述第二导电层、所述中间介质层、所述第一过孔和所述第二过孔的结构符合所述预定设计规则。2.如权利要求1所述的工艺控制监控PCM器件,其特征在于,所述第一导电层为具有多个单晶的多晶层或金属层;所述第二导电层为具有多个单晶的多晶层或金属层。3.如权利要求1或2所述的工艺控制监控PCM器件,其特征在于,在平行于所述第一导电层的截面上,所述第二过孔到所述第一导电层之间具有预设距离,其中所述预设距离大于或等于所述预定设计规则要求的最小值。4.如权利要求1或2所述的工艺控制监控PCM器件,其特征在于,所述PCM器件为多层导电层,其中,所述第一导电层为中间层导电层,所述...
【专利技术属性】
技术研发人员:杜蕾,
申请(专利权)人:北大方正集团有限公司,深圳方正微电子有限公司,
类型:发明
国别省市:北京,11
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