一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示面板技术

本申请公开了一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示面板，用以增强对薄膜晶体管的沟道区域的遮光效果，从而改善薄膜晶体管的光照稳定性，提高薄膜晶体管的工作稳定性。本申请实施例提供的一种薄膜晶体管，该薄膜晶体管包括：遮光层和位于所述遮光层之上的缓冲层，位于所述缓冲层之上的半导体层，所述半导体层包括三部分区域：第一导体化区域、沟道区域以及第二导体化区域，在平行于所述半导体层的方向上，所述沟道区域位于所述第一导体化区域与所述第二导体化区域之间；其中，所述缓冲层的厚度使得通过所述缓冲层入射的光，无法影响所述第一导体化区域、沟道区域和所述第二导体化区域。

【技术实现步骤摘要】
一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示面板
本申请涉及显示
，尤其涉及一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示面板。
技术介绍
顶栅结构的氧化物薄膜晶体管(TFT)栅极与源极和漏极不存在交叠区域，因而其具有较小的寄生电容(Cgs)，从而可以应用于具有高分辨率和高刷新频率、窄边框、低功耗的大尺寸有机发光二极管(OLED)显示产品。但是由于氧化物TFT中的氧化物对光照敏感，在光照下TFT沟道区域的氧化物的电学特性会发生变化，对于顶栅结构的氧化物TFT而言，由于缺少了底栅对TFT的沟道区域的遮挡，TFT容易发生较大的阈值电压(VTH)漂移，超出了补偿电路的补偿范围，造成显示画面出现残像等问题，因此，在制作顶栅结构的氧化物TFT时通常在面板上制作一层遮光层进行遮光，如图1所示，现有技术中顶栅结构的氧化物TFT结构包括：遮光层1、氧化硅层2、第一导体化区域3、沟道区域4、第二导体化区域5、栅绝缘层6、栅极7、层间绝缘层8、源极9以及漏极10。其中，图中箭头代表光路方向，氧化硅层作为缓冲层，光可以通过氧化硅层。现有技术中，氧化硅层整层设置并且其厚度较厚，设置遮光层只能遮挡垂直于遮光层方向入射到沟道区域的光，非垂直于遮光层方向上的光仍然可以从氧化硅层的侧面入射到沟道区域，影响沟道区氧化物的电学特性。综上，现有技术的顶栅结构氧化物TFT，对沟道区域的遮光效果较差，TFT的工作稳定性差。
技术实现思路
本申请实施例提供了一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示面板，用以增强对薄膜晶体管的沟道区域的遮光效果，从而改善薄膜晶体管的光照稳定性，提高薄膜晶体管的工作稳定性。本申请实施例提供的一种薄膜晶体管，该薄膜晶体管包括：遮光层和位于所述遮光层之上的缓冲层，位于所述缓冲层之上的半导体层，所述半导体层包括三部分区域：第一导体化区域、沟道区域以及第二导体化区域，在平行于所述半导体层的方向上，所述沟道区域位于所述第一导体化区域与所述第二导体化区域之间；其中，所述缓冲层使得入射到所述缓冲层的光，无法影响所述第一导体化区域、沟道区域和所述第二导体化区域。本申请实施例提供的一种薄膜晶体管，由于所述缓冲层的厚度使得入射到缓冲层的光，无法影响所述第一导体化区域、沟道区域和所述第二导体化区域，即改变所述缓冲层的厚度，从而使得入射到半导体层的光完全被遮住，从而使得光线无法通过缓冲层入射到半导体层的沟道区域，从而可以增强对薄膜晶体管沟道区域的遮光效果，提高薄膜晶体管的光照稳定性，进而可以提高薄膜晶体管的工作稳定性。较佳地，所述遮光层的材料包括钼铌合金，所述缓冲层的材料包括氧化铝。较佳地，所述氧化铝是铝钕合金通过阳极氧化处理形成的。较佳地，所述缓冲层的厚度在100nm～200nm范围内。较佳地，在平行于所述缓冲层的方向上，所述缓冲层的尺寸小于所述遮光层的尺寸。较佳地，该薄膜晶体管还包括：位于所述沟道区域之上的栅绝缘层，位于所述栅绝缘层之上的栅极，位于所述栅极、所述第一导体化区域、所述第二导体化区域、所述缓冲层和所遮光层之上的层间绝缘层，以及位于所述层间绝缘层之上的源极和漏极；其中，所述层间绝缘层包括在一次刻蚀工艺中形成的第一过孔、第二过孔以及第三过孔，所述源极通过所述第一过孔与所述第一导体化区域连接，所述漏极通过所述第二过孔与所述第二导体化区域连接，所述漏极通过所述第三过孔与所述遮光层连接；或者，所述漏极通过所述第一过孔与所述第一导体化区域连接，所述源极通过所述第二过孔与所述第二导体化区域连接，所述源极通过所述第三过孔与所述遮光层连接。本申请实施例提供的薄膜晶体管，由于所述缓冲层的尺寸小于所述遮光层的尺寸，并且由于所述缓冲层的厚度较薄，后续在设置层间绝缘层的过孔时，可以采用一次刻蚀工艺形成所述第一过孔、所述第二过孔以及所述第三过孔，在保证刻蚀精度的同时降低了薄膜晶体管制备的工艺难度。本申请实施例提供的一种阵列基板，包括本申请实施例提供的薄膜晶体管。本申请实施例提供的一种显示面板，包括本申请实施例提供的阵列基板。本申请实施例提供的一种薄膜晶体管制备方法，该方法包括：在玻璃基板上设置遮光层；在所述遮光层之上设置缓冲层；在所述缓冲层之上设置半导体层；所述半导体层包括三部分区域：沟道区域，经过导体化处理形成的第一导体化区域以及第二导体化区域，在平行于所述半导体层的方向上，所述沟道区域位于所述第一导体化区域与所述第二导体化区域之间；其中，所述缓冲层使得入射到所述缓冲层的光，无法影响所述第一导体化区域、沟道区域和所述第二导体化区域。较佳地，在玻璃基板上设置遮光层具体包括：在玻璃基板上沉积钼铌合金，在所述钼铌合金之上沉积铝钕合金，进行图形化处理，得到钼铌合金层和铝钕合金层；在所述遮光层之上设置缓冲层具体包括：采用阳极氧化工艺对铝钕合金进行处理，得到氧化铝。本申请实施例提供的薄膜晶体管制备方法，采用阳极氧化工艺使得铝钕合金被氧化得到氧化铝作为缓冲层，工艺简单，易于实现。附图说明为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简要介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域的普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为现有技术薄膜晶体管的结构示意图；图2为本申请实施例提供的一种薄膜晶体管结构示意图；图3为本申请实施例提供的一种薄膜晶体管制备方法的流程示意图；图4为本申请实施例提供的另一种薄膜晶体管制备方法的流程示意图。具体实施方式本申请实施例提供了一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示面板，用以增强对薄膜晶体管的沟道区域的遮光效果，从而提高薄膜晶体管的光照稳定性，进而提高薄膜晶体管的工作稳定性。本申请实施例提供的一种薄膜晶体管，如图2所示，该薄膜晶体管包括：遮光层1、位于所述遮光层1之上的缓冲层11以及位于所述缓冲层11之上的半导体层，所述半导体层包括三部分区域：第一导体化区域3、沟道区域4以及第二导体化区域5；在平行于所述半导体层的方向上，所述沟道区域4位于所述第一导体化区域3与所述第二导体化区域5之间；其中，所述缓冲层11的厚度使得入射到所述缓冲层的光，无法影响所述第一导体化区域、沟道区域和所述第二导体化区域；该薄膜晶体管还包括：位于沟道区域4之上的栅绝缘层6、位于所述栅绝缘层6之上的栅极7、位于所述栅极7、所述第一导体化区域3、所述第二导体化区域5、所述缓冲层11和所遮光层1之上的层间绝缘层8、以及位于所述层间绝缘层8之上的源极9和漏极10；其中，层间绝缘层8包括第一过孔12、第二过孔13以及第三过孔14，所述源极9通过所述第一过孔12与所述第一导体化区域3连接，所述漏极10通过所述第二过孔13与所述第二导体化区域5连接，所述漏极10通过所述第三过孔14与所述遮光层1连接。本申请实施例提供的一种薄膜晶体管，通过设置薄层的缓冲层，所述缓冲层的厚度使得入射到所述缓冲层的光，无法影响所述第一导体化区域、沟道区域和所述第二导体化区域，即设置所述缓冲层的厚度，从而使得入射到半导体层的光完全被遮住，从而使得光线无法通过缓冲层入射到半导体层的沟道区域，从而可以增强对薄膜晶体管沟道区域的遮光效果，提高薄膜晶体管的光照稳定性，进而可以提高薄膜晶体管的工本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜晶体管，其特征在于，该薄膜晶体管包括：遮光层和位于所述遮光层之上的缓冲层，位于所述缓冲层之上的半导体层，所述半导体层包括三部分区域：第一导体化区域、沟道区域以及第二导体化区域，在平行于所述半导体层的方向上，所述沟道区域位于所述第一导体化区域与所述第二导体化区域之间；其中，所述缓冲层使得入射到所述缓冲层的光，无法影响所述第一导体化区域、沟道区域和所述第二导体化区域。

【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管，其特征在于，该薄膜晶体管包括：遮光层和位于所述遮光层之上的缓冲层，位于所述缓冲层之上的半导体层，所述半导体层包括三部分区域：第一导体化区域、沟道区域以及第二导体化区域，在平行于所述半导体层的方向上，所述沟道区域位于所述第一导体化区域与所述第二导体化区域之间；其中，所述缓冲层使得入射到所述缓冲层的光，无法影响所述第一导体化区域、沟道区域和所述第二导体化区域。2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述遮光层的材料包括钼铌合金，所述缓冲层的材料包括氧化铝。3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述氧化铝是铝钕合金通过阳极氧化处理形成的。4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述缓冲层的厚度在100nm～200nm范围内。5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，在平行于所述缓冲层的方向上，所述缓冲层的尺寸小于所述遮光层的尺寸。6.根据权利要求5所述的薄膜晶体管，其特征在于，该薄膜晶体管还包括：位于所述沟道区域之上的栅绝缘层，位于所述栅绝缘层之上的栅极，位于所述栅极、所述第一导体化区域、所述第二导体化区域、所述缓冲层和所遮光层之上的层间绝缘层，以及位于所述层间绝缘层之上的源极和漏极；其中，所述层间绝缘层包括在一次刻蚀工艺中形成的第一过孔、第二过孔以及...

【专利技术属性】
技术研发人员：王国英，宋振，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11