DES线用水装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种DES线用水装置，包括第一回用管道，以及沿走板方向依次布置的显影水洗机构和酸洗水洗机构，所述酸洗水洗机构通过所述第一回用管道与所述显影水洗机构连通，所述第一回用管道用于将所述酸洗水洗机构中的清洗液引回至显影水洗机构中。所述DES线用水装置，一方面，酸洗水洗机构中的清洗液能够回用到显影水洗机构中，用于对显影后的工件进行清洗，显影水洗机构无需补充新水，能够节省用水，节能环保；另一方面，对工件进行清洗后的酸洗水洗机构中的清洗液呈弱酸性，当引回至显影水洗机构中后能够更快中和掉显影水洗机构内残余的弱碱性溶液，提高清洗效果，避免工件上的干膜被进一步攻击造成开路风险。

Water using device for DES line

The utility model discloses a DES line water device, comprising a first return pipe, and the developing direction are arranged along the board washing machine and washing, the washing mechanism first reuse pipeline and the washing mechanism connected by the developer, the first back pipe for cleaning liquid the washing mechanism of the lead back to the development of washing machine. The DES line water device, hand washing liquid washing mechanism can be used for developing washing mechanism, cleaning of the workpiece after developing, developing new water washing mechanism without a supplement, can save water, energy saving and environmental protection; on the other hand, the washing liquid washing mechanism for cleaning the workpiece in the weakly acidic, when returning to the developing after washing mechanism can quickly neutralize alkaline solution of residual washing mechanism in developing and improving the cleaning effect, avoid dry film on the workpiece is further open attack risk.

【技术实现步骤摘要】
DES线用水装置
本技术涉及PCB制造
，尤其涉及一种DES线用水装置。
技术介绍
随着国家对减排政策的重视，环保部对企业用水要求和限排监管越来越严，并出台“印制电路-环保清洁生产标准”相关规范要求。PCB制造业生产流程长、耗水量大，特别是DES线(也叫酸性蚀刻线)作为PCB制造的一个耗水大户，占整个制程耗水量的15％-20％。传统的，DES线的一般流程为“前工序(光成像)→显影→溢流水洗→酸性蚀刻→溢流水洗→去膜→溢流水洗→酸洗→溢流水洗→烘干→后工序”，耗水量大，不利于PCB制造的节能环保。
技术实现思路
基于此，有必要提供一种能够节省用水，节能环保的DES线用水装置。其技术方案如下：一种DES线用水装置，包括第一回用管道，以及沿走板方向依次布置的显影水洗机构和酸洗水洗机构，所述酸洗水洗机构通过所述第一回用管道与所述显影水洗机构连通，所述第一回用管道用于将所述酸洗水洗机构中的清洗液引回至显影水洗机构中。在其中一个实施例中，所述DES线用水装置还包括蚀刻水洗机构、退膜水洗机构及第二回用管道，所述显影水洗机构、蚀刻水洗机构、退膜水洗机构和酸洗水洗机构沿走板方向依次布置，所述退膜水洗机构通过所述第二回用管道与所述蚀刻水洗机构连通，所述第二回用管道用于将所述退膜水洗机构中的清洗液引回至蚀刻水洗机构中。在其中一个实施例中，所述显影水洗机构包括至少两道显影水洗槽，所述显影水洗槽的侧壁上设有显影水洗溢流口，后一道的所述显影水洗槽上的显影水洗溢流口与前一道的所述显影水洗槽连通，沿着由前至后的方向，所述显影水洗槽上的显影水洗溢流口的高度逐渐升高；所述酸洗水洗机构包括至少两道酸洗水洗槽，所述第一回用管道的第一端与第一道所述酸洗水洗槽连通，所述第一回用管道的第二端与最后一道所述显影水洗槽连通。在其中一个实施例中，后一道所述酸洗水洗槽上设有与前一道的所述酸洗水洗槽连通的酸洗水洗溢流口，沿着由前至后的方向，所述酸洗水洗槽上的酸洗水洗溢流口的高度逐渐升高，最后一道所述酸洗水洗槽上设有第一新水进口。在其中一个实施例中，所述酸洗水洗槽中设有喷淋泵，所述第一回用管道的第一端与第一道所述酸洗水洗槽中的喷淋泵连接。在其中一个实施例中，所述蚀刻水洗机构包括至少两道蚀刻水洗槽，所述蚀刻水洗槽上设有蚀刻水洗溢流口，后一道的所述蚀刻水洗槽上的蚀刻水洗溢流口与前一道的所述蚀刻水洗槽连通，沿着由前至后的方向，所述蚀刻水洗槽上的蚀刻水洗溢流口的高度逐渐升高；所述退膜水洗机构包括至少两道退膜水洗槽，所述第二回用管道的第一端与第一道所述退膜水洗槽连通，所述第二回用管道的第二端与最后一道所述蚀刻水洗槽连通。在其中一个实施例中，后一道所述退膜水洗槽上设有与前一道的所述退膜水洗槽连通的退膜水洗溢流口，沿着由前至后的方向，所述退膜水洗槽上的退膜水洗溢流口的高度逐渐升高，最后一道所述退膜水洗槽上设有第二新水进口。在其中一个实施例中，所述退膜水洗槽中设有喷淋泵，所述第二回用管道的第一端与第一道所述退膜水洗槽中的喷淋泵连接。在其中一个实施例中，所述DES线用水装置还包括显影槽、蚀刻槽、退膜槽和酸洗槽，所述显影槽、显影水洗机构、蚀刻槽、蚀刻水洗机构、退膜槽、退膜水洗机构、酸洗槽以及酸洗水洗机构沿走板方向依次布置。在其中一个实施例中，所述显影槽、蚀刻槽、退膜槽和酸洗槽中均设有喷淋泵。本技术的有益效果在于：所述DES线用水装置，通过对DES各段水洗后的清洗液水质进行分析，利用酸不与干膜反应的原理，通过设置第一回用管道，能够通过第一回用管道将酸洗水洗机构中的清洗液引回至显影水洗机构中，一方面，酸洗水洗机构中的清洗液能够回用到显影水洗机构中，用于对显影后的工件进行清洗，显影水洗机构无需补充新水，能够节省用水，节能环保；另一方面，对工件进行清洗后的酸洗水洗机构中的清洗液呈弱酸性，当引回至显影水洗机构中后能够更快中和掉显影水洗机构内残余的弱碱性溶液，提高清洗效果，避免工件上的干膜被进一步攻击造成开路风险。附图说明图1为本技术实施例所述的DES线用水装置的结构示意图。附图标记说明：10、第一回用管道，20、第二回用管道，30、显影槽，40、显影水洗机构，42、显影水洗槽，422、显影水洗溢流口，50、蚀刻槽，60、蚀刻水洗机构，62、蚀刻水洗槽，622、蚀刻水洗溢流口，70、退膜槽，80、退膜水洗机构，82、退膜水洗槽，822、退膜水洗溢流口，824、第二新水进口，90、酸洗槽，100、酸洗水洗机构，102、酸洗水洗槽，104、酸洗水洗溢流口，106、第一新水进口，110、喷淋泵，120、喷淋管道。具体实施方式为了便于理解本技术，下面将参照相关附图对本技术进行更全面的描述。附图中给出了本技术的较佳实施方式。但是，本技术可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施方式。相反地，提供这些实施方式的目的是使对本技术的公开内容理解的更加透彻全面。需要说明的是，当元件被称为“固定于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。相反，当元件被称作“直接在”另一元件“上”时，不存在中间元件。本文所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的，并不表示是唯一的实施方式。除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本技术的
的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本技术的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施方式的目的，不是旨在于限制本技术。本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。如图1所示，一种DES线用水装置，包括第一回用管道10、第二回用管道20，以及沿走板方向依次布置的显影槽30、显影水洗机构40、蚀刻槽50、蚀刻水洗机构60、退膜槽70、退膜水洗机构80、酸洗槽90以及酸洗水洗机构100。显影槽30、显影水洗机构40、蚀刻槽50、蚀刻水洗机构60、退膜槽70、退膜水洗机构80、酸洗槽90以及酸洗水洗机构100位于同一水平线上，能够实现对工件的酸性蚀刻工序。本实施例中，走板方向如图1中上部的箭头所示，显影槽30所在的一侧为前，酸洗水洗机构100所在的一侧为后。一般的，在显影工序中，使用浓度为1％左右的Na2CO3或K2CO3溶液，使在弱碱性条件下能够溶解工件上未发生光联作用的干膜，而不与工件上已发生光联作用的干膜反应，使得需要蚀刻掉的非图形位置露出来，为后一步的蚀刻工序做准备。在蚀刻工序中，酸性蚀刻液一般包含盐酸和氧化剂氯酸钠溶液，先利用盐酸和氧化剂把亚铜离子氧化成具有蚀刻能力的Cu2+，然后药水把上露出需蚀刻的非图形位置反应；同时，在蚀刻过程中工件表面的干膜不与酸发生反应。在退膜工序中，一般利用NaOH、KOH或有机碱等强碱溶液把光联反应的干膜进一步溶解，把图形线路铜露出。在酸洗工序中，用于把露出的铜导体上的氧化物清洗干净。通过上述对各工序进行分析可知，干膜不耐碱可耐酸，显影后的清洗液不能带碱性，可使用带酸性的清洗液。本实施例中，所述酸洗水洗机构100通过所述第一回用管道10与所述显影水洗机构40连通。所述第一回用管道10用本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种DES线用水装置，其特征在于，包括第一回用管道，以及沿走板方向依次布置的显影水洗机构和酸洗水洗机构，所述酸洗水洗机构通过所述第一回用管道与所述显影水洗机构连通，所述第一回用管道用于将所述酸洗水洗机构中的清洗液引回至显影水洗机构中。

【技术特征摘要】
1.一种DES线用水装置，其特征在于，包括第一回用管道，以及沿走板方向依次布置的显影水洗机构和酸洗水洗机构，所述酸洗水洗机构通过所述第一回用管道与所述显影水洗机构连通，所述第一回用管道用于将所述酸洗水洗机构中的清洗液引回至显影水洗机构中。2.根据权利要求1所述的DES线用水装置，其特征在于，还包括蚀刻水洗机构、退膜水洗机构及第二回用管道，所述显影水洗机构、蚀刻水洗机构、退膜水洗机构和酸洗水洗机构沿走板方向依次布置，所述退膜水洗机构通过所述第二回用管道与所述蚀刻水洗机构连通，所述第二回用管道用于将所述退膜水洗机构中的清洗液引回至蚀刻水洗机构中。3.根据权利要求2所述的DES线用水装置，其特征在于，所述显影水洗机构包括至少两道显影水洗槽，所述显影水洗槽的侧壁上设有显影水洗溢流口，后一道的所述显影水洗槽上的显影水洗溢流口与前一道的所述显影水洗槽连通，沿着由前至后的方向，所述显影水洗槽上的显影水洗溢流口的高度逐渐升高；所述酸洗水洗机构包括至少两道酸洗水洗槽，所述第一回用管道的第一端与第一道所述酸洗水洗槽连通，所述第一回用管道的第二端与最后一道所述显影水洗槽连通。4.根据权利要求3所述的DES线用水装置，其特征在于，后一道所述酸洗水洗槽上设有与前一道的所述酸洗水洗槽连通的酸洗水洗溢流口，沿着由前至后的方向，所述酸洗水洗槽上的酸洗水洗溢流口的高度逐渐升高，最后一道所述酸洗水洗槽上设有第一新水进口。5.根据权利要求3所述的DES线...

【专利技术属性】
技术研发人员：范红，李华，李艳国，陈蓓，
申请(专利权)人：广州兴森快捷电路科技有限公司，深圳市兴森快捷电路科技股份有限公司，宜兴硅谷电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：广东,44