The invention discloses a light-emitting diode package structure and manufacturing method thereof, including the light emitting diode structure: a transparent substrate; a plurality of extension unit, a first metal layer on the surface of the substrate, the surface part is located in the extension unit; N on the Prague mirror, is covering the extension unit and part of the surface of the first metal the second layer; the metal layer is arranged on the Prague mirror on the surface, and patterned and has a gap; a plurality of third metal layer is connected with the second metal layer, and at least third between the two metal layer is provided with a gap; the fluorescent powder layer is located on the transparent substrate on non n in Prague the mirror on the surface; and a packaging protective layer, is coated with the substrate, the extension unit, and the part of the third metal layer.
【技术实现步骤摘要】
发光二极管封装结构及其制造方法
本专利技术关于一种发光二极管封装结构及其制造方法,特别是一种具有改善光效及强化整体结构减少后续加工过程断裂效果的发光二极管封装结构。
技术介绍
近年来发光二极管装置的应用越来越广泛,近年来搭配透明基板可以两面发光的LED灯的LED灯丝灯,因为外型仿古美观,很受消费者的青睐,是以许多厂商都投入了LED灯丝灯的生产。但尽管LED灯丝灯的数量持续成长,但与传统的钨丝灯出货数量来相比,仍有一段相当大的差距。LED灯丝灯无法普遍的主要的原因在于LED灯丝灯对于封装有较高的要求,在制程工艺方面较为复杂、生产良率低,价格也因此较高。现在LED灯丝灯的作法多是先于大基板上长成LED单元,再将LED单元减薄切割成个别独立的LED晶粒,再将多个个别独立的LED晶粒黏附或焊接于一载板,最后再将载板上的个别独立的LED晶粒拉线串接而成。如此的多工艺步骤,因为在每一个步骤皆会造成良率的损失,导致最后成品的良率并不高。更具体地,例如在后续加工切割成LED晶粒的步骤,因为应力问题使得LED晶粒碎裂。再加上其他步骤施作时的良率损失,制作良率的改善变成是LED灯丝灯产品制造的重要课题。现有技术中,为了达到双面出光效果,LED灯丝灯不得不采取全方位荧光胶涂敷法,但此方法不仅用料成本大增,还使得封装结构温度增加,导致散热困难、光衰严重。但如果仅涂单面,成为单面出光芯片,虽然兼顾了成本和效率,却无法达成全方位出光,丧失灯丝灯原本要求全方位发光的目的。再者,LED灯丝灯也有散热的技术问题亟需克服,特别是大瓦数的LED灯丝灯运作时,会产生大量热,因此如何有效地散热,提 ...
【技术保护点】
一种发光二极管封装结构,包括:一基板;多个外延单元,位于该基板的一表面,每一外延单元包括:一n型半导体单元,位于该基板的表面;至少一发光层,位于该n型半导体单元上;一p型半导体单元,位于该n型半导体单元上,且该发光层夹设于该p型半导体单元与该n型半导体单元之间,部分的n型半导体单元露出且不被该p型半导体单元覆盖;以及一透明电极层,位于该p型半导体单元的表面;一第一金属层,该第一金属层位于该外延单元的部分表面以连结该外延单元与另一相邻的外延单元;n对布拉格反射镜对,包覆所述外延单元以及该第一金属层的部分表面,其中n为一大于6的整数;一第二金属层,设于该布拉格反射镜对的表面,并经图案化而具有一间隙,使该第二金属层分隔成至少两独立的电极,且该第二金属层连接未经该布拉格反射镜对所覆盖的该第一金属层;多个第三金属层,连接该第二金属层,且至少两个第三金属层之间具有一间隙以将该第三金属层分隔成至少两独立的电极;一荧光粉层,位于该基板上非n对布拉格反射镜对的表面;以及一封装保护层,包覆该基板、所述外延单元、该第二金属层、该荧光粉层、以及部分的该第三金属层。
【技术特征摘要】
1.一种发光二极管封装结构,包括:一基板;多个外延单元,位于该基板的一表面,每一外延单元包括:一n型半导体单元,位于该基板的表面;至少一发光层,位于该n型半导体单元上;一p型半导体单元,位于该n型半导体单元上,且该发光层夹设于该p型半导体单元与该n型半导体单元之间,部分的n型半导体单元露出且不被该p型半导体单元覆盖;以及一透明电极层,位于该p型半导体单元的表面;一第一金属层,该第一金属层位于该外延单元的部分表面以连结该外延单元与另一相邻的外延单元;n对布拉格反射镜对,包覆所述外延单元以及该第一金属层的部分表面,其中n为一大于6的整数;一第二金属层,设于该布拉格反射镜对的表面,并经图案化而具有一间隙,使该第二金属层分隔成至少两独立的电极,且该第二金属层连接未经该布拉格反射镜对所覆盖的该第一金属层;多个第三金属层,连接该第二金属层,且至少两个第三金属层之间具有一间隙以将该第三金属层分隔成至少两独立的电极;一荧光粉层,位于该基板上非n对布拉格反射镜对的表面;以及一封装保护层,包覆该基板、所述外延单元、该第二金属层、该荧光粉层、以及部分的该第三金属层。2.如权利要求1所述的发光二极管封装结构,还包括一连结于该第三金属层表面的加强板,其中该加强板跨接该第三金属层之间的该间隙的两侧。3.如权利要求1所述的发光二极管封装结构,还包括一位于该第三金属层的该间隙的非导电绝缘层。4.如权利要求1所述的发光二极管封装结构,还包含一位于该基板与该外延单元之间的缓冲层。5.如权利要求1所述的发光二极管封装结构,其中该第三金属层的厚度大于或等于150μm。6.如权利要求1所述的发光二极管封装结构,其中该第二金属层和与的相邻的该第三金属层之间还具有一焊接层,且该焊接层的厚度为1μm至3μm之间。7.如权利要求1所述的发光二极管封装结构,其中该封装保护层由一透明高分子或透明无机材料所形成。8.如权利要求1所述的发光二极管封装结构,其中n是为一大于或等于6的整数。9.如权利要求1所述的发光二极管封装结构,其中该布拉格反射镜对的光学膜层折射率是介于1.3至2.8之间。10.一种发光二极管封装结构的制造方法,包括下列步骤:于一基板上形成多个独立的外延单元,且每一外延单元...
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。