半导体装置及采用该半导体装置的交流发电机制造方法及图纸

提供一种低成本且无需复杂的制造工序即可简便地实现的半导体装置、及采用了该半导体装置的交流发电机。该半导体装置具备：具有台座(24)的基极(21)、具有导线端板(25)的导线(22)、电子电路体(100)，在基极与导线之间具有电子电路体，台座与电子电路体的第一面连接，导线端板与电子电路体的第二面连接，电子电路体包含具有开关元件的晶体管电路芯片(11)、控制开关元件的控制电路芯片(12)、漏极框架(14)、源极框架(15)，并构成为一体地被树脂(16)覆盖，漏极框架及源极框架的任意一方与基极连接，源极框架及漏极框架的任意另一方与导线连接。

Semiconductor device and alternating current generator using the same

A semiconductor device with low cost and simple manufacturing process without complex manufacturing processes, and an alternating current generator using the semiconductor device are provided. The semiconductor device has a pedestal (24) of the base (21), with a wire end plate (25) of the wire (22), the electronic circuit body (100), with electronic circuit in between the base and the conductor, pedestal and electronic circuit body surface is connected with the first, second and the electronic circuit wire end plate the connecting body contains electronic circuit transistor circuit chip with switching element (11) and a control circuit chip to control the switching element (12), (14), the framework of the drain source frame (15), and of being integrated by resin (16) covering arbitrary drain source framework and framework the party and the base connection, connecting the source and drain any frame on the other side and the lead frame.

【技术实现步骤摘要】
半导体装置及采用该半导体装置的交流发电机
本专利技术涉及半导体装置及采用该半导体装置的交流发电机。
技术介绍
作为本
的
技术介绍
，有专利文献1～专利文献3。在专利文献1中公开了一种半导体装置的技术：“[课题]提供一种能够简便地装配且损失小的半导体装置、交流发电机及电力变换装置。[解决方案]本专利技术的半导体装置S1具有第一外部电极101，该第一外部电极101具有在交流发电机Ot上装设的俯视呈圆形的外周部101s，在第一外部电极101上搭载MOSFET芯片103、输入MOSFET芯片103的第一主端子103d和第二主端子103s的电压或电流并基于其生成向MOSFET芯片103的栅极103g供给的控制信号的控制电路104、向控制电路104供给电源的电容器105，相对于MOSFET芯片103在上述第一外部电极的相反侧具有第二外部电极107，MOSFET芯片103的第一主端子103d和第一外部电极101、以及、MOSFET芯片103的第二主端子103s和第二外部电极107电连接。(参照[摘要])”。另外，在专利文献2中公开了一种半导体装置的技术：“[课题]提供一种能够改善散热性、导电性且易于收纳不同的半导体芯片的半导体装置。[解决方案]以夹持平面地配置的Si芯片1a、1b的方式配置有一对散热部件2、3，将Si芯片1a、1b的主电极与由以Cu或Al为主成分的金属构成的各散热部件2、3以电连接且导热连接的方式经由接合部件4连接起来。在一面侧的散热部件2上与面对的Si芯片1a、1b对应地形成有突出部2a，且该突出部2a的前端与主电极连接起来。并且，对Si芯片1a、1b和各散热部件2、3进行了树脂封固。(参照[摘要])”。另外，在专利文献3中公开了一种半导体元件的技术，“[目的]在使收容有半导体基体的容器被两个接触体夹持地与其加压接触的情况下，从控制电极存在的主面侧的散热也会保持良好，该半导体基体是在一个主面上整面地具有主电极、在另一主面上具有主电极和控制电极的、例如IGBT芯片等的半导体基体。[结构]利用绝缘性及良导热性的凝胶8和其上的绝缘性及良导热性的注型树脂9将半导体基体的具有控制电极的主面覆盖，使得能够经由这些凝胶8及树脂层9进行散热。如果以共同的接触体夹持多个这种元件，则能够利用传导及放射向两接触体传热，从而得到小体积且大电容的半导体装置。(参照[摘要])”。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2015－116053号公报专利文献2：日本特开2001－156225号公报专利文献3：日本特开平05－326830号公报
技术实现思路
专利技术所要解决的课题但是，在上述专利文献1～3公开的技术中存在如下课题。在专利文献1所示技术的半导体装置中，MOSFET芯片103与第一外部电极101及第二外部电极107以夹入MOSFET芯片103的方式直接利用焊锡109连接，此外，电容器105利用绝缘基板106与第一外部电极101或第二外部电极107绝缘。因此，例如在用于在汽车的发电中使用的交流发电机的整流电路等的情况下，需要以不同的制造工序来制造电流方向不同的正座(整流元件S1)构造和反座(整流元件S2)构造，存在需要在制造设备和成本的方面做出进一步改善的课题。在专利文献2公开的半导体装置、及专利文献3公开的半导体元件中，也由于仅有所谓的输出电路的构造，因此例如在用于整流电路的情况下，需要在输出电路之外另设新的控制电路。因此存在的课题是：例如一体地形成输出电路和控制电路而构成的外部电极，并不适合作为两端子的整流电路等的半导体装置的构造。另外，在专利文献2公开的半导体装置、及专利文献3公开的半导体元件中，由于内部电极和外部电极通过接触进行连接，因此作为会伴随例如高发热的电力变换装置或整流电路等的半导体装置的构造，存在由于运转时的热变形导致接触界面开口的可能性，因此就散热或电阻的方面而言是不利的构造。本专利技术是针对上述课题而进行的，其课题在于提供一种低成本且无需复杂的制造工序即可简便地实现的半导体装置、及采用了该半导体装置的交流发电机。用于解决课题的方案为了解决上述的课题，采用了以下的结构。即，本专利技术的半导体装置，其特征在于，具备：第一外部电极，其具有第一电极面部；第二外部电极，其具有第二电极面部；以及电子电路体，在上述第一外部电极与上述第二外部电极之间具有上述电子电路体，上述第一电极面部与上述电子电路体的第一面连接，上述第二电极面部与上述电子电路体的第二面连接，上述电子电路体包含具有开关元件的晶体管电路芯片、控制上述开关元件的控制电路芯片、与上述晶体管电路芯片的第一主面相接的第一内部电极、以及与上述晶体管电路芯片的第二主面相接的第二内部电极，并构成为一体地被树脂覆盖，上述第一内部电极及上述第二内部电极的任意一方与上述第一外部电极连接，上述第二内部电极及上述第一内部电极的任意另一方与上述第二外部电极连接。另外，对于其它方案将在用于实施专利技术的方式中进行说明。专利技术效果根据本专利技术，能够提供一种低成本且无需复杂的制造工序即可简便地实现的半导体装置、及采用了该半导体装置的交流发电机。附图说明图1是模式化表示本专利技术的第一实施方式的半导体装置的纵向构造的剖面的图。图2是模式化表示本专利技术的第一实施方式的半导体装置的俯视构造的图。图3是模式化表示本专利技术的第一实施方式的半导体装置的电子电路体的上表面的图。图4是模式化表示本专利技术的第一实施方式的半导体装置的电子电路体的下表面的图。图5是表示采用了本专利技术的第一实施方式的半导体装置的整流电路的电路结构的一个例子的图。图6是表示本专利技术的第一实施方式的半导体装置、及电子电路体的更具体的电路结构的一个例子的图。图7是模式化表示本专利技术的第二实施方式的半导体装置的纵向构造的剖面的图。图8是模式化表示采用了本专利技术的第二实施方式的半导体装置的整流电路的电路结构的一个例子的图。图9是模式化表示采用了正座的半导体装置和反座的半导体装置的三相全波整流电路装置的电路结构的一个例子的图。图中：11—晶体管电路芯片；11d—漏电极(第一主端子)；11s—源电极(第二主端子)；11g—栅电极；12—控制电路芯片；13、81—电容器；14—漏极框架(第一内部电极)；15—源极框架(第二内部电极)；16—第一树脂(电子电路体的树脂)；17—导线框架(支承体)；18—引线；19—第一导电性接合材料(电子电路体的接合材料)；21—基极(第一外部电极)；22—导线(第二外部电极)；24—台座(第一电极面部)；25—导线端板(第二电极面部)；26—第二树脂(半导体装置的树脂)；29—第二导电性接合材料(半导体装置的接合材料)；100—电子电路体；111—MOSFET；112、123—二极管；121—栅极驱动器；122—比较器；200、300—半导体装置；800—三相全波整流电路装置。具体实施方式以下适当地参照附图对用于实施本专利技术的方式(以下标记为“实施方式”)进行说明。《第一实施方式》参照图1、图2对本专利技术的第一实施方式的半导体装置(整流元件)200进行说明。图1是模式化表示本专利技术的第一实施方式的半导体装置200的纵向构造的剖面的图。图2是模式化表示本专利技术的第一实施方式的半导体装置200的俯视构造的图。此外，在图2中为了容易理解而省略了在本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置，其特征在于，具备：第一外部电极，其具有第一电极面部；第二外部电极，其具有第二电极面部；以及电子电路体，在上述第一外部电极与上述第二外部电极之间具有上述电子电路体，上述第一电极面部与上述电子电路体的第一面连接，上述第二电极面部与上述电子电路体的第二面连接，上述电子电路体包含具有开关元件的晶体管电路芯片、控制上述开关元件的控制电路芯片、与上述晶体管电路芯片的第一主面相接的第一内部电极、以及与上述晶体管电路芯片的第二主面相接的第二内部电极，并构成为一体地被树脂覆盖，上述第一内部电极及上述第二内部电极的任意一方与上述第一外部电极连接，上述第二内部电极及上述第一内部电极的任意另一方与上述第二外部电极连接。

【技术特征摘要】
2015.11.18 JP 2015-2252581.一种半导体装置，其特征在于，具备：第一外部电极，其具有第一电极面部；第二外部电极，其具有第二电极面部；以及电子电路体，在上述第一外部电极与上述第二外部电极之间具有上述电子电路体，上述第一电极面部与上述电子电路体的第一面连接，上述第二电极面部与上述电子电路体的第二面连接，上述电子电路体包含具有开关元件的晶体管电路芯片、控制上述开关元件的控制电路芯片、与上述晶体管电路芯片的第一主面相接的第一内部电极、以及与上述晶体管电路芯片的第二主面相接的第二内部电极，并构成为一体地被树脂覆盖，上述第一内部电极及上述第二内部电极的任意一方与上述第一外部电极连接，上述第二内部电极及上述第一内部电极的任意另一方与上述第二外部电极连接。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，上述第一电极面部经由导电性的接合材料与上述电子电路体的第一面连接，上述第二电极面部经由导电性的接合材料与上述电子电路体的第二面连接，上述第一内部电极及上述第二内部电极的任意一方经由导电性的接合材料及上述第...

【专利技术属性】
技术研发人员：河野贤哉，石丸哲也，栗田信一，寺川武士，
申请(专利权)人：株式会社日立功率半导体，
类型：发明
国别省市：日本,JP