用于低分子量的基于乙烯的聚合物的聚合的双‑联苯基苯氧基催化剂制造技术

本发明专利技术提供了方法和过渡金属络合物以形成基于乙烯的聚合物，如本文所述，所述方法包含在存在至少一个选自式1的分子过渡金属络合物的情况下将乙烯与任选地至少一种共聚单体聚合。

For the polymerization of ethylene polymer double biphenyl phenoxy catalyst based on low molecular weight

The present invention provides a method and transition metal complexes to form ethylene based polymers, as described in this paper, the method included in the presence of at least one selected from the group consisting of 1 molecular transition metal complexes under the condition of ethylene and optionally at least one comonomer.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于低分子量的基于乙烯的聚合物的聚合的双-联苯基苯氧基催化剂相关申请的引用本申请要求于2014年7月24日提交的美国临时申请号62/028637的权益，其通过引用并入本文。
技术介绍
低分子量的基于乙烯的聚合物用于各种配方中以制造热熔粘合剂和其它类型的粘合剂。许多此类聚合物使用几何形状受限类型的催化剂系统在低温(<135℃)下生产。期望发现能够在升高的温度下制造这些低分子量聚合物的新的聚合和催化剂系统，以容许提高的反应器产量、减少的溶剂脱挥发成分用热量输入以及减少的反应器积垢。通过此类高温聚合和催化剂系统，可期望使用与目前在用的几何形状受限催化剂系统相比相等或更低含量的氢气，以减少或防止在反应器、反应器进料、或后反应器加热器中气体逸出的发生。一些传统的聚合和催化剂系统在以下参考文献中进行了描述：WO2007/136494、US2011/0282018、US6,869,904、US7,060,848、US6806326、US5453410以及US5189192。但是，通过本领域的过渡金属催化剂的乙烯的聚合、以及乙烯与一种或多种α-烯烃的聚合通常已知可在高聚合温度和低含量氢气下生产相对较高分子量的均聚物和共聚物。此类聚合物和共聚物经常显示出大于100,000g/mol的分子量(例如，Mw)，在一些实施例中显示出大于500,000g/mol的分子量。在这些分子量水平，聚合物的流变特性不是所期望的，因为聚合物不会如所期望地进行流动，并且可能会从聚合溶液结晶。如所讨论地，仍需要新的聚合和催化剂系统，以便能够在升高的温度和低氢气含量下制造低分子量均聚物和共聚物。该需要通过以下专利技术得到满足。
技术实现思路
本专利技术提供了形成基于乙烯的聚合物的方法，所述方法包含在存在至少一个选自式1的分子过渡金属络合物的情况下将乙烯与任选地至少一种共聚单体聚合：其中M为钛、锆、或铪，每个独立地处于+2、+3、或+4的形式氧化态；n为0到3的整数，其中当n为0时，X不存在；每个X独立地为中性、单阴离子、或双阴离子的单齿配体，或者两个X结合在一起形成中性、单阴离子、或双阴离子的双齿配体；X和n选择成使得金属-配体络合物为中性；每个Z部分独立地为-O-、-S-、-N[(C1-C40)烃基]-、或-P[(C1-C40)烃基]-；Rx选自以下：取代的或未取代的(C1-C40)烃基、取代的或未取代的(C1-C40)杂烃基、-Si(RC)3、-OSi(RC)3-Ge(RC)3、-P(RC)2、-N(RC)2、-ORC、-SRC、-NO2、-CN、-CF3、-OCF3、-S(O)RC、-S(O)2RC、-N＝C(RC)2、-OC(O)RC、-C(O)ORC、-N(R)C(O)RC、-C(O)N(RC)2、卤素、或氢；并且其中每个RC独立地为取代的或未取代的(C1-C30)烃基、或者取代的或未取代的(C1-C30)杂烃基；Ry选自以下：取代的或未取代的(C1-C40)烃基、取代的或未取代的(C1-C40)杂烃基、-Si(RC)3、-OSi(RC)3、-Ge(RC)3、-P(RC)2、-N(RC)2、-ORC、-SRC、-NO2、-CN、-CF3、-OCF3、-S(O)RC、-S(O)2RC、-N＝C(RC)2、-OC(O)RC、-C(O)ORC、-N(R)C(O)RC、-C(O)N(RC)2、卤素、或氢；并且其中每个RC独立地为取代的或未取代的(C1-C30)烃基、或者取代的或未取代的(C1-C30)杂烃基；并且其中，当Rx为氢时，Ry不为氢，当Ry为氢时，Rx不为氢；并且其中Rx和Ry可任选地形成环形结构；并且其中R1a、R2a、R3a、R4a、R1b、R2b、R3b、R4b、R5c、R6c、R7c、R8c、R5d、R6d、R7d和R8d各自独立地选自以下：取代的或未取代的(C1-C40)-烃基、取代的或未取代的(C1-C40)杂烃基、-Si(RC)3、-OSi(RC)3、-Ge(RC)3、-P(RC)2、-N(RC)2、-ORC、-SRC、-NO2、-CN、-CF3、-OCF3、-S(O)RC、-S(O)2RC、-N＝C(RC)2、-OC(O)RC、-C(O)ORC、-N(R)C(O)RC、-C(O)N(RC)2、卤素、或氢；并且其中每个RC独立地为取代的或未取代的(C1-C30)烃基、或者取代的或未取代的(C1-C30)杂烃基；并且其中，对于式1，一个或多个氢原子可任选地被氘取代，并且其中，对于式1，R1a、R2a、R3a、R4a、R1b、R2b、R3b、R4b、R5c、R6c、R7c、R8c、R5d、R6d、R7d和R8d中的两个或更多个可任选地形成一个或多个环形结构。本专利技术还提供了式1过渡金属络合物。具体实施方式发现了一组新的基于双-联苯基-苯氧基的过渡金属络合物，其可在高聚合温度(例如，≥170℃)和低含量氢气下操作以生产熔体粘度≤50,000cP(在177℃)的低分子量的基于乙烯的聚合物。优选地，此类聚合物还具有低的密度(≤0.90g/cc)。通过将单烷基基团引入到C3桥连的基于过渡金属的双-联苯基-苯氧基催化剂的中心碳原子，聚合物产物的分子量可被显著降低，而不减弱共聚单体的引入能力或高温性能。本专利技术方法出人意料地提供了大量减小给定基于乙烯的聚合物的分子量的优点，而不会显著改变均聚或共聚的性质。这个分子量的减小反过来可提供流动特性的显著提高，其相应地可提高使用这些产品的应用的数量和类型。如上所讨论，本专利技术提供了形成基于乙烯的聚合物的方法，所述方法包含在存在至少一个选自式1的分子过渡金属络合物的情况下将乙烯与任选地至少一种共聚单体聚合：其中式1、M、n、每个X、每个Z、Rx、Ry、以及R1a、R2a、R3a、R4a、R1b、R2b、R3b、R4b、R5c、R6c、R7c、R8c、R5d、R6d、R7d和R8d已在上文描述。如上所述，本专利技术还提供了式1过渡金属络合物。本专利技术方法可包含两个或更多个本文所述实施例的组合。式1分子过渡金属络合物可包含两个或更多个本文所述实施例的组合。以下实施例适用于以上所述本专利技术方法和过渡金属络合物。如本文所使用，R1a＝R1a，R1b＝R1b，R5c＝R5c，R5d＝R5d，依次类推。如本文所使用，Rx＝Rx，Ry＝Ry。在一个实施例中，R3a或R3b中的至少一个为卤素，并且进一步地，R3a和R3b各自独立地为卤素，并且进一步地为氟、氯、或碘。在一个实施例中，R3a或R3b中的至少一个为氢或C1-C10烷基，并且进一步地为氢或C1-C5烷基。在一个实施例中，R3a或R3b中的至少一个为氢。在一个实施例中，Rx或Ry为氢，另一个为取代的或未取代的(C1-C40)烃基，并且进一步地为未取代的(C1-C40)烃基。在一个实施例中，Rx或Ry为氢，另一个为未取代的(C1-C20)烃基，并且进一步地为未取代的(C1-C10)烃基。在一个实施例中，每个Z为–O-。在一个实施例中，n为2，并且每个X独立地为烷基。在进一步的实施例中，每个X独立地为(C1-C7)烷基，进一步地为(C1-C5)烷基，进一步地为(C1-C3)烷基，并且进一步地每个X为甲基。在一个实施例中，R5c和R5d各自独立地选自以下：1,2,3,4-四本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种形成基于乙烯的聚合物的方法，所述方法包含在存在至少一个选自式1的分子过渡金属络合物的情况下将乙烯与任选地至少一种共聚单体聚合：

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.07.24 US 62/0286371.一种形成基于乙烯的聚合物的方法，所述方法包含在存在至少一个选自式1的分子过渡金属络合物的情况下将乙烯与任选地至少一种共聚单体聚合：其中M为钛、锆、或铪，每个独立地处于+2、+3、或+4的形式氧化态；n为0到3的整数，其中当n为0时，X不存在；每个X独立地为中性、单阴离子、或双阴离子的单齿配体，或者两个X结合在一起形成中性、单阴离子、或双阴离子的双齿配体；X和n被选成使得金属-配体络合物为中性；每个Z部分独立地为-O-、-S-、-N[(C1-C40)烃基]-、或-P[(C1-C40)烃基]-；Rx选自以下：取代的或未取代的(C1-C40)烃基、取代的或未取代的(C1-C40)杂烃基、-Si(RC)3、-OSi(RC)3-Ge(RC)3、-P(RC)2、-N(RC)2、-ORC、-SRC、-NO2、-CN、-CF3、-OCF3、-S(O)RC、-S(O)2RC、-N＝C(RC)2、-OC(O)RC、-C(O)ORC、-N(R)C(O)RC、-C(O)N(RC)2、卤素、或氢；并且其中每个RC独立地为取代的或未取代的(C1-C30)烃基、或者取代的或未取代的(C1-C30)杂烃基；Ry选自以下：取代的或未取代的(C1-C40)烃基、取代的或未取代的(C1-C40)杂烃基、-Si(RC)3、-OSi(RC)3、-Ge(RC)3、-P(RC)2、-N(RC)2、-ORC、-SRC、-NO2、-CN、-CF3、-OCF3、-S(O)RC、-S(O)2RC、-N＝C(RC)2、-OC(O)RC、-C(O)ORC、-N(R)C(O)RC、-C(O)N(RC)2、卤素、或氢；并且其中每个RC独立地为取代的或未取代的(C1-C30)烃基、或者取代的或未取代的(C1-C30)杂烃基；并且其中，当Rx为氢时，Ry不为氢，且当Ry为氢时，Rx不为氢；并且其中Rx和Ry可任选地形成环形结构；并且其中R1a、R2a、R3a、R4a、R1b、R2b、R3b、R4b、R5c、R6c、R7c、R8c、R5d、R6d、R7d和R8d各自独立地选自以下：取代的或未取代的(C1-C40)-烃基、取代的或未取代的(C1-C40)杂烃基、-Si(RC)3、-OSi(RC)3、-Ge(RC)3、-P(RC)2、-N(RC)2、-ORC、-SRC、-NO2、-CN、-CF3、-OCF3、-S(O)RC、-S(O)2RC、-N＝C(RC)2、-OC(O)RC、-C(O)ORC、-N(R)C(O)RC、-C(O)N(RC)2、卤素、或氢；并且其中每个RC独立地为取代的或未取代的(C1-C30)烃基、或者取代的或未取代的(C1-C30)杂烃基；并且其中，对于式1，一个或多个氢原子可任选地被氘取代...

【专利技术属性】
技术研发人员：S·W·埃瓦尔特，R·J·基顿，J·克洛西，R·菲格罗阿，
申请(专利权)人：陶氏环球技术有限责任公司，
类型：发明
国别省市：美国,US