The invention relates to a microelectronic package (1), including: having at least a first opening (3) and defines a first cavity (4) of the microelectronic structure; (2) has at least second openings (10) connected to the first cavity and a second cavity (4) (11) of the capping layer (9), which the capping layer (9) disposed on the microelectronic structure (2) on the second opening (10) arranged in the first opening (3); and (10) covers the second opening sealing layer (13), thereby sealing the first cavity (4) and second (11). Further, the invention relates to a method of manufacturing a microelectronic package (1).
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】微电子封装和制造微电子封装的方法本专利技术涉及诸如MEMS器件(MEMS=微机电系统)、MOEMS器件(MOEMS=微光电机械系统)、NEMS器件(NEMS=纳米机电系统)、NOEMS器件(NOEMS=纳米光电机械系统)之类的微电子封装或诸如声学类型或传感器类型的器件之类的具有带有受控环境或带有真空的一个或几个腔体的任何其它器件。另外,本专利技术涉及制造微电子封装的方法。微电子封装包括布置在腔体中的微电子结构。这样的微电子封装可以通过各种封装技术形成。制造微电子封装的一种方法是薄膜封装技术,其还被称为零级封装。在该技术中,微电子结构嵌入在牺牲层中,牺牲层被结构化,封盖层布置在牺牲层上并且在最后的步骤中,经由蚀刻或经由使用溶剂溶解而移除牺牲层。为此目的,在封盖层中需要开口以引入溶剂或蚀刻环境。该开口必须在蚀刻或溶解完成之后密封。然而,许多微电子封装包括非常敏感的微电子结构。因此,必须确保在开口密封期间没有材料沉积在微电子结构上。否则,该材料将影响微电子结构的性能。US2012/0161255A1提出一种密封MEMS封装的方法。本专利技术的目的是提供一种例如通过允许更快的制造过程或通过节约芯片面积而具有改进的性质的微电子封装。另外,另一目的是提供一种制造这样的微电子封装的方法。该目的通过根据目前的权利要求1的微电子封装来解决。另外,第二目的通过根据第二独立权利要求的方法来解决。提供一种微电子封装,其包括:具有至少第一开口并且限定第一腔体的微电子结构;具有至少第二开口并且限定连接到第一腔体的第二腔体的封盖层,其中封盖层布置在微电子结构之上使得第二开口布置在第一开口 ...
【技术保护点】
微电子封装(1),包括:‑ 具有至少第一开口(3)并且限定第一腔体(4)的微电子结构(2),‑ 具有至少第二开口(10)并且限定连接到第一腔体(4)的第二腔体(11)的封盖层(9),其中封盖层(9)布置在微电子结构(2)之上使得第二开口(10)布置在第一开口(3)之上,以及‑ 覆盖第二开口(10)的密封层(13),从而密封第一腔体(4)和第二腔体(11)。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.微电子封装(1),包括:-具有至少第一开口(3)并且限定第一腔体(4)的微电子结构(2),-具有至少第二开口(10)并且限定连接到第一腔体(4)的第二腔体(11)的封盖层(9),其中封盖层(9)布置在微电子结构(2)之上使得第二开口(10)布置在第一开口(3)之上,以及-覆盖第二开口(10)的密封层(13),从而密封第一腔体(4)和第二腔体(11)。2.根据权利要求1的微电子封装(1),其中第二开口(10)具有比第一开口(3)的宽度小的宽度。3.根据前述权利要求之一的微电子封装(1),其中第一开口(3)的宽度是第二开口(10)的宽度的至少两倍大。4.根据前述权利要求之一的微电子封装(1),其中第一开口(3)的宽度是第二开口(10)的宽度的至少五倍大。5.根据前述权利要求之一的微电子封装(1),其中密封层(13)包括无机材料。6.根据前述权利要求之一的微电子封装(1),其中密封层包括二氧化硅、硅烷或氮化硅中的一个。7.根据前述权利要求之一的微电子封装(1),其中封盖层(9)包括多于一个第二开口(10),其中微电子结构(2)包括多于一个第一开口(3),并且其中第二开口(10)的每一个布置在第一开口(3...
【专利技术属性】
技术研发人员:G亨,M吉森,A邓德克,JL波宁,D圣帕特赖斯,B赖格,
申请(专利权)人:埃普科斯股份有限公司,原子能和替代能源委员会,
类型:发明
国别省市:德国,DE
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